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公开(公告)号：CN116262660B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202111539720.1
申请日：2021-12-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
IPC: C04B35/04 , C04B35/622 , C04B35/63 , H01L33/50 , H01S5/00
Abstract: 本发明提供一种装载荧光粉的氧化镁复相陶瓷及其制备方法和应用。本发明所述氧化镁复相陶瓷包括氧化镁相和发光相，所述氧化镁相为连续相，所述发光相分散在氧化镁相中，所述发光相为荧光粉，所述发光相在氧化镁复相陶瓷中所占的比例为10wt％‑90wt％。本发明所述氧化镁复相陶瓷既保持荧光粉的良好的发光特性，同时提供高热导率、以及由高热导率带来的高饱和激光功率阈值、弱热致淬灭效应等优异性能，可应用于大功率照明、激光半导体照明等相关领域。本发明的制备方法采用低温烧结方式，制备温度低，工艺简单，具有成本低、成品率高，易于产业化等优点。
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公开(公告)号：CN117800712A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211171265.9
申请日：2022-09-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
IPC: C04B35/057 , C04B35/622 , C04B35/64 , B24B1/00 , C09K11/02 , H01S3/16
Abstract: 本发明公开一种高致密度CaO透明陶瓷材料及其制备方法，通过以CaO为原料，与烧结助剂经煅烧、压制成型、高温烧结得到所述CaO陶瓷。本发明的CaO透明陶瓷的致密度≥99％，具有较高的透光性，本发明的烧结温度低，相对于CaO荧光粉而言，高致密度的透明氧化钙陶瓷具有极低的吸水性，具有更长的使用寿命和更高的稳定性。且本发明的高致密度CaO透明陶瓷材料的制备方法简单，生产成本低，利于工业化生产，在光学、介电材料领域等具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN115010503A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210660440.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/64 , C04B35/645 , C04B35/505 , C04B35/053 , C04B35/057 , C04B35/50
Abstract: 本发明公开了一种氧化物透明陶瓷材料烧结助剂的使用方法，通过在氧化物粉体中添加YF3的形式，实现了少量的烧结助剂在氧化物粉体中的均匀分散，低于传统烧结温度300℃条件下的液相烧结，通过小剂量烧结助剂便有效提高了助烧结的作用，获得氧化物透明陶瓷。所述YF3作为氧化物透明陶瓷烧结助剂的用量为0.125‑0.75at%在真空环境下较低的烧结温度1400‑1550℃进行烧结制备。所述YF3烧结助剂添加在球磨混合阶段加入，通过行星球磨搅拌方式和主成分一起混合均匀；不需要额外添加分散剂、粘结剂等有机高分子材料，成型后的陶瓷素坯体不需要在氧气氛或其他气氛下处理。
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公开(公告)号：CN116262660A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111539720.1
申请日：2021-12-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
IPC: C04B35/04 , C04B35/622 , C04B35/63 , H01L33/50 , H01S5/00
Abstract: 本发明提供一种装载荧光粉的氧化镁复相陶瓷及其制备方法和应用。本发明所述氧化镁复相陶瓷包括氧化镁相和发光相，所述氧化镁相为连续相，所述发光相分散在氧化镁相中，所述发光相为荧光粉，所述发光相在氧化镁复相陶瓷中所占的比例为10wt％‑90wt％。本发明所述氧化镁复相陶瓷既保持荧光粉的良好的发光特性，同时提供高热导率、以及由高热导率带来的高饱和激光功率阈值、弱热致淬灭效应等优异性能，可应用于大功率照明、激光半导体照明等相关领域。本发明的制备方法采用低温烧结方式，制备温度低，工艺简单，具有成本低、成品率高，易于产业化等优点。
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公开(公告)号：CN116969761A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310832341.4
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
IPC: C04B35/505 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/632 , C04B35/634
Abstract: 本发明公开了一种有机体系压力注浆制备(Y1‑xRex)2O3:Rey透明陶瓷的方法，所述方法为：(1)将各反应原料与乙醇混合，加入磨球，球磨混合，得到浆料；(2)将浆料除泡之后经压力注浆成型、保压、脱模、干燥、排胶、真空烧结、退火，制备得到(Y1‑xRex)2O3:Rey透明陶瓷；其中，0≤x≤0.3,0≤y≤0.05。本发明湿法成型制备的陶瓷采用乙醇作为分散介质，克服了Y2O3的水解问题，同时，本发明采用的注浆成型设备能够将被有机物包裹的乙醇从浆料中滤出，缩短成型时间。
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公开(公告)号：CN114958352B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202110211683.5
申请日：2021-02-25
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开一种Ca14(Zn,Mg)6(Al,B)10O35基质的红色荧光粉及其制备方法和应用，其化学通式为：Ca14Zn6‑aMga+cAl10‑b‑2cBbMncO35，0≤a≤1.5，0≤b≤0.5，0≤c≤0.5，且a、b和c不同时为0。本发明通过Mg部分替代Zn、B部分替代Al，从而有效改善了蓝光的吸收，制得的荧光粉的量子效率高达85％以上，对环境友好，能受紫外到蓝光(280‑460nm)激发，获得660‑780nm的红色发射，且热淬灭温度高达300℃以上，其荧光强度在580K高温时才降为室温的50％，具有较高的热稳定性和发光性能，具有很好的经济效益和发展前景。
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公开(公告)号：CN111925202B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910394389.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/44 , C04B35/505 , C04B35/50 , C04B35/626 , H01S3/16
Abstract: 本发明公开了一种无烧结助剂的钇铝石榴石(YAG)粉体、钇铝石榴石陶瓷、其制备方法与应用。所述YAG粉体包括(RExY1‑x)3Al5O12、粘结剂和分散剂的质量比为100:(0.1‑1.0):(0.1‑1.0)；其中，x＝0‑1，RE代表稀土元素。YAG粉体经煅烧、冷等静压成型方式获得陶瓷素坯，将素坯置于模具中采用放电等离子烧结或闪烁烧结，将陶瓷进行抛光处理，即可得到钇铝石榴石透明陶瓷。本发明提供的陶瓷无需添加烧结助剂，通过压力、高电压多场耦合烧结的方式实现了YAG完全致密，晶界处无异相析出，晶界干净，晶界层非常薄，可显著降低陶瓷的散射损耗，近红外波段直线透过率达到理论值。
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公开(公告)号：CN108530056A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201710128537.X
申请日：2017-03-06
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/465 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本文公开了一种巨介电低损耗钛酸锶钡陶瓷，其化学通式为Ba1-xSrxTiO3，其中x为Sr的摩尔数，x的范围为0
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公开(公告)号：CN108452803A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201710097479.9
申请日：2017-02-22
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: B01J23/648 , C01B3/04 , C02F1/32
CPC classification number: Y02E60/364 , B01J23/6484 , B01J35/004 , C01B3/042 , C01B2203/0277 , C01B2203/1041 , C02F1/32 , C02F2101/308 , C02F2305/10
Abstract: 本发明涉及一种多用途Nb-Rh共掺二氧化钛光催化剂及其制备方法和用途，所述催化剂通过Nb和Rh对TiO2进行掺杂改性合成。掺杂改性合成的Ti1-x-yNbxRhyO2催化剂具有极好的光催化效应，主要是针对光催化裂解水和光催化裂解有机物。改性后的Ti1-x-yNbxRhyO2维持了TiO2原有的化学稳定性。根据这些特性，该催化剂在能源和环境领域具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103382111A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310290599.2
申请日：2013-07-11
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明一种钛酸铌铜钠基巨介电陶瓷材料及其制备方法。该材料用下述通式表示的材料组成：NaxCu3NbyTi3O12，式中x表示Na原子的摩尔数，y表示Nb原子的摩尔数，0.02≤ x ≤1.55,0.45≤y≤1.79。经过实验测试表明，x的取值为1.00,y的取值为1.00时制备的陶瓷材料结构致密，晶粒尺寸为≤6μm；室温中在10KHz下介电常数为4655，介电损耗为0.108，且介电常数在很宽的频率范围内变化很小，同时介电损耗在很宽的频率范围下≤0.50。
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