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公开(公告)号：CN113228181B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202180001092.3
申请日：2021-03-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 在某些方面中，公开了一种用于操作存储器器件的方法。存储器器件包括存储器面和多路复用器(MUX)。每个MUX包括耦合到存储器面中的相应一个存储器面的输出、接收非异步多面独立(AMPI)读取控制信号的第一输入和接收AMPI读取控制信号的第二输入。确实指令是AMPI读取指令还是非AMPI读取指令。响应于指令是AMPI读取指令，基于AMPI读取指令生成AMPI读取控制信号，并且控制对应MUX，以使能将AMPI读取控制信号从第二输入输出到对应存储器面。响应于指令是非AMPI读取指令，基于非AMPI读取指令生成非AMPI读取控制信号，并且控制每个MUX，以使能将非AMPI读取控制信号从相应第一输入输出到相应存储器面。
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公开(公告)号：CN113056790A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202180000397.2
申请日：2021-01-27
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C19/28
Abstract: 一种闪存存储器件包括：多个存储面，所述多个存储面均包含存储单元的阵列；主机接口，所述主机接口用于由外部主机访问多个存储面；以及控制器，所述控制器经由存储接口连接到多个存储面，并控制主机接口以用于访问多个存储面。控制器被配置为执行：在主机接口上从外部主机接收一个或多个命令；确定是否执行对应于命令的异步多面独立(AMPI)读取操作；并且在确定开始AMPI读取操作之后，根据命令并行访问存储面，并且使用基于提供给控制器的指示符信号所确定的命令的顺序来完成AMPI读取操作，以对应于在主机接口上接收到的命令的序列。
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公开(公告)号：CN118173137A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211585949.3
申请日：2022-12-09
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 本公开提供了一种存储器的读取方法、存储器、存储器系统及电子设备，属于存储技术领域。该方法包括：向第一读取请求指令中的第一字线地址对应的字线施加第一读取电压；检测获取的第二读取请求指令；当第二读取请求指令包含的第二字线地址与第一字线地址相同时，在第一读取电压施加结束后，向第一字线地址对应的字线施加第二读取电压，可以减少相同字线的读取时长，降低读取时的功耗，从而提高读取效率。
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公开(公告)号：CN115171757A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210861555.X
申请日：2022-07-20
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本发明实施例提供一种控制逻辑电路、存储器、存储系统及操作方法。其中，所述控制逻辑电路包括：微处理器和控制总线CBUS，所述微处理器通过所述CBUS与所述存储器的外围电路中的设定电路连接；所述设定电路包含寄存器；其中；所述CBUS包括用于传输所述微处理器发出的掩码控制信号的掩码控制线和用于传输数据的一组数据传输线；其中，在所述掩码控制线传输的掩码控制信号有效的情况下，所述数据传输线，用于传输掩码数据；所述掩码数据与所述控制数据共用作用以改变所述寄存器存储的原始数据中需要改变的数据位。
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公开(公告)号：CN113454723A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202180001831.9
申请日：2021-05-25
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C16/06
Abstract: 一种半导体设备包括时钟门控电路和控制电路。时钟门控电路基于时钟信号输出门控时钟信号。响应于时钟启用信号具有启用值而在门控时钟信号中输出时钟信号的转变，并且响应于时钟启用信号具有禁用值而禁止在门控时钟信号中输出时钟信号的转变。控制电路包括基于时钟信号操作的第一部分。第一部分响应于禁用控制将时钟启用信号设置为禁用值，并且响应于唤醒控制将时钟启用信号设置为启用值。控制电路包括基于门控时钟信号操作的第二部分。第二部分在操作期间向第一部分提供禁用控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114641762B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202280000501.2
申请日：2022-01-28
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本公开实施例提供一种存储器及其控制方法。所述存储器包括：存储阵列，其包括多个存储面，每个所述存储面包括由存储单元构成的存储块；以及外围电路，其与所述存储阵列连接并被配置为能够控制所述多个存储面进行异步操作；其中，所述外围电路中包括至少一个状态机；所述状态机的每个与所述多个存储面的至少一个相对应地设置，所述状态机与存储器接口连接并且能够从所述存储器接口并行地接收对应各存储面的异步操作相关的控制命令，所述状态机的每个能够各自独立地处理其接收的所述控制命令以获得相应存储面的控制信息。
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公开(公告)号：CN118230796A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211641862.3
申请日：2022-12-20
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种控制电路、存储器的读取方法、存储器及电子设备，涉及存储技术领域。该控制电路与存储单元阵列和多个页缓冲器耦合，该存储单元阵列包括耦合的多个存储单元、字线和位线，每个存储单元被配置为存储m位数据，一个页缓冲器与一条位线耦合，一个页缓冲器包括一个主锁存器和多个数据锁存器。该控制电路被配置为：接收第一读取命令；响应于该第一读取命令，依次对第一字线施加P个读取电压，将所读取的与该第一字线耦合的第一存储单元的n位数据，通过该第一存储单元对应的主锁存器分别存储至该第一存储单元对应的n个数据锁存器。通过一次性读取第一存储单元的n位数据，减少读取命令的发送次数，从而节省读取时间。
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公开(公告)号：CN117079690A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311069137.8
申请日：2021-03-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 本公开涉及存储器器件及其异步多面独立读取操作。在某些方面中，公开了一种用于操作存储器器件的方法。存储器器件包括存储器面和多路复用器(MUX)。每个MUX包括耦合到存储器面中的相应一个存储器面的输出、接收非异步多面独立(AMPI)读取控制信号的第一输入和接收AMPI读取控制信号的第二输入。确实指令是AMPI读取指令还是非AMPI读取指令。响应于指令是AMPI读取指令，基于AMPI读取指令生成AMPI读取控制信号，并且控制对应MUX，以使能将AMPI读取控制信号从第二输入输出到对应存储器面。响应于指令是非AMPI读取指令，基于非AMPI读取指令生成非AMPI读取控制信号，并且控制每个MUX，以使能将非AMPI读取控制信号从相应第一输入输出到相应存储器面。
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公开(公告)号：CN113056790B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202180000397.2
申请日：2021-01-27
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
IPC: G11C19/28
Abstract: 一种闪存存储器件包括：多个存储面，所述多个存储面均包含存储单元的阵列；主机接口，所述主机接口用于由外部主机访问多个存储面；以及控制器，所述控制器经由存储接口连接到多个存储面，并控制主机接口以用于访问多个存储面。控制器被配置为执行：在主机接口上从外部主机接收一个或多个命令；确定是否执行对应于命令的异步多面独立(AMPI)读取操作；并且在确定开始AMPI读取操作之后，根据命令并行访问存储面，并且使用基于提供给控制器的指示符信号所确定的命令的顺序来完成AMPI读取操作，以对应于在主机接口上接收到的命令的序列。
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公开(公告)号：CN113892139A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202180001096.1
申请日：2021-03-29
Applicant: 长江存储科技有限责任公司
Abstract: 在某些方面中，公开了一种用于操作存储器器件的方法。存储器器件包括多个存储器面。确定指令是异步多面独立(AMPI)读取指令还是非AMPI读取指令。响应于指令是AMPI读取指令，基于AMPI读取指令生成AMPI读取控制信号，并且将AMPI读取控制信号引导到存储器面中的对应存储器面。响应于指令是非AMPI读取指令，基于非AMPI读取指令生成非AMPI读取控制信号，并且将非AMPI读取控制信号引导到存储器面中的每个存储器面。
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