公开(公告)号：CN116288565A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310227370.8

申请日：2023-03-10

Applicant: 长安大学

Inventor： 徐义库 ,  高越 ,  梁斌娟 ,  陈永楠 ,  赵秦阳 ,  李雯婷 ,  刘思怡

IPC: C25D5/00 ,  C25D15/00 ,  C25D3/02

Abstract: 本发明公开了一种在纯铜表面沉积Ni‑P/Ni‑Mo‑SiC‑TiN复合结构镀层的方法，涉及电沉积处理技术领域，其技术方案要点是：包括制备电解液一、铜试样板在电解液一中生长Ni‑P复合结构镀层、制备电解液二、铜试样板在电解液二的环境下在Ni‑P复合结构镀层表面生长一层均匀的Ni‑Mo‑SiC‑TiN复合结构镀层。该方法可以快速在纯铜表面获得均匀、致密的Ni‑P/Ni‑Mo‑SiC‑TiN复合结构镀层，此方法具有高效、节能、深镀能力好的优点，同时铜试样的屈服强度、平台应力、单位体积吸收能量的大小等机械性能和耐腐蚀性能显著提高，扩大了纯铜的应用领域。