公开(公告)号：CN105140274B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201510496358.2

申请日：2015-08-13

Applicant: 长安大学

Inventor： 段理 ,  倪磊 ,  孙斌 ,  于晓晨 ,  樊继斌 ,  王佩 ,  韦丰 ,  张亚辉 ,  任新苗

IPC: H01L29/47 ,  B82B1/00 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列/Ag肖特基结及其制备方法,肖特基结包括半导体部分和金属部分，所述的半导体部分为ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列，所述的金属部分为Ag；按摩尔比计，ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列中x＝0.80～0.99，y＝0.01～0.15。对ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列进行一系列组合方案处理：先在氧气氛围中热处理，再用双氧水超声清洗，再进行紫外臭氧联合处理，最后再在氧气氛围中热处理。经过上述处理后在利用磁控溅射在ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列顶部镀上Ag，形成ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列/Ag肖特基结。对比测试表明，这一系列多步骤处理方案可以有效降低ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列/Ag肖特基结的反向漏电流和材料中的深能级杂质，提高ZnxAg(1‑x)NyO(1‑y)纳米阵列/Ag肖特基结的接触特性。

公开(公告)号：CN105140274A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510496358.2

申请日：2015-08-13

Applicant: 长安大学

Inventor： 段理 ,  于晓晨 ,  樊继斌 ,  王佩 ,  韦丰 ,  张亚辉

IPC: H01L29/47 ,  B82B1/00 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种ZnxAg(1-x)NyO(1-y)纳米阵列/Ag肖特基结及其制备方法,肖特基结包括半导体部分和金属部分，所述的半导体部分为ZnxAg(1-x)NyO(1-y)纳米阵列，所述的金属部分为Ag；按摩尔比计，ZnxAg(1-x)NyO(1-y)纳米阵列中x＝0.80～0.99，y＝0.01～0.15。对ZnxAg(1-x)NyO(1-y)纳米阵列进行一系列组合方案处理：先在氧气氛围中热处理，再用双氧水超声清洗，再进行紫外臭氧联合处理，最后再在氧气氛围中热处理。经过上述处理后在利用磁控溅射在ZnxAg(1-x)NyO(1-y)纳米阵列顶部镀上Ag，形成ZnxAg(1-x)NyO(1-y)纳米阵列/Ag肖特基结。对比测试表明，这一系列多步骤处理方案可以有效降低ZnxAg(1-x)NyO(1-y)纳米阵列/Ag肖特基结的反向漏电流和材料中的深能级杂质，提高ZnxAg(1-x)NyO(1-y)纳米阵列/Ag肖特基结的接触特性。