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公开(公告)号：CN119497462A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411636407.3
申请日：2024-11-15
Applicant: 长安大学
IPC: H10F77/30 , H10F30/222 , H10F71/00
Abstract: 本发明涉及光电探测技术领域，具体为一种石墨烯‑氧化铪界面层‑锗异质结光电探测器及其制备方法，包括以下步骤：清洗锗片；采用真空薄膜溅射方式在预处理锗片的表面溅射氧化铪薄膜；在初步产品的氧化铪界面层上溅射生长绝缘层和正电极；翻面二次产品，并在二次产品的背面溅射背电极；将单层石墨烯利用电化学鼓泡法转移至三次产品的正电极上；退火处理，获得石墨烯‑氧化铪界面层‑锗异质结光电探测器。本发明通过引入氧化铪界面层的石墨烯/锗异质结光电探测器在理论上和实验上都展现出良好的可行性，并显著改善了光电探测器的性能，尤其是在降低暗电流、提高信噪比以及增强探测灵敏度等方面具有显著的有益效果。
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