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公开(公告)号:CN116623132A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202310611428.9
申请日:2023-05-26
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种耐磨MgCuY/Cu非晶/晶体多层薄膜及其制备方法和应用,包括采用磁控溅射技术交替叠加的非晶MgCuY层和金属Cu层;MgCuY层中各元素的原子百分含量为Mg:80%‑88%,Cu:3%‑8%,Y:9%‑12%;MgCuY层单层厚度为4nm,金属Cu单层层厚度为4‑32nm,多层薄膜的总厚度为0.84‑1.06μm。硬度均高于纯Cu薄膜和MgCuY非晶薄膜,并且耐磨性得相比纯Cu薄膜明显改善。
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公开(公告)号:CN116623131A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202310610314.2
申请日:2023-05-26
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜及其制备方法和应用,包括多层晶体Cu层和多层MgCuY非晶层;多层晶体Cu层和多层MgCuY非晶层交替叠加,MgCuY非晶层中各元素的原子百分含量为Mg:80%‑90%,Cu:3%‑8%,Y:7%‑12%;MgCuY非晶层单层厚度为4±0.5nm,晶体Cu层单层厚度为40±2nm,多层膜的总厚度为1.04±0.02μm。大量的层间界面可以作为腐蚀物质和腐蚀裂纹的扩散屏障,有效提升了薄膜的耐腐蚀性。
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