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公开(公告)号：CN116623131A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310610314.2
申请日：2023-05-26
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种晶体Cu/非晶MgCuY耐蚀多层膜及其制备方法和应用，包括多层晶体Cu层和多层MgCuY非晶层；多层晶体Cu层和多层MgCuY非晶层交替叠加，MgCuY非晶层中各元素的原子百分含量为Mg:80％‑90％，Cu:3％‑8％，Y:7％‑12％；MgCuY非晶层单层厚度为4±0.5nm，晶体Cu层单层厚度为40±2nm，多层膜的总厚度为1.04±0.02μm。大量的层间界面可以作为腐蚀物质和腐蚀裂纹的扩散屏障，有效提升了薄膜的耐腐蚀性。
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