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公开(公告)号：CN118804670A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410782621.3
申请日：2024-06-18
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
IPC: H10N60/01
Abstract: 本发明公开了一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，步骤包括：S1，在平面电路表面制备氧化硅层；S2，匀胶曝光；S3，形成氧化硅柱；S4，匀负胶曝光；S5，显影，以得到用于铟柱生长的孔洞；S6，铟柱生长；S7，铟柱剥离；S8，对两个相同结构的所述平面电路以及表面的铟柱进行倒装焊；S9，对倒装焊结束的结构进行压焊；S10，利用刻蚀液去除所述氧化硅柱。本发明不会对平面电路的性能造成影响，相较于现有技术，可以使最终的三维芯片的高度均匀性可得到保证。
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公开(公告)号：CN117750872A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311773944.8
申请日：2023-12-21
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
Abstract: 本申请涉及超导量子电路领域，公开了一种超导量子电路及其制作方法，包括：准备超导量子电路的预制结构；预制结构包括衬底、超导薄膜层和第一光刻胶层，第一光刻胶层上第一镂空图案位于第一区域和/或第二区域；刻蚀预制结构，在第一镂空图案下方形成沟道；第二区域的刻蚀深度等于超导薄膜层厚度；第一区域的刻蚀深度大于或等于超导薄膜层厚度；去除第一光刻胶层，并形成第二光刻胶层；第二光刻胶层上第二镂空图案位于第一区域或第二区域；再次刻蚀预制结构，在第二镂空图案下方形成沟道；第一区域的刻蚀总深度大于超导薄膜层厚度，第二区域的刻蚀总深度等于超导薄膜层厚度，提升超导共面波导谐振腔的内部品质因子，且不影响约瑟夫森结的制备。
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公开(公告)号：CN118888462A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410913286.6
申请日：2024-07-09
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
IPC: H01L21/60 , H01L21/603 , H10N60/01
Abstract: 本发明涉及一种用于芯片表面的铟柱阵列的制备方法及倒装焊芯片，通过逐层生长和压缩的方式，可以精确地控制铟柱的高度和形状，从而实现高度、底部表面积、顶部表面积以及铟柱截面积均可控的铟柱阵列，将芯片通过上述铟柱阵列倒装焊焊接在一起，提高了芯片与芯片之间的连接强度，提高了倒装焊芯片的电气稳定性，适用于各种高性能电子设备中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117895209A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410053777.8
申请日：2024-01-15
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
Abstract: 本申请公开了一种微波滤波器的结构参数确定方法、系统、设备及存储介质，所属的技术领域为滤波器设计技术。所述具有缺陷地结构的微波滤波器的结构参数确定方法包括：利用缺陷地结构库中的样本缺陷地结构进行微波滤波器设计，得到样本微波滤波器结构参数；根据样本微波滤波器结构参数进行电磁仿真，得到样本微波滤波器响应指标；构建训练样本，并利用训练样本对基于策略梯度算法的参数预测模型进行训练；若接收到微波滤波器设计请求，则将微波滤波器响应指标约束条件输入参数预测模型，得到的目标微波滤波器结构参数。本申请能够快速生成符合响应指标约束条件的滤波器的结构参数，提高滤波器设计效率，具有以上有益效果。
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公开(公告)号：CN117715506A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311684530.8
申请日：2023-12-08
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
Abstract: 本发明公开了一种空气桥的制备方法及空气桥，应用于量子芯片技术领域，包括：在衬底表面设置第一超导层并刻蚀，形成平面谐振腔电路的形貌；在平面谐振腔电路的表面设置覆盖传输线预设长度的桥墩；在桥墩表面设置跨置传输线，与端部相接触的第二超导层；在第二超导层表面沿传输线延伸方向设置多个释放孔；释放孔穿过第二超导层暴露桥墩；通过释放孔去除桥墩，制成空气桥。通过在第二超导层设置出释放孔，通过该释放孔可以去除空气桥下方的桥墩，从而保证在第二超导层沿传输线方向延伸较长时，同样可以去除其在制备过程中下方存在的桥墩，以保证最终制备的空气桥可以沿传输线方向进行包裹，以提升传输线的隔离度，减少噪声影响。
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公开(公告)号：CN118201470A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410004099.6
申请日：2024-01-02
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
Abstract: 本申请涉及量子技术，公开了一种超导量子芯片和量子计算机，包括：多个比特电容，每个所述比特电容包括芯片地和金属层；所述金属层包括第一金属片和第二金属片，所述第二金属片呈弯折状，弯折角度为120度；所述第一金属片与所述第二金属片中弯折的两个金属臂夹角均为120度，所述第一金属片的第一端与所述第二金属片的弯折处相对设置且存在间隙；多个比特电容呈蜂窝状排布。本申请多个比特电容呈蜂窝状排布，有效减少相邻比特间所需要的可调耦合数量，以及可调耦合控制线的数量可以使超导量子芯片设计更加灵活，且有利于提高多比特布局的可重复性扩展度。
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公开(公告)号：CN219799287U
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202320526197.7
申请日：2023-03-17
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
IPC: G01N23/2204 , G01N23/2251
Abstract: 本实用新型公开了一种检测样品台及检测装置，应用于样品扫描技术领域，包括基座、滑轨、伸缩杆、升降杆和接触头；所述滑轨位于所述基座表面，所述滑轨沿样品设置区域周向延伸；所述升降杆的一端与所述滑轨滑动连接，所述升降杆的另一端与所述伸缩杆的一端固定连接，所述伸缩杆的另一端向所述样品设置区域延伸；所述接触头位于所述伸缩杆的另一端，指向所述样品设置区域。通过在滑轨上移动升降杆，带动伸缩杆移动，再通过调整伸缩杆的长度，可以使得接触头延伸至样品设置区域的任意位置，通过调整升降杆可以使得接触头压住样品设置区域中任意位置设置的样品，从而固定样品进行扫描，避免在固定样品时沾污样品。
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公开(公告)号：CN219797645U
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202320292135.4
申请日：2023-02-23
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
Abstract: 本实用新型公开了一种干法刻蚀器件散热装置，应用于干法刻蚀技术领域，散热连接部位于载盘与待刻蚀器件之间，待刻蚀器件通过散热连接部与载盘固定连接；散热连接部包括位于载盘表面，由固态导热物质形成的第一围栏，以及由固态导热物质形成的第二围栏；第一围栏内形成的容纳空间填充有液态导热物质，第二围栏包围第一围栏，在第一围栏与第二围栏之间形成防溢空间。设置有固态导热物质形成的第一围栏以及第二围栏的结构非常简单，而在第一围栏内容纳空间填充的高导热能力的液态导热物质可以保证待刻蚀器件与载盘之间具有良好的散热效果；同时第一围栏以及第二围栏的设置形成的防溢空间可以防止液态导热物质在刻蚀时飞溅，避免污染待刻蚀器件。
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