公开(公告)号：CN104753662A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310737971.X

申请日：2013-12-27

Applicant: 重庆重邮信科通信技术有限公司

Inventor： 刘欣 ,  袁艳 ,  金渝 ,  吴付利

IPC: H04L9/06

Abstract: 本发明提供了一种基于AES算法的加密密钥流产生方法，包括：获取与待计算的字节矩阵的各元素对应的新元素的表达式；对各新元素的表达式分别进行计算，以得到第一字节矩阵；以及对第一字节矩阵进行密钥二元加计算。以达到降低AES算法复杂度，提升处理效率的效果。

公开(公告)号：CN105375544A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201410438186.9

申请日：2014-08-29

Applicant: 重庆重邮信科通信技术有限公司

Inventor： 卢嘉江 ,  金渝

IPC: H02J7/00 ,  H01M10/44

Abstract: 本发明实施例公开了一种低电量电池充电方法，所述方法包括：以第一电流值为电池充电；获取所述电池的在单位时间内的电压差或获取所述电池当前的充电状态；判断所述电压差或充电状态是否满足第一预设条件，若是则以第二电流值为所述电池充电，其中，所述第二电流值大于第一电流值，通过对电池的电压差或充电状态的检测，判断电压差或充电状态满足第一预设条件，则提高充电电流，满足在电池低电量充电时电池内部电源管理集成电路和终端系统的消耗，可以让电池在低电量时进行充电，通过提升充电电流尽快达到恒流充电条件，缩短低电量电池的充电时间。

公开(公告)号：CN104750565A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310751620.4

申请日：2013-12-31

Applicant: 重庆重邮信科通信技术有限公司

Inventor： 金渝 ,  吴付利

IPC: G06F11/07 ,  G06F12/02

Abstract: 本发明公开了一种NAND坏块处理方法及NAND闪存设备，所述NAND闪存设备包括：数据区域，包括多个块，用于存储数据；替换区域，包括多个块，当所述数据区域和/或所述替换区域本身中的一个以上的块发生损坏而成为坏块时，作为替换块，用于替换所述一个以上的坏块；BBT区，用于存储坏块表，所述坏块表指明所述坏块与所述替换块之间的映射关系；BBT索引区，位于指定的块中，所述BBT索引区存储有索引文件，所述索引文件包括指引所述BBT区所在块的地址的索引条目。本发明能减少坏块处理对存储空间的额外要求。

公开(公告)号：CN104050116A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201210580766.2

申请日：2012-12-27

Applicant: 重庆重邮信科通信技术有限公司

Inventor： 金渝 ,  吴付利

IPC: G06F13/18

Abstract: 本发明公开了一种集成电路总线控制器及集成电路总线操作的处理方法，IIC控制器中设置有控制存储器、写存储器和读存储器，可以接收并存储CPU的多个操作。当CPU中有操作产生时，就可以直接将该操作发送到本发明的控制器中的相应存储器中，并在存储器中进行保存，等待执行处理。因此，本发明可以使得CPU中的操作存储在控制器的存储器中，将要写入IIC外部设备的数据和从IIC外部设备中读取的数据也存储在控制器的存储器中。本发明可以使得多个操作无需在CPU中存储，从而避免了CPU可用存储空间变小、负载加重、运行速度降低的问题。

公开(公告)号：CN202502157U

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201120568989.8

申请日：2011-12-30

Applicant: 重庆重邮信科通信技术有限公司

Inventor： 卢嘉江 ,  吴付利 ,  金渝

IPC: G01R27/08 ,  G01R19/25

Abstract: 本实用新型公开了一种电阻式参数和设备电压测量装置，包括：电阻R0，其第一连接端连接到所述设备电压输出端；电阻R，其第一连接端连接到R0的第二连接端；模数转换单元ADC1，其输入端耦接到R的第一连接端；n个电阻式器件，各电阻式器件的第一连接端耦接到R的第二连接端，第二连接端耦接到地；控制单元，与各电阻式器件的第一连接端连接；在处理器的控制下分别接通或断开各电阻式器件的第一连接端与R第二连接端的耦接；处理器，与ADC1的输出端连接，从ADC1获得数字信号并计算相应参数；与控制单元连接；本实用新型的技术方案能够实现利用一个单通道ADC或一个AD通道测量多个电阻式参数及设备电压的功能，减少了设备硬件成本。