公开(公告)号：CN118132982A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410192133.7

申请日：2024-02-21

Applicant: 重庆邮电大学 ,  电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 冯紫杨 ,  帅垚 ,  吴传贵 ,  罗文博 ,  潘忻强 ,  张万里

IPC: G06F18/213 ,  G06F30/20 ,  G06F17/15

Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种基于多项式拟合的声表面波谐振器COM参数提取方法，包括采用实测拟合法提取多组COM参数，对每一组COM参数及其对应的谐振频率进行中心化和缩放，得到中心化缩放COM参数和中心化缩放谐振频率；定义9阶多项式模型组，并采用加权残差优化方法处理得到最优9阶多项式模型组；将目标谐振频率进行中心化和缩放后输入最优9阶多项式模型组，得到目标中心化缩放COM参数；将目标中心化缩放COM参数还原后代入COM模型得到目标谐振器的电声特性曲线；本发明能够实现声表面波谐振器的快速、精确模拟。

公开(公告)号：CN118157622A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410366776.9

申请日：2024-03-28

Applicant: 重庆邮电大学 ,  电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

Inventor： 杨幸 ,  帅垚 ,  罗文博 ,  吴传贵 ,  潘忻强 ,  张万里 ,  冯紫杨

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/02 ,  H03H9/145

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种嵌入式的声表面波谐振器；该谐振器包括：衬底、压电材料、第一叉指电极、第二叉指电极和声反射器；压电材料设置在衬底上，第一叉指电极、第二叉指电极和声反射器设置在压电材料表面或部分嵌入压电材料中，声反射器均设置在压电材料上；压电材料上表面为一斜坡；本发明可提升声表面波谐振器的功率耐受程度，降低叉指电极带来的质量负载效应程度，同时能一定程度提升机电耦合系数、品质因数，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN116299866A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310290780.7

申请日：2023-03-23

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 刘文 ,  吴传贵 ,  罗文博 ,  帅垚 ,  潘忻强

IPC: G02B6/293 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明涉及一种具有平顶型输出响应的三阶微环谐振滤波器，属于半导体技术领域。该滤波器包括底层的硅基衬底、中间层的二氧化硅以及顶层的单晶铌酸锂薄膜。在单晶铌酸锂薄膜表面的两端分别刻蚀相互平行的输入直波导和输出直波导；且在输入直波导和输出直波导之间刻蚀有跑道环形微环谐振腔。靠近输入直波导的微环谐振腔与输入直波导之间形成第一耦合区域，靠近输出直波导的微环谐振腔与输出直波导之间形成第二耦合区域，相邻的微环谐振腔之间形成第三耦合区域。本发明通过设置跑道型的微环谐振腔延长了耦合区域，能够提高耦合效率，降低滤波器器件自身产生的损耗。