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公开(公告)号：CN114582976A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210198141.3
申请日：2022-03-02
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种槽型分裂栅集成沟道二极管的MOSFET器件，属于MOSFET器件技术领域。本发明公开了一种槽型分裂栅集成沟道二极管的MOSFET器件，通过在栅极下表面引入分裂栅和沟道MOS二极管：分裂栅屏蔽了栅极与漏极的耦合面积，大幅降低了器件的反馈电容和栅极电荷，提高器件的开关速度；与此同时，在反向恢复时，沟道二极管抑制了寄生PN结二极管的开启，大幅降低了寄生PN结二极管空穴的注入效率，从而降低了反向恢复电荷、反向峰值电流和反向恢复时间，最终改善了器件的反向恢复性能。因此，本发明的槽型分裂栅集成沟道二极管的MOSFET器件对于传统的MOSFET器件在开关性能和反向恢复性能方面进行了改善。
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