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公开(公告)号:CN107946389A
公开(公告)日:2018-04-20
申请号:CN201711121289.2
申请日:2017-11-14
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/107 , H01L31/035272 , H01L31/03529 , H01L31/1876
Abstract: 本发明请求保护一种针对长波段微弱光的CMOS单光子雪崩二极管,具体结构是:在P型衬底上制作深N阱,然后在深N阱内制作P型重掺杂区,由P+层与深N阱构成PN结,作为雪崩倍增区,P+区周围环绕轻掺杂P阱作为保护环,入射光射入器件后在中等电场强度的深N阱区被吸收,产生的光生载流子向强电场区的雪崩倍增区移动。由于较长波段光产生的电子空穴在器件较深处形成,该发明深N阱可对这部分光信号进行有效探测。深N阱/P衬底作为屏蔽二极管,阻止衬底光生载流子扩散至PN结,从而减少了衬底慢光生载流子扩散对光电探测器响应速度的影响。本发明提高器件在长波段的吸收效率。