公开(公告)号：CN107946389A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711121289.2

申请日：2017-11-14

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王巍 ,  陈婷 ,  李俊峰 ,  杨皓 ,  徐媛媛 ,  李双巧 ,  王广 ,  王冠宇 ,  袁军 ,  杨正琳

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/107 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1876

Abstract: 本发明请求保护一种针对长波段微弱光的CMOS单光子雪崩二极管，具体结构是：在P型衬底上制作深N阱，然后在深N阱内制作P型重掺杂区，由P+层与深N阱构成PN结，作为雪崩倍增区，P+区周围环绕轻掺杂P阱作为保护环，入射光射入器件后在中等电场强度的深N阱区被吸收，产生的光生载流子向强电场区的雪崩倍增区移动。由于较长波段光产生的电子空穴在器件较深处形成，该发明深N阱可对这部分光信号进行有效探测。深N阱/P衬底作为屏蔽二极管，阻止衬底光生载流子扩散至PN结，从而减少了衬底慢光生载流子扩散对光电探测器响应速度的影响。本发明提高器件在长波段的吸收效率。