公开(公告)号：CN116466272A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310377173.4

申请日：2023-04-10

Applicant: 重庆大学

Inventor： 尚正国 ,  袁仁鹏 ,  曾森 ,  刘妍婧

IPC: G01R33/032 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明涉及一种高效激发NV色心的固态磁强计及其制备方法，属于固态磁强计的制备技术领域。本发明的固态磁强计采用可调焦菲涅尔波带片S1代替传统的物镜，以实现激发激光的准直聚焦，其焦距可通过电控调节；同时在具有NV色心的金刚石的表面制作超表结构S3，以实现微波能量的进一步集中；另外通过M/NEMS方法在金刚石侧壁形成斜面，同时镀以复合膜系结构，在实现荧光高反射的同时，对高反射膜进行有效保护。因此本发明的高效激发NV色心的固态磁强计中的NV色心在激光和磁场双重作用下，实现荧光高效激发、收集的微结构，从而克服目前NV色心磁强计体积大、集成度低及效率低的问题。

公开(公告)号：CN116381577A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310378953.0

申请日：2023-04-10

Applicant: 重庆大学

Inventor： 尚正国 ,  袁仁鹏 ,  曾森 ,  刘婧妍

IPC: G01R33/032 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明涉及一种基于NV色心的荧光高效收集固态磁强计及其制备方法，属于固态磁强计的制备技术领域。本发明固态磁强计是在M/NEMS工艺基础上，引入超表结构透镜以实现激光的准直聚焦，利用N型 硅晶面各向异性湿法腐蚀的特性，结合ALD薄膜淀积及倒装焊，实现荧光的高效收集，具有工艺可操作性强，便于批量化等显著优点；同时采用超表结构透镜代替传统的物镜，以实现激发激光的准直聚焦。本发明的固态磁强计通过M/NEMS工艺在N型 硅片上实现硅的各向异性腐蚀，形成荧光反射面，同时镀以复合膜系结构，在实现荧光高反射的同时，对高反射膜进行有效保护。