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公开(公告)号:CN113725836B
公开(公告)日:2024-11-29
申请号:CN202111135211.2
申请日:2021-09-27
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种基于具有短时过流能力的晶闸管的SSSC保护电路,属于电子电路领域。该保护电路包括:并联的晶闸管、金属氧化物压敏电阻MOV和变压器,SSSC通过变压器接入电网,然后MOV和晶闸管与变压器并联为SSSC提供保护;变压器中包含有电感一;与电感一依次串联的电感二和电感三;电感一位于电感二和电感三之间;通过变压器串联接入电感一的SSSC;连接在电感二和电感一之间的负载电路一;与电感三连接的负载电路二;负载电路一和负载电路二均包括并联的负载电阻、负载电感和负载电容。本发明提出将PCM集成到晶闸管的铜电极中。利用PCM熔化过程的潜热吸收功率损耗,抑制结温的过快升高,提高晶闸管过流能力。
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公开(公告)号:CN113725836A
公开(公告)日:2021-11-30
申请号:CN202111135211.2
申请日:2021-09-27
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明涉及一种基于具有短时过流能力的晶闸管的SSSC保护电路,属于电子电路领域。该保护电路包括:并联的晶闸管、金属氧化物压敏电阻MOV和变压器,SSSC通过变压器接入电网,然后MOV和晶闸管与变压器并联为SSSC提供保护;变压器中包含有电感一;与电感一依次串联的电感二和电感三;电感一位于电感二和电感三之间;通过变压器串联接入电感一的SSSC;连接在电感二和电感一之间的负载电路一;与电感三连接的负载电路二;负载电路一和负载电路二均包括并联的负载电阻、负载电感和负载电容。本发明提出将PCM集成到晶闸管的铜电极中。利用PCM熔化过程的潜热吸收功率损耗,抑制结温的过快升高,提高晶闸管过流能力。
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