公开(公告)号：CN112229879A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011129745.X

申请日：2020-10-21

Applicant: 重庆大学

Inventor： 何邕 ,  邝德琳 ,  胡伟 ,  郭学政 ,  孙霞 ,  伍志林 ,  熊恋 ,  周杨洋

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明提供一种TiO2‑Ti3C2Tx复合薄膜气体传感器及其制备方法和用途，包括TiO2‑Ti3C2Tx复合薄膜气体传感元件，所述TiO2‑Ti3C2Tx复合薄膜气体传感元件包括具有氧化铝陶瓷基底层的叉指电极和TiO2‑Ti3C2Tx敏感材料层，TiO2‑Ti3C2Tx敏感材料涂覆在所述叉指电极表面，所述的TiO2‑Ti3C2Tx敏感材料层通过在二维Ti3C2Tx纳米材料上原位生长TiO2纳米颗粒所制得的。本发明以二维Ti3C2本身为钛源，通过一步水热法合成了具有规则形貌的TiO2‑Ti3C2Tx纳米复合材料，制备过程较环保简单，是一种设备投资小，工艺流程简单的二维半导体制备方案。本发明的TiO2‑Ti3C2Tx传感器，由于材料间有效的协同作用，TiO2‑Ti3C2Tx传感器对测试气体的气敏性能均表现出增强的响应。

公开(公告)号：CN112255272A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202010960012.4

申请日：2020-09-14

Applicant: 重庆大学

Inventor： 何邕 ,  杜炳生 ,  梁承垚 ,  孙霞 ,  郭学政 ,  邝德琳 ,  伍志林

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明提供了一种气体传感器及其制备方法，其中，所述气体传感器包括叉指电极，所述气体传感器在叉指电极上覆有拓扑绝缘体薄膜；所述叉指电极的叉指宽度为100±5μm，其叉指的间隔距离为80±5μm；所述拓扑绝缘体包括硒化铋，碲化铋和碲化锑；所述覆盖在叉指电极上拓扑绝缘体薄膜的厚度为10μm‑100μm。拓扑绝缘体在其体相中显示出绝缘行为，而其表面上存在稳定的，受拓扑保护的金属态。高的表面导电性在可表现出低的信号噪声，并且能够在室温对气体进行灵敏检测。此外，当拓扑绝缘体被适当的催化金属层覆盖时，拓扑表面可作为一种有效的电子池，增强各种气体分子的吸附。这些性质使拓扑绝缘体在气敏领域表现出巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN111323457B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202010180905.7

申请日：2020-03-16

Applicant: 重庆大学

Inventor： 何邕 ,  孙霞 ,  唐孝生 ,  杨洁 ,  郭学政 ,  伍志林

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明提供基于无铅卤化物钙钛矿的气体传感器及其制备方法，(1)将1mmol CsI和2mmol CuI溶于1mL N,N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合溶剂中，在60℃下于手套箱中真空条件下搅拌1小时制得CsCu2I3前驱体溶液；(2)将100μL前驱体溶液以3000rpm的速度旋涂到清洁的金叉指电极上来形成CsCu2I3薄膜，并在最后5s将100μL乙酸甲酯滴在旋转的金叉指电极中央；(3)将薄膜在手套箱中于100℃退火1小时以蒸发残留的溶剂并促进结晶从而制成CsCu2I3气体传感器。本发明用于检测二氧化氮气体。本发明通过观测传感器电阻值的变化检测二氧化氮这种环境污染气体。

公开(公告)号：CN111323457A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN202010180905.7

申请日：2020-03-16

Applicant: 重庆大学

Inventor： 何邕 ,  孙霞 ,  唐孝生 ,  杨洁 ,  郭学政 ,  伍志林

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明提供基于无铅卤化物钙钛矿的气体传感器及其制备方法，(1)将1mmol CsI和2mmol CuI溶于1mL N,N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合溶剂中，在60℃下于手套箱中真空条件下搅拌1小时制得CsCu2I3前驱体溶液；(2)将100μL前驱体溶液以3000rpm的速度旋涂到清洁的金叉指电极上来形成CsCu2I3薄膜，并在最后5s将100μL乙酸甲酯滴在旋转的金叉指电极中央；(3)将薄膜在手套箱中于100℃退火1小时以蒸发残留的溶剂并促进结晶从而制成CsCu2I3气体传感器。本发明用于检测二氧化氮气体。本发明通过观测传感器电阻值的变化检测二氧化氮这种环境污染气体。