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公开(公告)号：CN112536034A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011316093.0
申请日：2020-11-22
Applicant: 重庆交通大学
Abstract: 本发明公开了一种CQDS/CuO@Cu2O微米球的制备方法，在常温常压下通过混合后干燥处理的方式将碳量子点负载于CuO@Cu2O微米球基体上；能有效抑制光生电子‑空穴对的复合，提高光电效率，操作简单，设备要求低，反应条件温和，成本低廉且环保，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN112536022B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011316094.5
申请日：2020-11-22
Applicant: 重庆交通大学
Abstract: 本发明公开了一种一种CQDS/Cu2S纳米花的制备方法，在恒温条件下通过混合反应并干燥的方式将CQDS负载于Cu2S纳米花基体上；通过将CQDS负载于Cu2S上，能有效抑制光生电子‑空穴对的复合，提高光电效率，操作简单，设备要求低，反应条件温和，成本低廉且环保，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN112536022A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011316094.5
申请日：2020-11-22
Applicant: 重庆交通大学
Abstract: 本发明公开了一种一种CQDS/Cu2S纳米花的制备方法，在恒温条件下通过混合反应并干燥的方式将CQDS负载于Cu2S纳米花基体上；通过将CQDS负载于Cu2S上，能有效抑制光生电子‑空穴对的复合，提高光电效率，操作简单，设备要求低，反应条件温和，成本低廉且环保，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN112536034B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202011316093.0
申请日：2020-11-22
Applicant: 重庆交通大学
Abstract: 本发明公开了一种CQDS/CuO@Cu2O微米球的制备方法，在常温常压下通过混合后干燥处理的方式将碳量子点负载于CuO@Cu2O微米球基体上；能有效抑制光生电子‑空穴对的复合，提高光电效率，操作简单，设备要求低，反应条件温和，成本低廉且环保，适用于工业化生产。
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