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公开(公告)号：CN112536034A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011316093.0
申请日：2020-11-22
Applicant: 重庆交通大学
Abstract: 本发明公开了一种CQDS/CuO@Cu2O微米球的制备方法，在常温常压下通过混合后干燥处理的方式将碳量子点负载于CuO@Cu2O微米球基体上；能有效抑制光生电子‑空穴对的复合，提高光电效率，操作简单，设备要求低，反应条件温和，成本低廉且环保，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN112536022B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011316094.5
申请日：2020-11-22
Applicant: 重庆交通大学
Abstract: 本发明公开了一种一种CQDS/Cu2S纳米花的制备方法，在恒温条件下通过混合反应并干燥的方式将CQDS负载于Cu2S纳米花基体上；通过将CQDS负载于Cu2S上，能有效抑制光生电子‑空穴对的复合，提高光电效率，操作简单，设备要求低，反应条件温和，成本低廉且环保，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN110156093B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201910462482.5
申请日：2019-05-30
Applicant: 重庆交通大学
IPC: C01G53/11
Abstract: 本发明公开了一种温和条件下高效制备硫化镍超细颗粒的方法，包括以下步骤：以单质硫和强碱为原料制备多硫化物碱溶液；以多硫化物碱溶液、镍盐为原料，在温和条件下快速制备硫化镍纳米材料。该工艺的合成温度低、压强低、产率高、产物形貌规整且稳定性好，在制备过程中无需模板剂及表面活性剂，经清洗后的硫化镍超细颗粒材料表面清洁，能最大程度的发挥其应有的功能。该方法操作简单，制备过程容易控制，适用于工业化生产，生产成本低廉且环保。本发明制备的硫化镍在工业催化剂、半导体材料、光电子材料、锂离子电池负极材料和超级电容器材料等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112536034B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202011316093.0
申请日：2020-11-22
Applicant: 重庆交通大学
Abstract: 本发明公开了一种CQDS/CuO@Cu2O微米球的制备方法，在常温常压下通过混合后干燥处理的方式将碳量子点负载于CuO@Cu2O微米球基体上；能有效抑制光生电子‑空穴对的复合，提高光电效率，操作简单，设备要求低，反应条件温和，成本低廉且环保，适用于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110152684B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201910462949.6
申请日：2019-05-30
Applicant: 重庆交通大学
Abstract: 本发明公开了一种Bi2S3@Cu2O@Cu微纳米异质结构的制备方法，包括以下步骤：通过Bi2S3纳米线复合铜氧化物在Bi2S3表面生长铜氧化物及铜单质以形成Bi2S3@Cu2O@Cu的异质结构；通过复合具有不同能级的Bi2S3和Cu2O两个半导体以及Cu单质可以有效提高太阳能的吸收率和抑制光生电子对的复合率，达到提高材料性能的目的，并通过调控反应原料比例、反应时间以实现调控异质结的密度、形貌和尺度。该方法工艺简单,反应温度相对较低，反应条件易于控制,成本低廉、操作简单，在制备过程中没有采用表面活性剂和有机助剂，反应过程中采用无毒的、常规的原料和试剂，生产成本低廉且环保。
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公开(公告)号：CN110156093A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910462482.5
申请日：2019-05-30
Applicant: 重庆交通大学
IPC: C01G53/11
Abstract: 本发明公开了一种温和条件下高效制备硫化镍超细颗粒的方法，包括以下步骤：以单质硫和强碱为原料制备多硫化物碱溶液；以多硫化物碱溶液、镍盐为原料，在温和条件下快速制备硫化镍纳米材料。该工艺的合成温度低、压强低、产率高、产物形貌规整且稳定性好，在制备过程中无需模板剂及表面活性剂，经清洗后的硫化镍超细颗粒材料表面清洁，能最大程度的发挥其应有的功能。该方法操作简单，制备过程容易控制，适用于工业化生产，生产成本低廉且环保。本发明制备的硫化镍在工业催化剂、半导体材料、光电子材料、锂离子电池负极材料和超级电容器材料等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112536022A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011316094.5
申请日：2020-11-22
Applicant: 重庆交通大学
Abstract: 本发明公开了一种一种CQDS/Cu2S纳米花的制备方法，在恒温条件下通过混合反应并干燥的方式将CQDS负载于Cu2S纳米花基体上；通过将CQDS负载于Cu2S上，能有效抑制光生电子‑空穴对的复合，提高光电效率，操作简单，设备要求低，反应条件温和，成本低廉且环保，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN110404537A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910462449.2
申请日：2019-05-30
Applicant: 重庆交通大学
Abstract: 本发明公开了一种CuO@Cu2O@Cu微纳米球的制备方法，包括以下步骤：将无机铜盐在还原剂条件下一步合成CuO@Cu2O@Cu的微纳米铜氧复合物；采用还原剂直接还原铜盐，使得二价铜离子还原成一价或者铜单质，通过控制还原剂的量，使得反应快速发生，使一价铜离子、二价铜离子及铜单质以混合物的形式共存，在常温下一步合成CuO@Cu2O@Cu微纳米球，没有采用表面活性剂和有机助剂，反应温度低，反应条件易于控制，通过调控反应原料比例、混合和搅拌的速率以及反应时间可以实现调控复合物的形貌和尺寸和复合比例，原料成本低，工艺简单易操作，容易实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN110152684A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910462949.6
申请日：2019-05-30
Applicant: 重庆交通大学
Abstract: 本发明公开了一种Bi2S3@Cu2O@Cu微纳米异质结构的制备方法，包括以下步骤：通过Bi2S3纳米线复合铜氧化物在Bi2S3表面生长铜氧化物及铜单质以形成Bi2S3@Cu2O@Cu的异质结构；通过复合具有不同能级的Bi2S3和Cu2O两个半导体以及Cu单质可以有效提高太阳能的吸收率和抑制光生电子对的复合率，达到提高材料性能的目的，并通过调控反应原料比例、反应时间以实现调控异质结的密度、形貌和尺度。该方法工艺简单,反应温度相对较低，反应条件易于控制,成本低廉、操作简单，在制备过程中没有采用表面活性剂和有机助剂，反应过程中采用无毒的、常规的原料和试剂，生产成本低廉且环保。
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