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公开(公告)号：CN112217449A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011004760.1
申请日：2020-09-22
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种双层减反射膜太阳能电池板，包括太阳能电池板本体、安装板和连接绳，所述太阳能电池板本体的左右两侧均焊接连接有安装座，且安装座的上下两侧分别开设有进水口和排水口，所述排水口的内侧贴合设置有下密封板，且下密封板的上端焊接连接有连接杆，所述连接杆的上端安装有上密封板，且连接杆的外侧连接有滑块。该双层减反射膜太阳能电池板，底部主支撑板、底杆收纳槽、底部副板和底部延伸板组成的折叠式底部安装支撑结构以及顶部主支撑板、顶杆收纳槽、顶部副板和顶部延伸板组成的折叠式顶部安装支撑结构，可快速的对太阳能电池板本体进行支撑安装，并且便于进行携带和运输，使用的便利性较高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111341664A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010164015.7
申请日：2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
IPC: H01L21/363 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属元素掺杂CuGaS2的中间带薄膜及其制备方法，制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底，再将CuGaS2靶材与过渡金属元素靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上；然后将钠钙玻璃衬底固定在载物台上抽真空；在溅射介质Ar流量为30sccm、工作压力为0.6Pa的条件下依次交替溅射CuGaS2和过渡金属元素靶材，在一定温度的钠钙玻璃衬底上沉积X-CuGaS2得到层叠膜，其中X表示过渡金属元素；最后将所述层叠膜放入退火炉中退火，最终得到X-CuGaS2中间带薄膜。本发明的过渡金属元素掺杂CuGaS2的中间带薄膜的制备方法，采用交替磁控溅射法结合保护气氛下退火处理得到纯黄铜矿结构X-CuGaS2中间带薄膜，组成元素及薄膜表面晶体颗粒尺寸分布均匀，有杂质带形成，从而提高了光吸收强度。
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公开(公告)号：CN119468518A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411655026.X
申请日：2024-11-19
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
Abstract: 本发明属于石墨烯储能设备技术领域，具体涉及一种应用于光热发电的石墨烯涂层集热管，包括外玻璃管、内玻璃管、保温橡胶塞，外玻璃管的一端为开口端，另一端为封闭端，内玻璃管套设于外玻璃管内部，保温橡胶塞设置于外玻璃管的开口端内部，且外玻璃管与内玻璃管之间为真空；内玻璃管的外壁涂覆有石墨烯涂层，石墨烯涂层的外壁设有吸热材料层，石墨烯涂层与吸热材料层之间设有第一金属电极和第二金属电极，保温橡胶塞上设有两个外接电极，其中一个外接电极与第一金属电极连接，另一个外接电极与第二金属电极连接。本发明的应用于光热发电的石墨烯涂层集热管光吸收率高，散热损失少。
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公开(公告)号：CN111233029A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010164013.8
申请日：2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
IPC: C01G15/00 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂In2S3的中间带材料的制备方法。首先称取In2S3和Cr2S3粉末样品放入球磨罐中；然后球磨罐中加入无水乙醇，密封球磨罐，然后将球磨罐放入球磨机中球磨；再将球磨后的样品取出放入离心管中做离心处理，将离心后的样品中的上层无水乙醇倒出，然后干燥，然后取出，手工研磨，然后放入退火炉中退火，退火后得到Cr-In2S3中间带材料。本发明的Cr掺杂In2S3的中间带材料的制备方法，其制备方法简单，采用球磨法结合退火处理制备了Cr-In2S3光吸收层材料，结构中各个元素符合化学计量比，组成元素分布均匀，其光反射强度低，从而导致光吸收强度强，而且能够吸收红外区的光生载流子，降低光生电子-空穴对复合。
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公开(公告)号：CN111341664B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010164015.7
申请日：2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
IPC: H01L21/363 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属元素掺杂CuGaS2的中间带薄膜及其制备方法，制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底，再将CuGaS2靶材与过渡金属元素靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上；然后将钠钙玻璃衬底固定在载物台上抽真空；在溅射介质Ar流量为30sccm、工作压力为0.6Pa的条件下依次交替溅射CuGaS2和过渡金属元素靶材，在一定温度的钠钙玻璃衬底上沉积X‑CuGaS2得到层叠膜，其中X表示过渡金属元素；最后将所述层叠膜放入退火炉中退火，最终得到X‑CuGaS2中间带薄膜。本发明的过渡金属元素掺杂CuGaS2的中间带薄膜的制备方法，采用交替磁控溅射法结合保护气氛下退火处理得到纯黄铜矿结构X‑CuGaS2中间带薄膜，组成元素及薄膜表面晶体颗粒尺寸分布均匀，有杂质带形成，从而提高了光吸收强度。
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公开(公告)号：CN111233029B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202010164013.8
申请日：2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
IPC: C01G15/00 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂In2S3的中间带材料的制备方法。首先称取In2S3和Cr2S3粉末样品放入球磨罐中；然后球磨罐中加入无水乙醇，密封球磨罐，然后将球磨罐放入球磨机中球磨；再将球磨后的样品取出放入离心管中做离心处理，将离心后的样品中的上层无水乙醇倒出，然后干燥，然后取出，手工研磨，然后放入退火炉中退火，退火后得到Cr‑In2S3中间带材料。本发明的Cr掺杂In2S3的中间带材料的制备方法，其制备方法简单，采用球磨法结合退火处理制备了Cr‑In2S3光吸收层材料，结构中各个元素符合化学计量比，组成元素分布均匀，其光反射强度低，从而导致光吸收强度强，而且能够吸收红外区的光生载流子，降低光生电子‑空穴对复合。
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