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公开(公告)号：CN111004622B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201911191890.8
申请日：2019-11-28
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明属于生物传感器技术领域，特别是指一种检测多巴胺的高灵敏荧光探针的制备方法及其应用。将带有An长度的适体加入TCEP的醋酸缓冲液中，然后与AuNPs溶液混合反应，孵育18h以上，再加入1×PBS调整溶液，孵育6‑8h，然后分两次加入NaCl溶液，静置后离心三次，每次离心混合物用PBS溶液清洗两次，然后将沉淀重新分散在PBS溶液中，加入FAM‑DNA，振荡反应，得高灵敏荧光探针；该方法通过金属增强荧光效应提高传感器的灵敏度，通过加入氧化石墨烯在减少离心过程的同时，实现传感器灵敏度的更高幅度增加。
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公开(公告)号：CN115109411B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210774480.1
申请日：2022-07-01
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明提出了一种增强碳量子点荧光的碳量子点/硫醇‑烯复合材料及其制备方法和应用，用以解决传统高分子碳量子点复合材料发光强度低、易发生荧光猝灭的技术问题。包括以下步骤：将碳量子点分散在机溶剂中，配置得到油相碳量子点；将光凝固剂、油相碳量子点和硫醇单体依次溶解在烯丙基单体中，制得混合溶液；混合溶液中的气泡排除，随后利用紫外光的照射来诱导凝固剂固化混合溶液，得碳量子点/硫醇‑烯复合材料。本发明还公布了碳量子点/硫醇‑烯复合材料在波长转换装置中的应用。本发明得到的固化物韧性好，透明度高，并且富有弹性。对比固化前后在405 nm~465 nm激发波长下的荧光强度，发现荧光强度增强了5~7倍。
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公开(公告)号：CN115855878A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211669540.X
申请日：2022-12-24
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明属于精密测量领域，涉及一种基于面内光子自旋霍尔效应的偏振态调制型纳米级薄膜折射率测量方法及其应用。通过建立不同厚度的薄膜材料在各折射率下，面内光子自旋分裂位移随入射偏振态变化的数据库；将待检测的纳米级薄膜放到样品台上，在某入射角下，依次采集不同入射偏振态时面内光子自旋分裂位移的测量数据。将该测量数据与数据库中的相应理论数据进行比对，进而确定被测纳米级薄膜的折射率。本发明的检测系统结构简单、易于操作，且测量时调制的是入射偏振态而非入射角，因此，测量过程中不会引入因入射角变动而引起的偏心误差。此外，该方法测量的是光斑质心的偏移，其不受环境光的影响，因而该方法具有测量精度高和稳定性好等优点。
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公开(公告)号：CN112630439A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011437992.6
申请日：2020-12-11
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: G01N33/58 , G01N33/573 , G01N21/64
Abstract: 本发明属于传感器领域，涉及分裂型适体传感器，特别是指基于纳米金的分裂型适体传感器及其制备方法和应用。本申请基于能量转移原理，利用纳米金淬灭FAM荧光基团；结合分裂型核酸适体识别机制，构建了一种基于纳米金的高灵敏分裂型适体传感器。对传感器制备条件进行实验优化，如AuNPs与P2的结合过程中的柠檬酸钠用量、AuNPs与P2的比例、工作溶液的稳定时间等。利用优化后的工作溶液检测ATP，结果表明该传感器检测范围为30pmol/L到15 nmol/L，高灵敏线性检测范围为30pmol/L到3330pmol/L，检出限为30pmol/L，且具有良好的特异性，是一种极具应用潜力的分裂型适体传感器。
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公开(公告)号：CN111004622A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911191890.8
申请日：2019-11-28
Applicant: 郑州轻工业大学
Abstract: 本发明属于生物传感器技术领域，特别是指一种检测多巴胺的高灵敏荧光探针的制备方法及其应用。将带有An长度的适体加入TCEP的醋酸缓冲液中，然后与AuNPs溶液混合反应，孵育18h以上，再加入1×PBS调整溶液，孵育6-8h，然后分两次加入NaCl溶液，静置后离心三次，每次离心混合物用PBS溶液清洗两次，然后将沉淀重新分散在PBS溶液中，加入FAM-DNA，振荡反应，得高灵敏荧光探针；该方法通过金属增强荧光效应提高传感器的灵敏度，通过加入氧化石墨烯在减少离心过程的同时，实现传感器灵敏度的更高幅度增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118409085A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410513596.9
申请日：2024-04-26
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: G01N33/543
Abstract: 本发明属于分析化学领域，涉及铅离子试纸条的制备，特别是指一种横向流动试纸条及其制备方法和应用。本申请利用G四链体与铅离子的相互作用构建了一种检测铅离子浓度的横向流动试纸条。利用铅离子会诱导特定的碱基序列形成G‑四链体结构的特征，设计并制备了一种用于水环境中铅离子检测的横向流动试纸条。无铅离子时，富G序列与其互补链（antiG4）呈双链结构；有铅离子时，铅离子会诱导双链中的富G序列形成G四链体结构，释放出antiG4单链。随着溶液在试纸条上层析，antiG4一端与含有纳米金的识别元件结合，而另一端与测试线探针结合，形成夹心结构，测试线的颜色变化与铅离子浓度成正相关。为水环境中残留铅离子的现场检测提供了一种便携式、简单易用的新方法。
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公开(公告)号：CN115274907B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202210911667.1
申请日：2022-07-30
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/028 , H01L31/0352
Abstract: 本发明属于光电子硅基集成电路技术领域，涉及带有张应变薄膜的中红外GeSn发光器，包括由下至上依次设置的：衬底层、赝衬底层、驰豫层、有源区；驰豫层为n+型GeSn驰豫层，有源区由下至上依次为n+型GeSn层、本征GeSn层和p+型GeSn层；有源区为空心圆柱，有源区周围包裹一层应变薄膜；在p+型GeSn层上设置第一金属电极，在驰豫层顶端、有源区外侧设置第二金属电极。发光器制备过程中应变薄膜内残余应力释放，向有源区引入张应变，有源区张应变的引入使导带Γ能谷比L能谷更加剧烈下降，促进GeSn合金向直接带隙材料转变，器件发光波长向中红外2～5μm拓展，并有效提高GeSn发光效率。
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公开(公告)号：CN113340864B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110631071.1
申请日：2021-06-07
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明属于传感器领域，涉及胰岛素的检测，特别是指基于MEF效应二次放大INS信号的适体传感器及其制备方法和应用。基于MEF效应，构建了用于检测INS的AuNPs@PloyAn‑aptamer@Cy3‑DNA荧光增强型适体传感器。该传感器通过双链DNA提供的刚性结构实现荧光增强，并利用核酸适体可与靶目标特异性结合的实现了荧光信号的二次放大，对血清中的INS实现了较低浓度检测。本发明所构建的荧光适体传感器在检测真实人体血清中的胰岛素方面具有很高的重复性，且具有很高的精密性，可用于实际复杂生物样品中的INS检测。
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公开(公告)号：CN115274907A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210911667.1
申请日：2022-07-30
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/028 , H01L31/0352
Abstract: 本发明属于光电子硅基集成电路技术领域，涉及带有张应变薄膜的中红外GeSn发光器，包括由下至上依次设置的：衬底层、赝衬底层、驰豫层、有源区；驰豫层为n+型GeSn驰豫层，有源区由下至上依次为n+型GeSn层、本征GeSn层和p+型GeSn层；有源区为空心圆柱，有源区周围包裹一层应变薄膜；在p+型GeSn层上设置第一金属电极，在驰豫层顶端、有源区外侧设置第二金属电极。发光器制备过程中应变薄膜内残余应力释放，向有源区引入张应变，有源区张应变的引入使导带Γ能谷比L能谷更加剧烈下降，促进GeSn合金向直接带隙材料转变，器件发光波长向中红外2～5μm拓展，并有效提高GeSn发光效率。
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公开(公告)号：CN113340864A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110631071.1
申请日：2021-06-07
Applicant: 郑州轻工业大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明属于传感器领域，涉及胰岛素的检测，特别是指基于MEF效应二次放大INS信号的适体传感器及其制备方法和应用。基于MEF效应，构建了用于检测INS的AuNPs@PloyAn‑aptamer@Cy3‑DNA荧光增强型适体传感器。该传感器通过双链DNA提供的刚性结构实现荧光增强，并利用核酸适体可与靶目标特异性结合的实现了荧光信号的二次放大，对血清中的INS实现了较低浓度检测。本发明所构建的荧光适体传感器在检测真实人体血清中的胰岛素方面具有很高的重复性，且具有很高的精密性，可用于实际复杂生物样品中的INS检测。
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