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公开(公告)号:CN119287174A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202411314791.5
申请日:2024-09-20
Abstract: 本发明公开了一种去除金属钴中杂质氧的方法,属于金属材料加工技术领域,解决了现有技术的工艺难以深度去除钴中氧、无法获得超高纯度钴的问题。该方法包括以下步骤:步骤S1,对金属钴原料进行预处理,获得洁净的待处理金属钴;步骤S2,对待处理金属钴进行真空电子束熔炼,得到金属钴铸锭;其中,在真空电子束熔炼过程中引入氢气,使氢气及其经由电子束电离形成的氢原子与熔炼形成的金属钴熔滴表面的氧反应,以熔炼得到低氧含量的金属钴铸锭。本发明的方法通过电子束滴熔技术结合氢还原去除金属钴中的氧,增加了熔滴中氧脱除的驱动力,从而实现金属钴中杂质氧的深度去除。
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公开(公告)号:CN119194090A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411309489.0
申请日:2024-09-19
Abstract: 本发明提供一种高温合金粉末返回料的净化方法,先将高温合金粉末返回料放置在坩埚底部,然后将同牌号的与坩埚相同尺寸的合金块覆盖在粉末的上方,采用电子束精炼工艺进行精炼,得到高温合金铸锭。本发明方法解决了高温合金粉末返回料,尤其是粗粒径粉末返回料难以直接重熔净化,或重熔后杂质含量高的问题。利用电子束熔炼技术高温、高真空及洁净无污染的特点,有效脱除了高温合金粉末返回料中的O、N等杂质。
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