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公开(公告)号：CN118547159A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410617462.1
申请日：2024-05-17
Abstract: 本发明提供一种电子束熔炼提高金属钨纯净度的方法，包括如下步骤：S1、金属钨原料的预处理：选用钨粉、钨块或者钨棒为金属钨原料；S2、电子束熔炼制备超纯净金属钨铸锭。本发明与传统方法相比，能进一步降低金属钨铸锭中Fe、Si、Ni、K、Na等杂质的含量，在提高铸锭致密度的同时，能够获得高纯度的金属钨材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118547160A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410617470.6
申请日：2024-05-17
Abstract: 本发明提供一种去除金属钨中杂质碳的方法，包括如下步骤：S1、金属钨原料的预处理：选用粉末冶金制备的钨棒或钨块作为金属钨原料；S2、电子束熔炼制备低碳含量金属钨铸锭。本发明相对于传统的粉末冶金工艺，所制备的金属钨铸锭碳含量更低，铸锭的致密度更高，可以获得超纯净、超低碳含量的铸锭。
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公开(公告)号：CN119194090A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411309489.0
申请日：2024-09-19
Abstract: 本发明提供一种高温合金粉末返回料的净化方法，先将高温合金粉末返回料放置在坩埚底部，然后将同牌号的与坩埚相同尺寸的合金块覆盖在粉末的上方，采用电子束精炼工艺进行精炼，得到高温合金铸锭。本发明方法解决了高温合金粉末返回料，尤其是粗粒径粉末返回料难以直接重熔净化，或重熔后杂质含量高的问题。利用电子束熔炼技术高温、高真空及洁净无污染的特点，有效脱除了高温合金粉末返回料中的O、N等杂质。
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公开(公告)号：CN119287174A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411314791.5
申请日：2024-09-20
Abstract: 本发明公开了一种去除金属钴中杂质氧的方法，属于金属材料加工技术领域，解决了现有技术的工艺难以深度去除钴中氧、无法获得超高纯度钴的问题。该方法包括以下步骤：步骤S1，对金属钴原料进行预处理，获得洁净的待处理金属钴；步骤S2，对待处理金属钴进行真空电子束熔炼，得到金属钴铸锭；其中，在真空电子束熔炼过程中引入氢气，使氢气及其经由电子束电离形成的氢原子与熔炼形成的金属钴熔滴表面的氧反应，以熔炼得到低氧含量的金属钴铸锭。本发明的方法通过电子束滴熔技术结合氢还原去除金属钴中的氧，增加了熔滴中氧脱除的驱动力，从而实现金属钴中杂质氧的深度去除。
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公开(公告)号：CN119733839A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411940668.4
申请日：2024-12-26
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明涉及一种电子束熔炼‑超声雾化制粉系统及方法，属于金属粉末材料的制备技术领域，解决了现有金属粉末制备技术中高熔点金属粉末难制备、介质引入导致粉末纯度低和成本高、粉末球形度低、粒径不可控等问题。所述电子束熔炼‑超声雾化制粉系统包括：电子束系统、真空系统、冷却系统、超声波制粉系统和集粉系统。利用所述系统可实现高真空条件下制粉，避免介质引入并促进杂质脱除，有利于获得低氧超纯净粉体；电子束的能量密度高，可成功实现高熔点金属粉末的制备；超声雾化使金属粉末球形度高、粒径可控、缺陷少，特别适合难熔金属(如W、Mo、Ta)和活性金属(如Ti、Nb、Co、V)超纯粉末的制备。
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