公开(公告)号：CN101244800A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810074207.8

申请日：2008-02-13

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·D·阿瑟 ,  A·埃拉塞尔 ,  J·I·赖特 ,  K·苏布拉马尼安 ,  C·F·凯梅尔 ,  A·V·高达

IPC: B81B7/00 ,  H01H59/00 ,  B81C3/00 ,  B81C5/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01H9/52 ,  H01L24/24 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  Y10T29/49105 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及功率覆盖结构及其制作方法。本发明的一个实施例包括一种MEMS结构，该MEMS结构进一步包括：MEMS器件(240)，其具有其上带有一个或多个连接到MEMS器件(240)的MEMS元件的接触结构(244、245和246)的第一表面；覆盖第一表面在其中限定了开口的介电层(100)，接触结构(244、245和246)通过该开口被暴露；包含从接触结构(244、245和246)延伸通过介电层(100)中的开口并且到达介电层(100)的表面之上的导电材料(174－179)的图案化的金属化层(254、255和256)；以及与金属化层(254、255和256)热连通的第一热沉(190)。

公开(公告)号：CN101989615A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN201010251981.9

申请日：2010-08-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·A·罗西 ,  S·D·阿瑟 ,  D·M·布朗 ,  K·S·马托查 ,  R·R·劳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/1608

Abstract: 提供包括碳化硅(SiC)的半导体结构(100)和器件以及用于制作其的方法。该结构(100)和器件包括基底或屏蔽层(116)、沟道(118)和表面层(120)，它们都可取地通过离子注入形成。因此，本发明提供的结构和器件是硬“常截止”器件，即，呈现大于大约3伏特的阈值电压。