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公开(公告)号：CN102005213A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010277335.X
申请日：2010-08-31
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·纳塔拉延 , E·P·博登 , 陈国邦 , P·J·麦克洛斯基 , V·P·奥斯特罗弗霍夫 , E·M·金 , D·G·加斯科伊恩 , R·J·佩里 , R·P·让-吉勒斯 , J·L·李 , B·L·劳伦斯
IPC: G11B7/0065 , G11B7/245
CPC classification number: G11B7/245 , G03F7/001 , G03F7/027 , G03F7/0388 , G03H1/02 , G03H2001/0264 , G11B7/24044
Abstract: 本发明提供了光学数据存储介质及使用其进行光学数据存储的方法。所述光学数据存储介质包含非线性敏化剂，所述非线性敏化剂能吸收光化辐射而导致向反应物的上能级三线态能量传递，其中所述反应物在三线态激发时将发生变化。所述介质的折射率变化(Δn)至少为约0.005，或甚至至少为约0.05。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102005220A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010277377.3
申请日：2010-08-31
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·纳塔拉延 , 陈国邦 , R·P·让-吉勒斯 , R·J·佩里 , V·P·奥斯特罗弗霍夫 , E·M·金 , J·L·李 , E·P·博登 , P·J·麦克洛斯基 , B·L·劳伦斯
IPC: G11B7/24 , G11B7/0065
CPC classification number: G11B7/245 , G03F7/001 , G03F7/029 , G03F7/2053 , G03H1/02 , G03H2001/026 , G03H2001/0264 , G11B7/0065 , G11B7/24044 , G11B7/249 , G11B2007/24905
Abstract: 本发明提供了组合物、光学数据存储介质和使用所述光学数据存储介质的方法。所述组合物包含非线性敏化剂，所述非线性敏化剂包含一种或多种能吸收光化辐射而导致向反应物的上能级三线态能量传递的亚酞菁反饱和吸收体，其中所述反应物在三线态激发时将发生光化学变化。
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公开(公告)号：CN102005213B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201010277335.X
申请日：2010-08-31
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·纳塔拉延 , E·P·博登 , 陈国邦 , P·J·麦克洛斯基 , V·P·奥斯特罗弗霍夫 , E·M·金 , D·G·加斯科伊恩 , R·J·佩里 , R·P·让-吉勒斯 , J·L·李 , B·L·劳伦斯
IPC: G11B7/0065 , G11B7/245
CPC classification number: G11B7/245 , G03F7/001 , G03F7/027 , G03F7/0388 , G03H1/02 , G03H2001/0264 , G11B7/24044
Abstract: 本发明提供了光学数据存储介质及使用其进行光学数据存储的方法。所述光学数据存储介质包含非线性敏化剂，所述非线性敏化剂能吸收光化辐射而导致向反应物的上能级三线态能量传递，其中所述反应物在三线态激发时将发生变化。所述介质的折射率变化(Δn)至少为约0.005，或甚至至少为约0.05。
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公开(公告)号：CN102005220B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201010277377.3
申请日：2010-08-31
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·纳塔拉延 , 陈国邦 , R·P·让-吉勒斯 , R·J·佩里 , V·P·奥斯特罗弗霍夫 , E·M·金 , J·L·李 , E·P·博登 , P·J·麦克洛斯基 , B·L·劳伦斯
IPC: G11B7/24 , G11B7/0065
CPC classification number: G11B7/245 , G03F7/001 , G03F7/029 , G03F7/2053 , G03H1/02 , G03H2001/026 , G03H2001/0264 , G11B7/0065 , G11B7/24044 , G11B7/249 , G11B2007/24905
Abstract: 本发明提供了组合物、光学数据存储介质和使用所述光学数据存储介质的方法。所述组合物包含非线性敏化剂，所述非线性敏化剂包含一种或多种能吸收光化辐射而导致向反应物的上能级三线态能量传递的亚酞菁反饱和吸收体，其中所述反应物在三线态激发时将发生光化学变化。
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公开(公告)号：CN102005222B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201010277283.6
申请日：2010-08-31
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·纳塔拉延 , R·P·让-吉勒斯 , 陈国邦 , R·J·佩里 , V·P·奥斯特罗弗霍夫 , E·M·金 , 李林庆怀 , E·P·博登 , P·J·麦克罗斯基 , B·L·劳伦斯
IPC: G11B7/244 , G11B7/245 , C08L101/00 , G11B7/0065
CPC classification number: G11B7/245 , G02B1/04 , G03F7/001 , G03F7/027 , G03F7/0388 , G03H1/02 , G03H2001/026 , G03H2001/0264 , G11B7/24044
Abstract: 本发明提供了组合物、光学数据存储介质和使用所述光学数据存储的方法。所述组合物包含非线性敏化剂，所述非线性敏化剂包含一种或多种能吸收光化辐射而导致向反应物的上能级三线态能量传递的铂乙炔基络合物，其中所述反应物在三线态激发时将发生光化学变化。
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公开(公告)号：CN102005222A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010277283.6
申请日：2010-08-31
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·纳塔拉延 , R·P·让-吉勒斯 , 陈国邦 , R·J·佩里 , V·P·奥斯特罗弗霍夫 , E·M·金 , 李林庆怀 , E·P·博登 , P·J·麦克罗斯基 , B·L·劳伦斯
IPC: G11B7/244 , G11B7/245 , C08L101/00 , G11B7/0065
CPC classification number: G11B7/245 , G02B1/04 , G03F7/001 , G03F7/027 , G03F7/0388 , G03H1/02 , G03H2001/026 , G03H2001/0264 , G11B7/24044
Abstract: 本发明提供了组合物、光学数据存储介质和使用所述光学数据存储的方法。所述组合物包含非线性敏化剂，所述非线性敏化剂包含一种或多种能吸收光化辐射而导致向反应物的上能级三线态能量传递的铂乙炔基络合物，其中所述反应物在三线态激发时将发生光化学变化。
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