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公开(公告)号：CN102005213B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201010277335.X
申请日：2010-08-31
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·纳塔拉延 , E·P·博登 , 陈国邦 , P·J·麦克洛斯基 , V·P·奥斯特罗弗霍夫 , E·M·金 , D·G·加斯科伊恩 , R·J·佩里 , R·P·让-吉勒斯 , J·L·李 , B·L·劳伦斯
IPC: G11B7/0065 , G11B7/245
CPC classification number: G11B7/245 , G03F7/001 , G03F7/027 , G03F7/0388 , G03H1/02 , G03H2001/0264 , G11B7/24044
Abstract: 本发明提供了光学数据存储介质及使用其进行光学数据存储的方法。所述光学数据存储介质包含非线性敏化剂，所述非线性敏化剂能吸收光化辐射而导致向反应物的上能级三线态能量传递，其中所述反应物在三线态激发时将发生变化。所述介质的折射率变化(Δn)至少为约0.005，或甚至至少为约0.05。
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公开(公告)号：CN102005213A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010277335.X
申请日：2010-08-31
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·纳塔拉延 , E·P·博登 , 陈国邦 , P·J·麦克洛斯基 , V·P·奥斯特罗弗霍夫 , E·M·金 , D·G·加斯科伊恩 , R·J·佩里 , R·P·让-吉勒斯 , J·L·李 , B·L·劳伦斯
IPC: G11B7/0065 , G11B7/245
CPC classification number: G11B7/245 , G03F7/001 , G03F7/027 , G03F7/0388 , G03H1/02 , G03H2001/0264 , G11B7/24044
Abstract: 本发明提供了光学数据存储介质及使用其进行光学数据存储的方法。所述光学数据存储介质包含非线性敏化剂，所述非线性敏化剂能吸收光化辐射而导致向反应物的上能级三线态能量传递，其中所述反应物在三线态激发时将发生变化。所述介质的折射率变化(Δn)至少为约0.005，或甚至至少为约0.05。
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公开(公告)号：CN102005220A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010277377.3
申请日：2010-08-31
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·纳塔拉延 , 陈国邦 , R·P·让-吉勒斯 , R·J·佩里 , V·P·奥斯特罗弗霍夫 , E·M·金 , J·L·李 , E·P·博登 , P·J·麦克洛斯基 , B·L·劳伦斯
IPC: G11B7/24 , G11B7/0065
CPC classification number: G11B7/245 , G03F7/001 , G03F7/029 , G03F7/2053 , G03H1/02 , G03H2001/026 , G03H2001/0264 , G11B7/0065 , G11B7/24044 , G11B7/249 , G11B2007/24905
Abstract: 本发明提供了组合物、光学数据存储介质和使用所述光学数据存储介质的方法。所述组合物包含非线性敏化剂，所述非线性敏化剂包含一种或多种能吸收光化辐射而导致向反应物的上能级三线态能量传递的亚酞菁反饱和吸收体，其中所述反应物在三线态激发时将发生光化学变化。
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公开(公告)号：CN102592613B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201110463087.2
申请日：2011-12-14
Applicant: 通用电气公司
IPC: G11B7/0065 , G11B7/26
CPC classification number: G03H1/0248 , B82Y10/00 , G03H2001/0264 , G03H2240/24 , G03H2240/54 , G03H2260/12 , G03H2260/14 , G11B7/00454 , G11B7/00772 , G11B7/24044 , G11B7/244 , G11B7/245 , G11B7/246
Abstract: 本发明提供了一种光学数据存储介质。所述光学数据存储介质包含聚合物基体；反应物，其在三线态激发时能发生变化，从而导致折光指数变化；和非线性敏化剂，其能吸收光化辐射而导致上级三线态能量转移到所述反应物。所述介质的折光指数变化能力为至少约0.005。所述非线性敏化剂包括三芳基甲烷染料。
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公开(公告)号：CN102881296B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210346611.2
申请日：2012-06-21
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·纳塔拉延 , E·P·博登 , D·V·戴罗夫 , E·M·金 , 陈国邦 , V·K·帕鲁楚鲁 , V·P·奥斯特罗弗霍夫 , M·J·米斯纳 , J·E·皮克特 , P·J·麦克罗斯基
IPC: G11B7/0065 , G11B7/1353 , G11B7/241 , G11B7/245
CPC classification number: G11B7/0065 , G11B7/24044 , G11B7/245 , G11B7/246
Abstract: 根据本发明的一个方面，提供了在光学数据存储介质中记录全息数据的方法。所述方法包括(i)提供包含以下各物的光学数据存储介质：(a)热塑性聚合物基质、(b)潜在酸发生剂、(c)非线性敏化剂和(d)包含潜在发色团的反应物。所述方法进一步包括：(ii)用干涉图案照射所述光学数据存储介质的体积单元，所述干涉图案包括具有足以引起上能级三线态能量从所述非线性敏化剂转移到所述潜在酸发生剂的波长和强度的入射辐射，由此产生酸，其中所述潜在酸发生剂对所述入射辐射基本没有响应。所述方法另外包括：(iii)使至少一种受保护的发色团与所产生的酸反应以形成至少一种发色团，由此引起在所述体积单元内的折射指数变化；和(iv)在被照射的体积单元内产生对应于所述干涉图案的折射指数变化，由此产生可光学读取的数据。本发明还提供了光学数据存储介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102005220B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201010277377.3
申请日：2010-08-31
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·纳塔拉延 , 陈国邦 , R·P·让-吉勒斯 , R·J·佩里 , V·P·奥斯特罗弗霍夫 , E·M·金 , J·L·李 , E·P·博登 , P·J·麦克洛斯基 , B·L·劳伦斯
IPC: G11B7/24 , G11B7/0065
CPC classification number: G11B7/245 , G03F7/001 , G03F7/029 , G03F7/2053 , G03H1/02 , G03H2001/026 , G03H2001/0264 , G11B7/0065 , G11B7/24044 , G11B7/249 , G11B2007/24905
Abstract: 本发明提供了组合物、光学数据存储介质和使用所述光学数据存储介质的方法。所述组合物包含非线性敏化剂，所述非线性敏化剂包含一种或多种能吸收光化辐射而导致向反应物的上能级三线态能量传递的亚酞菁反饱和吸收体，其中所述反应物在三线态激发时将发生光化学变化。
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公开(公告)号：CN102005222B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201010277283.6
申请日：2010-08-31
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·纳塔拉延 , R·P·让-吉勒斯 , 陈国邦 , R·J·佩里 , V·P·奥斯特罗弗霍夫 , E·M·金 , 李林庆怀 , E·P·博登 , P·J·麦克罗斯基 , B·L·劳伦斯
IPC: G11B7/244 , G11B7/245 , C08L101/00 , G11B7/0065
CPC classification number: G11B7/245 , G02B1/04 , G03F7/001 , G03F7/027 , G03F7/0388 , G03H1/02 , G03H2001/026 , G03H2001/0264 , G11B7/24044
Abstract: 本发明提供了组合物、光学数据存储介质和使用所述光学数据存储的方法。所述组合物包含非线性敏化剂，所述非线性敏化剂包含一种或多种能吸收光化辐射而导致向反应物的上能级三线态能量传递的铂乙炔基络合物，其中所述反应物在三线态激发时将发生光化学变化。
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公开(公告)号：CN102005222A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010277283.6
申请日：2010-08-31
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·纳塔拉延 , R·P·让-吉勒斯 , 陈国邦 , R·J·佩里 , V·P·奥斯特罗弗霍夫 , E·M·金 , 李林庆怀 , E·P·博登 , P·J·麦克罗斯基 , B·L·劳伦斯
IPC: G11B7/244 , G11B7/245 , C08L101/00 , G11B7/0065
CPC classification number: G11B7/245 , G02B1/04 , G03F7/001 , G03F7/027 , G03F7/0388 , G03H1/02 , G03H2001/026 , G03H2001/0264 , G11B7/24044
Abstract: 本发明提供了组合物、光学数据存储介质和使用所述光学数据存储的方法。所述组合物包含非线性敏化剂，所述非线性敏化剂包含一种或多种能吸收光化辐射而导致向反应物的上能级三线态能量传递的铂乙炔基络合物，其中所述反应物在三线态激发时将发生光化学变化。
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公开(公告)号：CN102881296A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210346611.2
申请日：2012-06-21
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A·纳塔拉延 , E·P·博登 , D·V·戴罗夫 , E·M·金 , 陈国邦 , V·K·帕鲁楚鲁 , V·P·奥斯特罗弗霍夫 , M·J·米斯纳 , J·E·皮克特 , P·J·麦克罗斯基
IPC: G11B7/0065 , G11B7/1353 , G11B7/241 , G11B7/245
CPC classification number: G11B7/0065 , G11B7/24044 , G11B7/245 , G11B7/246
Abstract: 根据本发明的一个方面，提供了在光学数据存储介质中记录全息数据的方法。所述方法包括(i)提供包含以下各物的光学数据存储介质：(a)热塑性聚合物基质、(b)潜在酸发生剂、(c)非线性敏化剂和(d)包含潜在发色团的反应物。所述方法进一步包括：(ii)用干涉图案照射所述光学数据存储介质的体积单元，所述干涉图案包括具有足以引起上能级三线态能量从所述非线性敏化剂转移到所述潜在酸发生剂的波长和强度的入射辐射，由此产生酸，其中所述潜在酸发生剂对所述入射辐射基本没有响应。所述方法另外包括：(iii)使至少一种受保护的发色团与所产生的酸反应以形成至少一种发色团，由此引起在所述体积单元内的折射指数变化；和(iv)在被照射的体积单元内产生对应于所述干涉图案的折射指数变化，由此产生可光学读取的数据。本发明还提供了光学数据存储介质。
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公开(公告)号：CN102737658A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210107797.6
申请日：2012-04-05
Applicant: 通用电气公司
IPC: G11B7/0065 , G11B7/1275 , G11B7/245
CPC classification number: G11B7/0065 , G11B7/1275 , G11B2007/0013
Abstract: 本发明涉及多波长全息系统和方法。提供用于记录并且读取信息的全息系统。该系统包括用于提供激光束的至少一个激光器。该系统还包括子系统，其配置为用于所述全息系统的多波长操作并且在全息介质的大致上不重叠的体积中以不同的波长记录微全息图。
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