公开(公告)号：CN102569319B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201110429407.2

申请日：2011-12-09

Applicant: 通用电气公司

Inventor： G·S·泽曼 ,  J·考策尔 ,  F·塞伊德

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463

Abstract: 本发明涉及光电传感器组件及用于提供光电传感器组件的方法。光电二极管组件包括半导体衬底、光电二极管单元、接地扩散区和保护带。该光电二极管单元包括衬底的用第一类型掺杂剂掺杂的第一体积。该接地扩散区包括衬底的用第二、相反类型掺杂剂掺杂的第二体积。该保护带设置在该衬底中并且至少部分围绕该光电二极管单元的外围延伸。该保护带包括衬底的用该第一类型掺杂剂掺杂的第三体积。该接地扩散区或该保护带中的至少一个与接地参考传导地耦合以传导从该光电二极管单元漂移通过该衬底的电子或空穴中的一个或多个。该保护带可比该接地扩散区更接近该光电二极管设置。

公开(公告)号：CN102569319A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110429407.2

申请日：2011-12-09

Applicant: 通用电气公司

Inventor： G·S·泽曼 ,  J·考策尔 ,  F·塞伊德

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463

Abstract: 本发明涉及光电传感器组件及用于提供光电传感器组件的方法。光电二极管组件包括半导体衬底、光电二极管单元、接地扩散区和保护带。该光电二极管单元包括衬底的用第一类型掺杂剂掺杂的第一体积。该接地扩散区包括衬底的用第二、相反类型掺杂剂掺杂的第二体积。该保护带设置在该衬底中并且至少部分围绕该光电二极管单元的外围延伸。该保护带包括衬底的用该第一类型掺杂剂掺杂的第三体积。该接地扩散区或该保护带中的至少一个与接地参考传导地耦合以传导从该光电二极管单元漂移通过该衬底的电子或空穴中的一个或多个。该保护带可比该接地扩散区更接近该光电二极管设置。