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公开(公告)号：CN1947660A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200510124985.X
申请日：2005-10-14
Applicant: 通用电气公司
Inventor： G·S·泽曼 , B·Z·巴布 , M·R·纳拉亚纳斯瓦米 , D·M·霍夫曼 , B·J·格雷夫斯
CPC classification number: H01L2224/73204 , H01L2924/01322
Abstract: 一种用计算机处理的断层摄影成像扫描器(10)模块，包括多个闪烁体(156)，与闪烁体(156)光学耦合的多个背光照明光电二极管，具有多个基底导电体的多层基底(204)，光电二极管与该多个基底导电体电耦合，其中多个基底导体中的每一个连接到一个不同的背光照明光电二极管上，以及具有多个挠性导电体的挠性电缆(308)，该基底与该多个挠性导电体电耦合，其中多个挠性导电体中的每一个连接到多层基底的不同输出端。
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公开(公告)号：CN1892250A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610099649.9
申请日：2006-06-29
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/24
Abstract: 根据本技术的实施，公开了一种探测器(18)。该探测器包含光电探测器阵列(44)和衬底层(50)。该光电探测器阵列包含多个光电二极管以及电绝缘该多个光电二极管的每个光电二极管的沟槽结构(81)或扩散栅格。该多个光电二极管和沟槽结构或深扩散栅格置于该光电探测器阵列的第一表面上，与第一表面相对的第二表面键合到衬底层。该衬底层通常由和光电探测器阵列相同的半导体材料制成，但制成衬底层的半导体材料是重掺杂且是导电的，从而提供与光电探测器阵列的阴极接触并提供机械支持。
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公开(公告)号：CN106324653B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201610637585.7
申请日：2016-06-01
Applicant: 通用电气公司
IPC: G01T1/20
Abstract: 在一个实施例中，提供了一种辐射检测器。所述辐射检测器包括闪烁体层，其将入射的辐射转换为更低能量的光量子。所述闪烁体层包括多个由一个或多个分隔物形成的像素，并且所述一个或多个分隔物形成了一条或多条穿过所述闪烁体层的辐射路径。所述辐射检测器还包括光电检测器层，其检测由闪烁体层内的多个像素生成的更低能量的光子，和接收由光电检测器层生成的信号的信号电子设备。所述辐射检测器还包括一个或多个阻挡层，其设置在光电检测器层和信号电子设备之间。所述一个或多个阻挡层中的每个阻挡层包括导电通孔，其包括阻挡来自一条或多条辐射路径的的辐射以免到达信号电子设备的高Z材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102569319B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201110429407.2
申请日：2011-12-09
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及光电传感器组件及用于提供光电传感器组件的方法。光电二极管组件包括半导体衬底、光电二极管单元、接地扩散区和保护带。该光电二极管单元包括衬底的用第一类型掺杂剂掺杂的第一体积。该接地扩散区包括衬底的用第二、相反类型掺杂剂掺杂的第二体积。该保护带设置在该衬底中并且至少部分围绕该光电二极管单元的外围延伸。该保护带包括衬底的用该第一类型掺杂剂掺杂的第三体积。该接地扩散区或该保护带中的至少一个与接地参考传导地耦合以传导从该光电二极管单元漂移通过该衬底的电子或空穴中的一个或多个。该保护带可比该接地扩散区更接近该光电二极管设置。
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公开(公告)号：CN1892250B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200610099649.9
申请日：2006-06-29
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/24
Abstract: 具有电绝缘像素的探测器。根据本技术的实施，公开了一种探测器(18)。该探测器包含光电探测器阵列(44)和衬底层(50)。该光电探测器阵列包含多个光电二极管以及电绝缘该多个光电二极管的每个光电二极管的沟槽结构(81)或扩散栅格。该多个光电二极管和沟槽结构或深扩散栅格置于该光电探测器阵列的第一表面上，与第一表面相对的第二表面键合到衬底层。该衬底层通常由和光电探测器阵列相同的半导体材料制成，但制成衬底层的半导体材料是重掺杂且是导电的，从而提供与光电探测器阵列的阴极接触并提供机械支持。
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公开(公告)号：CN106324653A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610637585.7
申请日：2016-06-01
Applicant: 通用电气公司
IPC: G01T1/20
Abstract: 在一个实施例中，提供了一种辐射检测器。所述辐射检测器包括闪烁体层，其将入射的辐射转换为更低能量的光量子。所述闪烁体层包括多个由一个或多个分隔物形成的像素，并且所述一个或多个分隔物形成了一条或多条穿过所述闪烁体层的辐射路径。所述辐射检测器还包括光电检测器层，其检测由闪烁体层内的多个像素生成的更低能量的光子，和接收由光电检测器层生成的信号的信号电子设备。所述辐射检测器还包括一个或多个阻挡层，其设置在光电检测器层和信号电子设备之间。所述一个或多个阻挡层中的每个阻挡层包括导电通孔，其包括阻挡来自一条或多条辐射路径的辐射以免到达信号电子设备的高Z材料。
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公开(公告)号：CN102569319A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110429407.2
申请日：2011-12-09
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及光电传感器组件及用于提供光电传感器组件的方法。光电二极管组件包括半导体衬底、光电二极管单元、接地扩散区和保护带。该光电二极管单元包括衬底的用第一类型掺杂剂掺杂的第一体积。该接地扩散区包括衬底的用第二、相反类型掺杂剂掺杂的第二体积。该保护带设置在该衬底中并且至少部分围绕该光电二极管单元的外围延伸。该保护带包括衬底的用该第一类型掺杂剂掺杂的第三体积。该接地扩散区或该保护带中的至少一个与接地参考传导地耦合以传导从该光电二极管单元漂移通过该衬底的电子或空穴中的一个或多个。该保护带可比该接地扩散区更接近该光电二极管设置。
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公开(公告)号：CN1947660B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200510124985.X
申请日：2005-10-14
Applicant: 通用电气公司
Inventor： G·S·泽曼 , B·Z·巴布 , M·R·纳拉亚纳斯瓦米 , D·M·霍夫曼 , B·J·格雷夫斯
CPC classification number: H01L2224/73204 , H01L2924/01322
Abstract: 一种用计算机处理的断层摄影成像扫描器(10)模块，包括多个闪烁体(156)，与闪烁体(156)光学耦合的多个背光照明光电二极管，具有多个基底导电体的多层基底(204)，光电二极管与该多个基底导电体电耦合，其中多个基底导体中的每一个连接到一个不同的背光照明光电二极管上，以及具有多个挠性导电体的挠性电缆(308)，该基底与该多个挠性导电体电耦合，其中多个挠性导电体中的每一个连接到多层基底的不同输出端。
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