公开(公告)号：CN110233055B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201910498621.X

申请日：2019-06-10

Applicant: 辽宁工程技术大学

Inventor： 王晓亮 ,  李治 ,  董伟 ,  王超 ,  杨绍斌 ,  洪晓东 ,  沈丁

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种低结晶度水滑石合成及层间距的调控方法，以谷氨酸钠为表面活性剂和插层剂，采用一步水热法合成具有低结晶度的含有过渡金属的水滑石，并通过增加谷氨酸钠用量，实现水热反应过程中水滑石间距逐渐增大。采用本发明所述方法合成得到的经过层间距调控的低结晶度水滑石比电容在电流密度1A/g、5A/g、10A/g、20A/g时比传统小层间距高结晶度样品均提高800F/g以上，在电流密度1A/g比电容高达1944F/g，电流密度20A/g时高达1186F/g。本发明提出的方法，相比离子交换法、焙烧再水化法，具有工艺简单、功耗低、绿色环保，可以大幅度提高水滑石电极的电容性能，有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN110233055A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910498621.X

申请日：2019-06-10

Applicant: 辽宁工程技术大学

Inventor： 王晓亮 ,  李治 ,  董伟 ,  王超 ,  杨绍斌 ,  洪晓东 ,  沈丁

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种低结晶度水滑石合成及层间距的调控方法，以谷氨酸钠为表面活性剂和插层剂，采用一步水热法合成具有低结晶度的含有过渡金属的水滑石，并通过增加谷氨酸钠用量，实现水热反应过程中水滑石间距逐渐增大。采用本发明所述方法合成得到的经过层间距调控的低结晶度水滑石比电容在电流密度1A/g、5A/g、10A/g、20A/g时比传统小层间距高结晶度样品均提高800F/g以上，在电流密度1A/g比电容高达1944F/g，电流密度20A/g时高达1186F/g。本发明提出的方法，相比离子交换法、焙烧再水化法，具有工艺简单、功耗低、绿色环保，可以大幅度提高水滑石电极的电容性能，有广泛的应用前景。