公开(公告)号：CN114908336A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210094985.3

申请日：2022-01-26

Applicant: 贵州理工学院

Inventor： 韦德举 ,  唐安江 ,  王伟 ,  唐石云 ,  郭俊江 ,  陈丽军 ,  李忠 ,  张妙鹤 ,  蒋东海 ,  李雪梅

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/24

Abstract: 本发明公开了一种管式PECVD增强气相沉积制备微晶硅的工艺，将四氟化硅、氢气、保护气，通过脱氧管，除去其中的氧气。脱氧后的混合气体通入高真空石英管，在等离子功率50‑400W，加热炉温度100‑600度下，气相沉积得到微晶硅，产生的氟化氢、剩余四氟化硅气体通过碱液吸收洗涤。本发明利用磷矿伴生资源四氟化硅为原料，将大大提升磷矿伴生资源的有效利用，减少资源浪费。

公开(公告)号：CN114394597A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202210076267.3

申请日：2022-01-24

Applicant: 贵州理工学院

Inventor： 唐石云 ,  唐安江 ,  李忠 ,  韦德举 ,  郭俊江 ,  陈丽军

IPC: C01B33/021

Abstract: 本发明公开了一种利用四氟化硅为原料制备硅薄膜的方法。该方法步骤为：(1)取硅颗粒与衬底分别放置于双温区管式炉的左右两端恒温区域内，设置管式炉恒温区的最终温度和升温速率；(2)连接好管式炉与气路部分，并通入载气，同时管式炉开始程序升温；(3)达到设置温度后，关闭载气，打开四氟化硅气体进行反应；(4)反应结束后，关闭四氟化硅气体，打开载气进行吹扫，且双温区管式炉程序降温；(5)降至室温后，取出样品衬底进行检测表征。本发明是一种能有效利用磷肥副产四氟化硅气体生成中间体二氟化硅，然后二氟化硅发生歧化反应制备硅薄膜的工艺方法。