公开(公告)号：CN116487477A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310416453.1

申请日：2023-04-18

Applicant: 贵州大学

Inventor： 龚秀 ,  杨渠 ,  祁小四 ,  张豪哲 ,  丁俊飞 ,  杨晶亮

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种应用于室内光伏的N‑P同质结全无机钙钛矿太阳能电池。本发明可用于突破室内光伏效率极限的方法，通过表面改性材料(十二烷基硫酸钠：SDS)处理全无机钙钛矿(CsPbI3)薄膜界面，在手套箱内制备了具有N‑P同质结的CsPbI3钙钛矿薄膜。采用扫描电镜(SEM)观测到表面PbS的生成，采用静电势原子力显微镜(KPFM)检验N‑P同质结的产生。CsPbI3薄膜表面形成N‑P同质结，解决了CsPbI3钙钛矿薄膜与电荷传输层的能带匹配问题。最重要的是，Jsc得到了极大的改进，这为全无机钙钛矿室内光伏提高Jsc提供了一种有效的策略。

公开(公告)号：CN118431314A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410487918.7

申请日：2024-04-23

Applicant: 贵州大学

Inventor： 龚秀 ,  张豪哲 ,  杨渠 ,  刘丹 ,  祁小四

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种高结晶质量的全无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述钙钛矿薄膜晶粒致密，表面光滑，无孔洞。制备方法主要通过采用醌‑供体‑受体结构的醌式聚合物(PAQM‑Bse)作为反溶剂添加剂，对钙钛矿湿膜进行中间处理，再进行退火得到钙钛矿薄膜。一系列实验证明了该策略可以有效改善结晶过程，降低缺陷能量水平，抑制离子迁移，增强了器件的开路电压和填充因子。这一简单有效的聚合物反溶剂处理策略，解决了无机CsPbI3钙钛矿由于高温退火导致的快速结晶所产生的低质量薄膜的问题。使得无机CsPbI3钙钛矿具有较为理想的结晶过程，从而获得高结晶质量的钙钛矿薄膜，提高了PSCs的器件效率和运行稳定性。