公开(公告)号：CN100558720C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200510103635.5

申请日：2005-09-06

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 金志龙 ,  曾育南 ,  郑功龙 ,  林洋钜 ,  刘仕贤 ,  李静观

IPC: C07D307/91 ,  C09K19/34 ,  G02F1/13

Abstract: 本发明是关于用于液晶显示器的化合物及其组合物，其利用二苯骈呋喃结构及其取代基的衍生达到高双折射率(Δn≥0.4)，同时兼顾宽广的液晶相、高安定性及高兼容性，使用本发明的高双折射率液晶化合物的组合物可提高反射式液晶显示器的反射效率、对比度及可反射的波长范围。

公开(公告)号：CN105762138A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201410778230.0

申请日：2014-12-15

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 蔡承桦 ,  钟世忠 ,  李静观

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明公开一种整合式毫米波芯片封装结构，可包括中介层结构、毫米波芯片与基板。该中介层结构包括一天线图案与至少一电镀通孔结构贯穿该中介层结构且连接至该天线图案。该毫米波芯片通过电镀通孔结构而电连接其上方或下方的该天线图案。

公开(公告)号：CN1927856A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200510103635.5

申请日：2005-09-06

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 金志龙 ,  曾育南 ,  郑功龙 ,  林洋钜 ,  刘仕贤 ,  李静观

IPC: C07D307/91 ,  C09K19/34 ,  G02F1/13

Abstract: 本发明是关于用于液晶显示器的化合物及其组合物，其利用二苯骈呋喃结构及其取代基的衍生达到高双折射率(Δn≥0.4)，同时兼顾宽广的液晶相、高安定性及高兼容性，使用本发明的高双折射率液晶化合物的组合物可提高反射式液晶显示器的反射效率、对比度及可反射的波长范围。

公开(公告)号：CN105762138B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201410778230.0

申请日：2014-12-15

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 蔡承桦 ,  钟世忠 ,  李静观

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明公开一种整合式毫米波芯片封装结构，可包括中介层结构、毫米波芯片与基板。该中介层结构包括一天线图案与至少一电镀通孔结构贯穿该中介层结构且连接至该天线图案。该毫米波芯片通过电镀通孔结构而电连接其上方或下方的该天线图案。

公开(公告)号：CN1990823A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200510137413.5

申请日：2005-12-30

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 李静观 ,  陈青佑 ,  林洋钜 ,  郑功龙 ,  曾育南

IPC: C09K19/38

Abstract: 本发明涉及高分子分散型液晶乳液及高分子分散型液晶复合膜。即，本发明提供一种可调光材料，例如高分子分散型液晶乳液，包括：液晶、高分子、以及含卤素的非离子性表面活性剂。另外，本发明也提供一种高分子分散型液晶复合膜，包括：上述高分子分散型液晶乳液以及一对基板，其中该高分子分散型液晶乳液夹于该对基板之间。通过在液晶中加入可降低驱动电压的添加剂，降低可调光材料的驱动电压。

公开(公告)号：CN118073314A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202310705473.0

申请日：2023-06-14

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 高浩哲 ,  刘玟泓 ,  林育民 ,  李静观

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开一种芯片封装结构及其制作方法，其中该芯片封装结构包括散热基底、第一重配置线路层、第二重配置线路层、至少一个芯片、至少一个金属叠层、多个导电结构及封装胶体。第二重配置线路层设置于散热基底上，且热耦接于散热基底。芯片、金属叠层及多个导电结构设置于第二重配置线路层与第一重配置线路层之间，其中芯片的主动面电连接于第一重配置线路层，且芯片的非主动面通过金属叠层热耦接于第二重配置线路层。第一重配置线路层通过多个导电结构电连接于第二重配置线路层。封装胶体填充于第二重配置线路层与第一重配置线路层之间。

公开(公告)号：CN115332213A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202111391873.6

申请日：2021-11-23

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 林育民 ,  李静观 ,  陈昭蓉 ,  郑仁信 ,  林昂樱 ,  张博智

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种封装载板及其制作方法与芯片封装结构。封装载板包括第一重分布线路结构层、多个导电连接件、连接结构层、至少一加强筋以及封装胶体。导电连接件配置于第一重分布线路结构层的第一表面上且与第一重分布线路结构层电连接。连接结构层配置于第一重分布线路结构层的第二表面上且包括基材与多个接垫。每一接垫的顶表面与底表面分别暴露于基材的上表面与下表面。接垫与第一重分布线路结构层电连接。加强筋配置于第一重分布线路结构层的第一表面上且至少位于导电连接件之间。封装胶体配置于第一重分布线路结构层的第一表面上，且覆盖导电连接件与加强筋。