-
公开(公告)号：CN1516892A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03800417.8
申请日：2003-01-28
Applicant: 财团法人地球环境产业技术研究机构 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/205 , C09K13/08 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02019 , B08B7/00 , C09K13/00 , C09K13/08 , C23C16/4405 , H01L21/02046 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明的室清洁气和用于含硅膜的蚀刻气包括含2－4个氧原子的全氟环醚，所述氧原子以醚键与碳原子连接。室清洁气和蚀刻气几乎不产生有害废气如CF4，CF4是全球变暖的原因之一，并且对环境有害。它们是无毒气体或挥发性液体，易使用，并且在废气处理方面性能优良。此外，本发明的室清洁气具有优良的清洁速率。
-
公开(公告)号：CN1265435C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN03800417.8
申请日：2003-01-28
Applicant: 财团法人地球环境产业技术研究机构 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/205 , C09K13/08 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02019 , B08B7/00 , C09K13/00 , C09K13/08 , C23C16/4405 , H01L21/02046 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明的室清洁气和用于含硅膜的蚀刻气包括含2-4个氧原子的全氟环醚，所述氧原子以醚键与碳原子连接。室清洁气和蚀刻气几乎不产生有害废气如CF4，CF4是全球变暖的原因之一，并且对环境有害。它们是无毒气体或挥发性液体，易使用，并且在废气处理方面性能优良。此外，本发明的室清洁气具有优良的清洁速率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1579011A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN03801404.1
申请日：2003-03-19
Applicant: 财团法人地球环境产业技术研究机构 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45593 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , H01L21/02046 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面，以及废气通道等管道的侧壁，其中排放的清洗气数量非常少，减小了对环境的影响如全球变暖，降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气，并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜，在所述CVD设备中，通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道，以将所述废气从泵的下游侧循环到反应室。
-
公开(公告)号：CN1526159A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN02802843.0
申请日：2002-08-26
Applicant: 财团法人地球环境产业技术研究机构 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/0035 , H01L21/3065 , Y10S438/905
Abstract: 如本发明所述的CVD室的等离子体清洗气体是一种在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用于清洁CVD室内壁表面和部件表面上含硅沉积物的气体。这种清洗气体含有占体积100％的氟气，通过放电可以使它产生等离子体。当占体积100％的氟气通过放电产生等离子体并将用作清洗气体时，即便总气体流量为1000sccm同时室压为400Pa，仍可以得到特别突出的腐蚀速度并可以进一步稳定地产生等离子体。此外，在上述条件下还可以保证清洁的均一性。另外，氟气的含量为100％，故而设备并不复杂，因此这种清洗气体有很好的实用性。
-
公开(公告)号：CN1565046A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN03801231.6
申请日：2003-03-13
Applicant: 财团法人地球环境产业技术研究机构 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/205
CPC classification number: B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜步骤中附着并沉积在反应室内壁、电极等的表面上。此外，本发明的目的是提供一种清洗方法，其中排放的清洗气的量非常小，对于环境的影响如全球变暖也下降，以及降低了成本。将能量施加到氟化合物上使之反应，从而生成氟气组分和除了氟气组分之外的组分。此外，生成的氟气组分和除了氟气组分之外的组分相互分离，以分离和精炼所述氟气组分。在使用CVD设备对基底材料进行成膜处理之后，接着将分离和精炼的氟气组分转变成等离子体以除去附着所述反应室中的副产物。
-
公开(公告)号：CN1271690C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN02802843.0
申请日：2002-08-26
Applicant: 财团法人地球环境产业技术研究机构 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/0035 , H01L21/3065 , Y10S438/905
Abstract: 如本发明所述的CVD室的等离子体清洗气体是一种在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用于清洁CVD室内壁表面和部件表面上含硅沉积物的气体。这种清洗气体含有占体积100%的氟气，通过放电可以使它产生等离子体。当占体积100%的氟气通过放电产生等离子体并将用作清洗气体时，即便总气体流量为1000sccm同时室压为400Pa，仍可以得到特别突出的腐蚀速度并可以进一步稳定地产生等离子体。此外，在上述条件下还可以保证清洁的均一性。另外，氟气的含量为100%，故而设备并不复杂，因此这种清洗气体有很好的实用性。
-
公开(公告)号：CN1579010A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN03801403.3
申请日：2003-03-19
Applicant: 财团法人地球环境产业技术研究机构 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45593 , C23C16/4405 , H01L21/02046 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明的目的是提供一种CVD设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如SiO2或Si3N4，所述副产物在成膜过程中粘附并沉积在反应室中的内壁、电极等的表面，以及废气通道等管道的侧壁，其中排放的清洗气数量非常少，减小了对环境的影响如全球变暖，降低了成本。所述CVD能向反应室提供反应气，并在反应室中的基底材料表面上形成沉积薄膜，在所述CVD设备中，通过泵从反应室内部排出气体的废气通道安装有废气循环通道，以将所述废气从泵的下游侧循环到所述废气通道上游侧，而且，等离子体生成装置安装在所述废气循环通道上。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.059 seconds)
