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公开(公告)号：CN1271690C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN02802843.0
申请日：2002-08-26
Applicant: 财团法人地球环境产业技术研究机构 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/0035 , H01L21/3065 , Y10S438/905
Abstract: 如本发明所述的CVD室的等离子体清洗气体是一种在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用于清洁CVD室内壁表面和部件表面上含硅沉积物的气体。这种清洗气体含有占体积100%的氟气，通过放电可以使它产生等离子体。当占体积100%的氟气通过放电产生等离子体并将用作清洗气体时，即便总气体流量为1000sccm同时室压为400Pa，仍可以得到特别突出的腐蚀速度并可以进一步稳定地产生等离子体。此外，在上述条件下还可以保证清洁的均一性。另外，氟气的含量为100%，故而设备并不复杂，因此这种清洗气体有很好的实用性。
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公开(公告)号：CN1526159A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN02802843.0
申请日：2002-08-26
Applicant: 财团法人地球环境产业技术研究机构 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4405 , B08B7/0035 , H01L21/3065 , Y10S438/905
Abstract: 如本发明所述的CVD室的等离子体清洗气体是一种在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用于清洁CVD室内壁表面和部件表面上含硅沉积物的气体。这种清洗气体含有占体积100％的氟气，通过放电可以使它产生等离子体。当占体积100％的氟气通过放电产生等离子体并将用作清洗气体时，即便总气体流量为1000sccm同时室压为400Pa，仍可以得到特别突出的腐蚀速度并可以进一步稳定地产生等离子体。此外，在上述条件下还可以保证清洁的均一性。另外，氟气的含量为100％，故而设备并不复杂，因此这种清洗气体有很好的实用性。
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公开(公告)号：CN1265435C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN03800417.8
申请日：2003-01-28
Applicant: 财团法人地球环境产业技术研究机构 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/205 , C09K13/08 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02019 , B08B7/00 , C09K13/00 , C09K13/08 , C23C16/4405 , H01L21/02046 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明的室清洁气和用于含硅膜的蚀刻气包括含2-4个氧原子的全氟环醚，所述氧原子以醚键与碳原子连接。室清洁气和蚀刻气几乎不产生有害废气如CF4，CF4是全球变暖的原因之一，并且对环境有害。它们是无毒气体或挥发性液体，易使用，并且在废气处理方面性能优良。此外，本发明的室清洁气具有优良的清洁速率。
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公开(公告)号：CN1516892A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03800417.8
申请日：2003-01-28
Applicant: 财团法人地球环境产业技术研究机构 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/205 , C09K13/08 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/02019 , B08B7/00 , C09K13/00 , C09K13/08 , C23C16/4405 , H01L21/02046 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明的室清洁气和用于含硅膜的蚀刻气包括含2－4个氧原子的全氟环醚，所述氧原子以醚键与碳原子连接。室清洁气和蚀刻气几乎不产生有害废气如CF4，CF4是全球变暖的原因之一，并且对环境有害。它们是无毒气体或挥发性液体，易使用，并且在废气处理方面性能优良。此外，本发明的室清洁气具有优良的清洁速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1680029A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510053200.4
申请日：2005-03-08
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所
Abstract: 本发明提供氟化氢为氟化剂的氟化反应使用的催化剂，其是具有高氟化活性的催化剂，和使用该催化剂的氟化法。该氟化反应用催化剂的特征在于在由氟化钙或氟化镁构成的多孔载体上负载下述通式(1)表示的锑卤化物：SbFnCl5－n(式中，n表示0～5的数)。
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公开(公告)号：CN100398205C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510053200.4
申请日：2005-03-08
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所
Abstract: 本发明提供氟化氢为氟化剂的氟化反应使用的催化剂，其是具有高氟化活性的催化剂，和使用该催化剂的氟化法。该氟化反应用催化剂的特征在于在由氟化钙或氟化镁构成的多孔载体上负载下述通式(1)表示的锑卤化物：SbFnCl5-n(式中，n表示0～5的数)。
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公开(公告)号：CN1798703A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480014832.3
申请日：2004-07-23
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: C01G37/04 , C01G51/08 , C01G53/08 , C01G9/04 , C01G15/00 , C01G23/02 , C01B9/08 , C07C19/08 , C07C17/20 , C07B61/00 , B01J27/132
CPC classification number: C07C19/08 , B01J23/26 , B01J23/864 , B01J27/132 , B01J35/1014 , B01J35/1019 , B01J37/031 , B01J37/26 , C01B9/08
Abstract: 本发明提供为合成具有大表面积且即使在腐蚀性气体环境下等也稳定的多孔性金属氟化物而适宜使用的原料组合物。通过将该原料组合物与无水氟化氢反应得到的多孔性金属氟化物具有更大的表面积且在腐蚀性气体环境下等也是稳定的，可以作为例如氟化催化剂使用。
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公开(公告)号：CN102056895A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121645.8
申请日：2009-06-05
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: C07C263/10 , C07C263/04 , C07C265/14 , C07C271/04
CPC classification number: C07C263/10 , C07C265/14
Abstract: 本发明提供一种高效率制备异氰酸酯化合物的方法，该方法不使用高毒性的光气，此外，不经由复杂的步骤，在低反应温度和低反应压力条件下进行。使碳酰氟和有机胺反应制备异氰酸酯化合物。碳酰氟和有机胺进行反应制备氨基甲酰氟，然后将该氨基甲酰氟转变为异氰酸酯。通过加热氨基甲酰氟使其转变为异氰酸酯。
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公开(公告)号：CN1798703B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200480014832.3
申请日：2004-07-23
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: C01G37/04 , C01G51/08 , C01G53/08 , C01G9/04 , C01G15/00 , C01G23/02 , C01B9/08 , C07C19/08 , C07C17/20 , C07B61/00 , B01J27/132
CPC classification number: C07C19/08 , B01J23/26 , B01J23/864 , B01J27/132 , B01J35/1014 , B01J35/1019 , B01J37/031 , B01J37/26 , C01B9/08
Abstract: 本发明提供为合成具有大表面积且即使在腐蚀性气体环境下等也稳定的多孔性金属氟化物而适宜使用的原料组合物。通过将该原料组合物与无水氟化氢反应得到的多孔性金属氟化物具有更大的表面积且在腐蚀性气体环境下等也是稳定的，可以作为例如氟化催化剂使用。
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