-
公开(公告)号：CN118630026A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410265668.2
申请日：2024-03-08
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/13 , H04N25/78 , H04N25/779
Abstract: 本公开涉及一种具有四拜耳滤色器的像素阵列的红色光电二极管中的沟槽平衡结构图案。一种像素阵列包含2×2光电二极管分组，以响应于通过半导体层的后侧引导的入射光而产生图像电荷。四拜耳滤光器安置于所述半导体层的所述后侧上所述2×2光电二极管分组上方。四拜耳CFA中的每一滤色器安置于多个2×2光电二极管分组中的相应一者上方。沟槽平衡结构安置于所述半导体层中。所述沟槽平衡结构中的每一者在所述光电二极管中的一者与所述四拜耳滤光器中的红色滤色器中的相应一者之间安置于所述半导体层中。所述沟槽平衡结构中无任何沟槽平衡结构安置于所述光电二极管中的任一者与所述四拜耳滤光器中的相应绿色滤色器或蓝色滤色器之间。
-
公开(公告)号：CN115360204A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210526612.9
申请日：2022-05-16
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种具有LED闪烁减少及低颜色串扰的CMOS图像传感器。在一个实施例中，一种图像传感器包含布置成安置在半导体衬底中的像素阵列的行及列的多个像素。每一像素包含多个大子像素LPD及至少一个小子像素SPD。多个彩色滤光片经安置在个别子像素上方。每一个别SPD横向相邻于至少一个其它SPD。
-
公开(公告)号：CN118354216A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202311254987.5
申请日：2023-09-26
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及用于像素中金属‑绝缘体‑金属MIM电容器滞后校正的LOFIC电路及相关联校正方法。像素电路包含经配置以响应于入射光而光生图像电荷的光电二极管。浮动扩散部经耦合以从光电二极管接收图像电荷。传送晶体管耦合在光电二极管与浮动扩散部之间。传送晶体管经配置以将图像电荷从光电二极管传送到浮动扩散部。复位晶体管耦合在复位电压与浮动扩散部之间。横向溢出积分电容器LOFIC网络耦合在复位晶体管与偏置电压源之间。LOFIC网络包含耦合在复位晶体管与偏置电压源之间的主要LOFIC以及多个从属电容器‑开关对，每一从属电容器‑开关对包含从属LOFIC及耦合到从属LOFIC的开关晶体管。多个从属电容器‑开关对中的每一者耦合在复位晶体管与偏置电压源之间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114078894B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202110912830.1
申请日：2021-08-10
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及用于CMOS图像传感器的单元深沟槽隔离金字塔结构。一种像素单元包含光电二极管，所述光电二极管经安置成接近于半导体层的前侧以响应于引导穿过所述半导体层的背侧的入射光而产生图像电荷。单元深沟槽隔离CDTI结构沿着所述入射光到所述光电二极管的光学路径安置且接近于所述半导体层的所述背侧。所述CDTI结构包含布置于所述半导体层中的多个部分。所述多个部分中的每一者从所述背侧朝向所述半导体层的所述前侧延伸相应的深度。所述多个部分中的每一者的所述相应深度不同于所述多个部分中的相邻者的相应深度。所述多个部分中的每一者在所述半导体层中与所述多个部分中的所述相邻者横向分离且间隔开。
-
公开(公告)号：CN114078894A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110912830.1
申请日：2021-08-10
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及用于CMOS图像传感器的单元深沟槽隔离金字塔结构。一种像素单元包含光电二极管，所述光电二极管经安置成接近于半导体层的前侧以响应于引导穿过所述半导体层的背侧的入射光而产生图像电荷。单元深沟槽隔离CDTI结构沿着所述入射光到所述光电二极管的光学路径安置且接近于所述半导体层的所述背侧。所述CDTI结构包含布置于所述半导体层中的多个部分。所述多个部分中的每一者从所述背侧朝向所述半导体层的所述前侧延伸相应的深度。所述多个部分中的每一者的所述相应深度不同于所述多个部分中的相邻者的相应深度。所述多个部分中的每一者在所述半导体层中与所述多个部分中的所述相邻者横向分离且间隔开。
-
公开(公告)号：CN117637779A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310691616.7
申请日：2023-06-12
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及电相位检测自动聚焦。在一个实施例中，图像传感器包含以安置在半导体材料中的像素阵列的行及列布置的多个像素。每一像素包含多个光电二极管，所述多个光电二极管经配置以接收穿过所述半导体材料的照明表面的入射光。所述多个像素包含至少一个自动聚焦相位检测PDAF像素，所述自动聚焦相位检测PDAF像素具有：没有光屏蔽的第一子像素及没有所述光屏蔽的第二子像素。所述图像传感器的自动聚焦至少部分地基于所述第一子像素及所述第二子像素的不同电输出来确定。
-
公开(公告)号：CN117174721A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310431130.X
申请日：2023-04-21
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 用于改进四元光电二极管QPD通道不平衡的半QPD。在一个实施例中，一种图像传感器包含布置成安置在半导体材料中的像素阵列的行及列的多个像素。每一像素包含多个子像素。每一子像素包括多个第一光电二极管、多个第二光电二极管及多个第三光电二极管。所述多个像素经配置以通过所述半导体材料的被照明表面接收入射光。多个小微透镜个别地分布在每一子像素的个别第一光电二极管及个别第二光电二极管上方。多个大微透镜各自分布在每一子像素的多个第三光电二极管上方。所述小微透镜的直径小于所述大微透镜的直径。
-
公开(公告)号：CN115278094A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210454655.0
申请日：2022-04-27
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Abstract: 本发明揭示用于高动态范围成像和发光二极管闪变抑制的具有多灵敏度的互补金属氧化物半导体图像传感器。在一个实施例中，图像传感器包含布置成放置在半导体衬底中的像素阵列的行和列的多个像素。每个像素包含多个单元。在对应多个单元上放置多个滤色器。对应于个别像素的所述多个单元的所述多个滤色器对于所述多个滤色器的每个颜色具有一个以上的滤色强度。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.023 seconds)
