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公开(公告)号：CN115460361A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210554033.5
申请日：2022-05-19
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Abstract: 本申请案涉及使用用于相位检测自动聚焦及图像感测光电二极管的通过多个列位线进行的三次读出方法的图像传感器。一种成像装置包含具有第一及第二光电二极管的光电二极管阵列。第一及第二浮动扩散区经配置以分别从第一及第二光电二极管接收电荷。模/数转换器ADC经配置以分别同时从所述第一及第二浮动扩散区接收第一及第二位线信号。所述ADC经配置以在复位操作之后响应于所述第一及第二位线信号而产生参考读数。所述ADC接下来在电荷从所述第一光电二极管转移到所述第一浮动扩散区之后响应于所述第一及第二位线信号而产生相位检测自动聚焦PDAF读数的前半部。所述ADC接着在电荷从所述第二光电二极管转移到所述第二浮动扩散区之后响应于所述第一及第二位线信号而产生全图像读数。
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公开(公告)号：CN115442548A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210078170.6
申请日：2022-01-24
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/378 , H04N5/3745 , H04N5/374
Abstract: 本申请案涉及支持具有相位检测自动聚焦和图像感测光电二极管的像素阵列的合并模式的位线控制。一种成像装置包含像素阵列，所述像素阵列包含布置成行和列的像素电路。多个位线中的每一位线耦合到所述像素阵列的相应列像素电路。所述多个位线被分组成位线对。多个合并电路耦合到所述多个位线。每一合并电路耦合到相应位线对且响应于多模式选择信号。每一合并电路配置成在第一模式中响应于所述相应位线对中的所述第一和第二位线而输出合并信号。每一合并电路配置成在第二模式中从所述相应位线对中的第一位线输出第一信号。每一合并电路配置成在第三模式中从所述相应位线对中的所述第二位线输出第二信号。
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公开(公告)号：CN103581586B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310301227.5
申请日：2013-07-17
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 邓伟
CPC classification number: H04N5/44591 , H04N5/2258 , H04N5/23293 , H04N5/247 , H04N5/2621 , H04N5/2624 , H04N5/45 , H04N21/4316
Abstract: 根据画中画PIP系统和方法，第一图像传感器装置检测来自第一主体的光，并生成指示所述第一主体的图像数据的第一信号。第二图像传感器装置检测来自第二主体的光，并生成指示所述第二主体的图像数据的第二信号。覆盖逻辑将所述第一信号和第二信号组合，以生成指示所述第一主体的图像和所述第二主体的图像的组合的画中画信号，其中，所述覆盖逻辑位于所述第一图像传感器装置内。第一图像传感器装置生成同步信号，该同步信号由所述第二图像传感器装置接收，并触发所述第二图像传感器装置，以生成指示所述第二主体的图像数据的第二信号。
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公开(公告)号：CN117174721A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310431130.X
申请日：2023-04-21
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 用于改进四元光电二极管QPD通道不平衡的半QPD。在一个实施例中，一种图像传感器包含布置成安置在半导体材料中的像素阵列的行及列的多个像素。每一像素包含多个子像素。每一子像素包括多个第一光电二极管、多个第二光电二极管及多个第三光电二极管。所述多个像素经配置以通过所述半导体材料的被照明表面接收入射光。多个小微透镜个别地分布在每一子像素的个别第一光电二极管及个别第二光电二极管上方。多个大微透镜各自分布在每一子像素的多个第三光电二极管上方。所述小微透镜的直径小于所述大微透镜的直径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114866660A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110281013.0
申请日：2021-03-16
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Abstract: 本申请案涉及一种具有像素内背景减去及运动检测的图像传感器。成像系统包含：像素阵列，所述像素阵列经配置以响应于从外部场景接收的入射光而产生图像电荷电压信号。红外照明源在所述外部场景的第一图像的捕获期间被停用且在所述外部场景的第二图像的捕获期间被激活。采样及保持电路阵列耦合到所述像素阵列。每一采样及保持电路耦合到所述像素阵列的相应像素，且包含用于分别存储所述捕获的第一及第二图像的第一及第二图像电荷电压信号的第一及第二电容器。列电压域差分放大器耦合到所述第一及第二电容器以确定所述第一与第二图像电荷电压信号之间的差异，以识别所述外部场景的前景中的物体。
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公开(公告)号：CN115442548B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210078170.6
申请日：2022-01-24
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H04N25/77 , H04N25/76 , H04N25/78 , H04N25/772
Abstract: 本申请案涉及支持具有相位检测自动聚焦和图像感测光电二极管的像素阵列的合并模式的位线控制。一种成像装置包含像素阵列，所述像素阵列包含布置成行和列的像素电路。多个位线中的每一位线耦合到所述像素阵列的相应列像素电路。所述多个位线被分组成位线对。多个合并电路耦合到所述多个位线。每一合并电路耦合到相应位线对且响应于多模式选择信号。每一合并电路配置成在第一模式中响应于所述相应位线对中的所述第一和第二位线而输出合并信号。每一合并电路配置成在第二模式中从所述相应位线对中的第一位线输出第一信号。每一合并电路配置成在第三模式中从所述相应位线对中的所述第二位线输出第二信号。
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公开(公告)号：CN117174723A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310575123.7
申请日：2023-05-22
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , G01J9/00
Abstract: 本申请案涉及用于相位检测自动聚焦的混合图像像素。本发明提供用于相位检测自动聚焦PDAF的图像传感器。图像传感器包含包括根据布置安置在半导体材料中的多个光电二极管的像素。所述布置界定包括多个第一光电二极管的第一图像子像素、包括多个第二光电二极管的第二图像子像素及包含多个第三光电二极管的第三图像子像素，以及包括第一光电二极管、第二光电二极管或第三光电二极管的相位检测子像素。像素可包含安置成个别地上覆于第一、第二及第三图像子像素的多个光电二极管的至少一子组上的多个第一微透镜。像素还可包含安置成上覆于相位检测子像素上的第二微透镜，第一微透镜中的第一微透镜的第一半径小于第二微透镜的第二半径。
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公开(公告)号：CN115460361B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210554033.5
申请日：2022-05-19
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H04N25/701 , H04N25/704 , H04N25/78
Abstract: 本申请案涉及使用用于相位检测自动聚焦及图像感测光电二极管的通过多个列位线进行的三次读出方法的图像传感器。一种成像装置包含具有第一及第二光电二极管的光电二极管阵列。第一及第二浮动扩散区经配置以分别从第一及第二光电二极管接收电荷。模/数转换器ADC经配置以分别同时从所述第一及第二浮动扩散区接收第一及第二位线信号。所述ADC经配置以在复位操作之后响应于所述第一及第二位线信号而产生参考读数。所述ADC接下来在电荷从所述第一光电二极管转移到所述第一浮动扩散区之后响应于所述第一及第二位线信号而产生相位检测自动聚焦PDAF读数的前半部。所述ADC接着在电荷从所述第二光电二极管转移到所述第二浮动扩散区之后响应于所述第一及第二位线信号而产生全图像读数。
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公开(公告)号：CN115460364A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210543873.1
申请日：2022-05-18
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 本公开涉及使用用于相位检测自动聚焦及图像感测像素的三次读出方法的图像传感器。一种成像装置包含布置在光电二极管阵列中以响应于入射光而产生电荷的多个光电二极管。多个光电二极管包含第一及第二光电二极管。共享浮动扩散区接收从第一及第二光电二极管转移的电荷。模/数转换器ADC在复位操作之后响应于共享浮动扩散区中的电荷而执行第一次ADC转换以产生参考读数。ADC接下来响应于从第一光电二极管转移到共享浮动扩散区的电荷而执行第二次ADC转换以产生相位检测自动聚焦PDAF读数的前半部。ADC接着响应于从第二光电二极管转移的电荷与共享浮动区中先前从第一光电二极管转移的电荷组合而执行第三次ADC转换以产生全图像读数。
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