公开(公告)号：CN106129072B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201610078522.2

申请日：2016-02-04

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： 约翰内斯·索尔胡斯维克 ,  霍华德·E·罗兹 ,  沈杰

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H04N5/37457 ,  H04N5/379

Abstract: 本发明涉及一种堆叠芯片共享像素架构。图像传感器包含安置于第一半导体裸片中的像素阵列。所述像素阵列被分割成多个像素子阵列。所述多个像素子阵列中的每一者被布置成多个像素群组。所述多个像素群组中的每一者被布置成p×q个像素单元阵列。多个读出电路安置于第二半导体裸片中。互连层堆叠于所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间。所述互连层包含多个导体。所述多个像素子阵列中的每一者通过所述多个导体中的对应一者耦合到所述多个读出电路中的对应一者。

公开(公告)号：CN107895729A

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201710905557.3

申请日：2017-09-29

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： 毛杜立 ,  特吕格弗·维拉森 ,  约翰内斯·索尔胡斯维克 ,  马渕圭司 ,  陈刚 ,  真锅宗平 ,  戴森·H·戴 ,  比尔·潘 ,  奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 ,  林志强

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/235 ,  H04N5/341

CPC classification number: H04N5/361 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14656 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14614 ,  H04N5/2357 ,  H04N5/341

Abstract: 本发明揭示一种减少照明诱发的闪烁的图像传感器像素和一种成像系统。实例图像传感器像素可包含光电二极管、转移栅极、抗溢出栅极及第一及第二源极跟随器晶体管。所述光电二极管可捕获光且作为响应产生电荷，且所述光电二极管可具有电荷容量。所述转移栅极可将电荷选择性地转移到第一浮动扩散区，且当所述产生的电荷大于所述光电二极管电荷容量时，所述抗溢出栅极可将过量电荷选择性地转移到第二浮动扩散区。所述第一源极跟随器晶体管可通过栅极直接耦合到所述第一浮动扩散区，所述第一源极跟随器响应于第一行选择晶体管的启用选择性地输出第一信号到第一位线，且所述第二源极跟随器晶体管可电容耦合到所述第二浮动扩散区，所述第二源极跟随器响应于第二行选择晶体管的启用选择性地输出第二信号到第二位线。

公开(公告)号：CN107437552B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201710374063.7

申请日：2017-05-24

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： 毛杜立 ,  特吕格弗·维拉森 ,  约翰内斯·索尔胡斯维克 ,  马渕圭司 ,  陈刚 ,  真锅宗平 ,  戴森·H·戴 ,  比尔·潘 ,  奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 ,  林志强 ,  马思光 ,  杨大江 ,  博伊德·艾伯特·佛勒

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H04N5/374 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/23229 ,  H04N5/3559 ,  H04N5/3591 ,  H04N5/3592 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/37457

Abstract: 本发明涉及用于检测不闪烁发光二极管的系统及方法。一种用于检测不闪烁发光二极管LED的图像传感器包含具有像素的像素阵列。每一像素包含：包含第一及第二子像素的子像素、双浮动扩散DFD晶体管及耦合到所述DFD晶体管的电容器。第一子像素包含用于获取第一图像电荷的第一光敏元件及用于选择性地将所述第一图像电荷从所述第一光敏元件转移到第一浮动扩散FD节点的第一转移栅极晶体管。第二子像素包含用于获取第二图像电荷的第二光敏元件及用于选择性地将所述第二图像电荷从所述第二光敏元件转移到第二FD节点的第二转移栅极晶体管。DFD晶体管耦合到所述第一及所述第二FD节点。还描述其它实施例。

公开(公告)号：CN107895729B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201710905557.3

申请日：2017-09-29

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： 毛杜立 ,  特吕格弗·维拉森 ,  约翰内斯·索尔胡斯维克 ,  马渕圭司 ,  陈刚 ,  真锅宗平 ,  戴森·H·戴 ,  比尔·潘 ,  奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 ,  林志强

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/235 ,  H04N5/341

Abstract: 本发明揭示一种减少照明诱发的闪烁的图像传感器像素和一种成像系统。实例图像传感器像素可包含光电二极管、转移栅极、抗溢出栅极及第一及第二源极跟随器晶体管。所述光电二极管可捕获光且作为响应产生电荷，且所述光电二极管可具有电荷容量。所述转移栅极可将电荷选择性地转移到第一浮动扩散区，且当所述产生的电荷大于所述光电二极管电荷容量时，所述抗溢出栅极可将过量电荷选择性地转移到第二浮动扩散区。所述第一源极跟随器晶体管可通过栅极直接耦合到所述第一浮动扩散区，所述第一源极跟随器响应于第一行选择晶体管的启用选择性地输出第一信号到第一位线，且所述第二源极跟随器晶体管可电容耦合到所述第二浮动扩散区，所述第二源极跟随器响应于第二行选择晶体管的启用选择性地输出第二信号到第二位线。

公开(公告)号：CN106454141A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610344265.2

申请日：2016-05-23

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： 约翰内斯·索尔胡斯维克

IPC: H04N5/235 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/378 ,  H04N5/35554 ,  H04N5/35581 ,  H04N5/37457 ,  H04N5/2355 ,  H04N5/3745

Abstract: 本申请案涉及一种实施堆叠芯片高动态范围图像传感器的方法及系统。在图像传感器中实施堆叠芯片HDR算法的方法开始于使用像素阵列捕获具有第一曝光时间的第一帧及具有与所述第一曝光时间相比更长或更短的第二曝光时间的第二帧。像素阵列安置于第一半导体裸片中且被划分成像素子阵列。每一像素子阵列布置成像素群组，且每一像素群组布置成像素单元阵列。安置于第二半导体裸片中的读出电路获取第一帧及第二帧的图像数据。每一像素子阵列通过多个导体中的对应一者耦合到对应读出电路。ADC电路将来自第一帧及第二帧的图像数据转换成第一ADC输出及第二ADC输出。位于所述第二半导体裸片上的功能逻辑将第一ADC输出与第二ADC输出加总以产生最终ADC输出。本发明还描述其它实施例。

公开(公告)号：CN103685993B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310346759.0

申请日：2013-08-09

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： 约翰内斯·索尔胡斯维克

IPC: H04N5/357 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378

CPC classification number: H04N5/357 ,  H04N5/2173 ,  H04N5/378

Abstract: 本申请案涉及用于减少CMOS图像传感器的模拟图像数据中的噪声的方法及设备。本发明揭示一种用于预处理模拟图像数据以减少所述模拟图像数据中的噪声的方法，所述模拟图像数据是在取样时间期间从图像传感器的像素阵列读出的。所述方法包含在所述取样时间期间产生所述模拟图像数据的多个样本且接着将所述多个样本的值限制于上阈值及下阈值。所述方法还包含通过响应于在所述取样时间期间何时产生了所述多个样本中的每一者而对相应样本应用加权因子来预调节所述多个样本。接着确定并输出所述多个样本的中值。

公开(公告)号：CN113286103A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110577077.5

申请日：2016-05-23

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： 约翰内斯·索尔胡斯维克

IPC: H04N5/3745 ,  H04N5/355 ,  H04N5/378 ,  H04N5/369 ,  H04N5/235

Abstract: 本申请案涉及一种实施堆叠芯片高动态范围图像传感器的方法及系统。在图像传感器中实施堆叠芯片HDR算法的方法开始于使用像素阵列捕获具有第一曝光时间的第一帧及具有与所述第一曝光时间相比更长或更短的第二曝光时间的第二帧。像素阵列安置于第一半导体裸片中且被划分成像素子阵列。每一像素子阵列布置成像素群组，且每一像素群组布置成像素单元阵列。安置于第二半导体裸片中的读出电路获取第一帧及第二帧的图像数据。每一像素子阵列通过多个导体中的对应一者耦合到对应读出电路。ADC电路将来自第一帧及第二帧的图像数据转换成第一ADC输出及第二ADC输出。位于所述第二半导体裸片上的功能逻辑将第一ADC输出与第二ADC输出加总以产生最终ADC输出。本发明还描述其它实施例。

公开(公告)号：CN105470273B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201510574516.1

申请日：2015-09-10

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： 约翰内斯·索尔胡斯维克 ,  多米尼克·马塞提

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14831 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/2351 ,  H04N5/353 ,  H04N5/3535 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/37452

Abstract: 本申请案涉及一种具有非破坏性读出的图像传感器像素单元。一种像素单元包含经耦合以响应于入射光而光生图像电荷的光电二极管。深沟槽隔离结构接近于所述光电二极管而安置以通过所述深沟槽隔离结构提供到所述光电二极管的电容性耦合。放大器晶体管耦合到所述深沟槽隔离结构以响应于通过由所述深沟槽隔离结构提供的所述电容性耦合从所述光电二极管读出的所述图像电荷而产生经放大图像数据。行选择晶体管耦合到所述放大器晶体管的输出以将所述经放大图像数据选择性地输出到耦合到所述行选择晶体管的列位线。

公开(公告)号：CN107437552A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710374063.7

申请日：2017-05-24

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： 毛杜立 ,  特吕格弗·维拉森 ,  约翰内斯·索尔胡斯维克 ,  马渕圭司 ,  陈刚 ,  真锅宗平 ,  戴森·H·戴 ,  比尔·潘 ,  奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 ,  林志强 ,  马思光 ,  杨大江 ,  博伊德·艾伯特·佛勒

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H04N5/374 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/23229 ,  H04N5/3559 ,  H04N5/3591 ,  H04N5/3592 ,  H04N5/37452 ,  H04N5/37457 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14683

Abstract: 本发明涉及用于检测不闪烁发光二极管的系统及方法。一种用于检测不闪烁发光二极管LED的图像传感器包含具有像素的像素阵列。每一像素包含：包含第一及第二子像素的子像素、双浮动扩散DFD晶体管及耦合到所述DFD晶体管的电容器。第一子像素包含用于获取第一图像电荷的第一光敏元件及用于选择性地将所述第一图像电荷从所述第一光敏元件转移到第一浮动扩散FD节点的第一转移栅极晶体管。第二子像素包含用于获取第二图像电荷的第二光敏元件及用于选择性地将所述第二图像电荷从所述第二光敏元件转移到第二FD节点的第二转移栅极晶体管。DFD晶体管耦合到所述第一及所述第二FD节点。还描述其它实施例。

公开(公告)号：CN105025278B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201410355660.1

申请日：2014-07-24

Applicant: 豪威科技股份有限公司

Inventor： 约翰内斯·索尔胡斯维克 ,  珀尔·欧拉夫·帕尔

IPC: H04N9/04 ,  H04N5/357

CPC classification number: H04N9/045 ,  H04N5/343 ,  H04N5/3458 ,  H04N5/347 ,  H04N5/37457 ,  H04N9/04511 ,  H04N2209/045

Abstract: 本申请案涉及具有缩放滤波器阵列和像素内装仓的图像传感器。设备的实施例包含包括分组成具有两个或两个以上个别像素的像素内核的多个个别像素的像素阵列，其中每一像素内核包含电耦合到所述内核中的所有个别像素的浮动扩散。彩色滤波器阵列CFA定位在所述像素阵列上且光学地耦合到所述像素阵列，所述CFA包括多个平铺的最小重复单元，每一最小重复单元包含多个缩放滤波器，每一缩放滤波器具有选自两个或两个以上不同光响应的光响应。每一像素内核内的个别像素光学耦合到缩放滤波器。耦合到所述像素阵列的电路和逻辑使所述设备以第一模式操作，其中将来自个别像素子集的信号被个别地转移到其浮动扩散并读取，从而产生高分辨率、低敏感性子图像，以及以第二模式操作，其中将来自每个像素内核中的个别像素的信号装仓到所述内核的浮动扩散中并读取，从而产生高分辨率、低敏感性图像。