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    具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置
    1.
    发明授权
    具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置 有权

    公开(公告)号：CN104103655B

    公开(公告)日：2017-04-12

    申请号：CN201310655864.2

    申请日：2013-12-06

    Applicant: 豪威科技股份有限公司

    Inventor： 张博微 ,  林志强

    IPC: H01L27/146 ,  G01T1/29

    Abstract: 本申请案涉及具有经偏压深沟槽隔离的增强型光子检测装置。一种光子检测装置包含具有安置在半导体材料的第一区中的平面结的光电二极管。深沟槽隔离DTI结构安置在所述半导体材料中。所述DTI结构使所述DTI结构的一侧上的所述半导体材料的所述第一区与所述DTI结构的另一侧上的所述半导体材料的第二区隔离。所述DTI结构包含衬在所述DTI结构的内侧表面的电介质层以及安置在所述DTI结构内侧的所述电介质层上的经掺杂半导体材料。安置在所述DTI结构内侧的所述经掺杂半导体材料耦合到偏压，以使所述半导体材料的所述第一区中的所述光电二极管与所述半导体材料的所述第二区隔离。

    具有嵌入的微流体的色彩感测影像传感器和相关方法
    2.
    发明授权
    具有嵌入的微流体的色彩感测影像传感器和相关方法 有权

    公开(公告)号：CN105548096B

    公开(公告)日：2020-04-10

    申请号：CN201510711406.5

    申请日：2015-10-28

    Applicant: 豪威科技股份有限公司

    Inventor： 多米尼克·马塞蒂 ,  张博微

    IPC: G01N21/64 ,  G01N21/76

    Abstract: 一种具有嵌入微流体的色彩感测影像传感器包括硅基板具有(a)至少一个凹部部分地界定至少一个嵌入的微流体通道和(b)多个感光区域，用于产生位置感测的电子信号，以响应从该至少一个凹部来的光，其中至少两个感光区域分别位于相对于该至少一个凹部至少两个相互不同的深度范围，以提供颜色讯息。一种制造多个这样的色彩感测影像传感器的晶片级制造方法。一种用于流体样品产生色彩影像的方法，包括执行沉积在嵌入硅基板上的微流体通道的流体样品的成像，到硅基板的多个感光区域，和基于光穿透到硅基板的深度产生彩色讯息。

    用于具有背景去除的有源深度成像仪的系统和方法
    3.
    发明授权
    用于具有背景去除的有源深度成像仪的系统和方法 有权

    公开(公告)号：CN108010073B

    公开(公告)日：2023-07-28

    申请号：CN201710940686.6

    申请日：2017-10-11

    Applicant: 豪威科技股份有限公司

    Inventor： 杨征 ,  英一船津 ,  真锅宗平 ,  马渕圭司 ,  杨大江 ,  毛杜立 ,  张博微

    IPC: G06T7/514

    Abstract: 有源深度成像系统和操作其的方法使用第一和第二成像仪的每个捕获发光体开和发光体关图像数据。发光体开图像数据包括表示成像场景和从发光体发射的并由成像场景内物体反射的光的信息。发光体关图像数据包括表示没有来自发光体发射的光的成像场景的信息。对于由第一和第二成像仪捕获的每个图像集，从发光体开图像数据减去发光体关图像数据以确定场景内的照明光。然后通过第一和第二成像仪的相减的图像数据确定光入射其上的物体的深度。

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