-
公开(公告)号：CN108292706B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201680065408.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种与包含基本上共价基质材料的半导体层相邻的金属层，包含所述材料的电子器件及其制备方法，所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属，其中a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs；并且b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。
-
公开(公告)号：CN107434813B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201710196810.2
申请日：2012-11-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 欧姆莱恩·法德尔 , 拉莫娜·普雷奇 , 卡斯滕·洛特 , 鲁道夫·莱斯曼 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利
IPC: C07F9/576 , C07F9/6558
Abstract: 本申请涉及显示器。具体地，本申请涉及如下显示器，其包含至少一个有机发光二极管，其中所述至少一个有机发光二极管包含阳极、阴极、在所述阳极和所述阴极之间的发光层和在所述阴极与所述发光层之间的至少一个包含式(I)化合物的层：其中A1和A2独立地选自卤素，CN，取代或未取代的C1至C20烷基或杂烷基，C6至C20芳基或C5至C20杂芳基，C1至C20烷氧基或C6至C20芳氧基，A3选自取代或未取代的C6至C40芳基或C5至C40杂芳基，m＝0、1或2，n＝0、1或2。
-
公开(公告)号：CN111630035A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880080292.0
申请日：2018-10-10
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 伊莱纳·加兰 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 本杰明·舒尔策
IPC: C07D219/02 , C07D401/10 , C07D405/04 , C07D409/04 , C07D417/10 , C07D251/24 , C07F9/28 , C09K11/06
Abstract: 本发明涉及用作电子器件的层材料的包含TAE结构的化合物，并涉及包含所述层材料的有机电子器件及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN111527082A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201880080296.9
申请日：2018-10-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 伊莱纳·加兰 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 本杰明·舒尔策
IPC: C07D405/14 , C07D401/10 , C07D405/04 , C07D409/04 , C07D251/24 , C07F5/02 , C09K11/06
Abstract: 本发明涉及包含与取代或未取代三嗪环直接结合的TAE结构的化合物，其用作电子器件的层材料，并涉及包含所述层材料的有机电子器件及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN110678474A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880033634.3
申请日：2018-05-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 维金塔斯·扬库什 , 多玛果伊·帕维奇科 , 卡斯滕·罗特 , 沃洛季米尔·森科维斯基 , 乌尔里希·登克尔
IPC: C07F9/53
Abstract: 本发明涉及由通式(I)表示的化合物在包含于电子器件中的半导体层中的用途，相应的半导体层，相应的电子器件和相应的化合物，其中A1和A2独立地选自C1至C60含碳基团；A3至A9独立地选自氢、C1至C60含碳基团或卤素；R1和R2独立地选自通过sp3-杂化的碳原子与磷原子连接的C1至C60含碳基团；X是共价单键或由1至120个共价键合的原子组成的间隔基团。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109761919A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811317425.X
申请日：2018-11-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 本杰明·舒尔策 , 多玛果伊·帕维奇科 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利
IPC: C07D251/24 , C07D401/10 , C07D405/10 , C07D409/10 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/42 , H01L51/46
CPC classification number: C07D251/24 , C07D401/10 , C07D407/10 , C07D409/10
Abstract: 本发明涉及一种包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物。具体地，本发明涉及一种根据式1的化合物，所述化合物适合用作电子器件的层材料，并且涉及包含至少一种所述化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。
-
公开(公告)号：CN108431289A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680065794.7
申请日：2016-11-10
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 用于制备含金属层的方法、包含所述材料的电子器件以及其制备方法，所述方法包括(i)至少一个在低于10-2Pa的压力下从被加热到100℃至600℃的温度的第一蒸发源中提供的金属合金共蒸发a)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属和b)至少一种选自Mg、Zn、Hg、Cd和Te的第二金属的步骤，和(ii)所述第一金属在温度低于所述第一蒸发源温度的表面上的至少一个后续沉积步骤，其中在步骤(i)中，所述合金至少部分地以包含所述第一金属和所述第二金属的均相形式提供。
-
公开(公告)号：CN111566836B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201880082463.3
申请日：2018-12-20
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 杰罗姆·加尼耶 , 卡斯滕·罗特 , 本杰明·舒尔策
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料、包含所述半导体材料的电子器件以及制备所述半导体材料的方法，所述半导体材料包含：(i)至少一种包含二价金属的金属络合物或金属盐；和(ii)至少一种包含二烷基氧化膦基团的基质化合物。
-
公开(公告)号：CN109761919B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201811317425.X
申请日：2018-11-07
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 本杰明·舒尔策 , 多玛果伊·帕维奇科 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利
IPC: C07D251/24 , C07D401/10 , C07D405/10 , C07D409/10 , C09K11/06 , H10K85/60 , H10K30/50 , H10K50/10 , H10K10/46
Abstract: 本发明涉及一种包含三嗪基团、芴基团和芳基基团的化合物。具体地，本发明涉及一种根据式1的化合物，所述化合物适合用作电子器件的层材料，并且涉及包含至少一种所述化合物的有机半导体层，以及涉及包含至少一个所述有机半导体层的有机电子器件和制造所述有机电子器件的方法。#imgabs0#
-
公开(公告)号：CN108463897B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201680065531.6
申请日：2016-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料、包含这样的材料的电子器件及其制备方法，所述半导体材料包含(i)由至少一种基本上共价基质化合物组成的基本上共价基质材料，(ii)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属，和(iii)至少一种选自Zn、Hg、Cd和Te的第二金属。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
43
records
(took 0.066 seconds)
