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公开(公告)号：CN107851733B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201680044669.8
申请日：2016-06-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及在阳极和基本上为银的阴极之间包含至少一个发光层的电子器件，该器件在阴极和阳极之间还包含至少一个混合层，所述混合层包含(i)至少一种基本上共价的电子传输基质化合物，其包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团，和(ii)呈基本上元素形式的正电性元素，其选自基本上非放射性的碱金属，碱土金属，稀土金属，和周期表第四周期中质子数为22、23、24、25、26、27、28、29的过渡金属。
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公开(公告)号：CN107851733A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680044669.8
申请日：2016-06-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC classification number: H01L51/5004 , H01L51/002 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/0067 , H01L51/0073 , H01L51/5076 , H01L51/5092 , H01L51/5221 , H01L51/5268 , H01L2251/5315 , H01L2251/5353 , H01L2251/554
Abstract: 本发明涉及在阳极和基本上为银的阴极之间包含至少一个发光层的电子器件，该器件在阴极和阳极之间还包含至少一个混合层，所述混合层包含(i)至少一种基本上共价的电子传输基质化合物，其包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团，和(ii)呈基本上元素形式的正电性元素，其选自基本上非放射性的碱金属，碱土金属，稀土金属，和周期表第四周期中质子数为22、23、24、25、26、27、28、29的过渡金属。
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公开(公告)号：CN108292706B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201680065408.4
申请日：2016-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种与包含基本上共价基质材料的半导体层相邻的金属层，包含所述材料的电子器件及其制备方法，所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属，其中a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs；并且b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。
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公开(公告)号：CN108431289A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680065794.7
申请日：2016-11-10
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 用于制备含金属层的方法、包含所述材料的电子器件以及其制备方法，所述方法包括(i)至少一个在低于10-2Pa的压力下从被加热到100℃至600℃的温度的第一蒸发源中提供的金属合金共蒸发a)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属和b)至少一种选自Mg、Zn、Hg、Cd和Te的第二金属的步骤，和(ii)所述第一金属在温度低于所述第一蒸发源温度的表面上的至少一个后续沉积步骤，其中在步骤(i)中，所述合金至少部分地以包含所述第一金属和所述第二金属的均相形式提供。
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公开(公告)号：CN108463897B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201680065531.6
申请日：2016-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料、包含这样的材料的电子器件及其制备方法，所述半导体材料包含(i)由至少一种基本上共价基质化合物组成的基本上共价基质材料，(ii)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属，和(iii)至少一种选自Zn、Hg、Cd和Te的第二金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111900255A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010630175.6
申请日：2016-06-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种包含极性基质、金属掺杂剂和银阴极的有机发光器件。具体地，本发明涉及一种在阳极和基本上为银的阴极之间包含至少一个发光层的电子器件，该器件在阴极和阳极之间还包含至少一个混合层，所述混合层包含(i)至少一种基本上共价的电子传输基质化合物，其包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团，和(ii)呈基本上元素形式的正电性元素，其选自基本上非放射性的碱金属，碱土金属，稀土金属，和周期表第四周期中质子数为22、23、24、25、26、27、28、29的过渡金属。
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公开(公告)号：CN109643759A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052403.2
申请日：2017-08-30
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC classification number: H01L51/0052 , H01L51/001 , H01L51/0058 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0077 , H01L51/008 , H01L51/0085 , H01L51/5076 , H01L51/5092 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种在真空室中、在10-5毫巴至10-9毫巴的压力下制备有机半导体层的方法，所述方法包括从布置在所述真空室中的单一真空热蒸发源将组合物升华的步骤，其中所述组合物包含(a)分子量≥400且≤1,000的第一有机芳族基质化合物和(b)分子量≥100且≤400的第一碱金属有机络合物的物理混合物。
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公开(公告)号：CN111900255B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202010630175.6
申请日：2016-06-22
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: H10K50/165 , H10K85/60
Abstract: 本发明涉及一种包含极性基质、金属掺杂剂和银阴极的有机发光器件。具体地，本发明涉及一种在阳极和基本上为银的阴极之间包含至少一个发光层的电子器件，该器件在阴极和阳极之间还包含至少一个混合层，所述混合层包含(i)至少一种基本上共价的电子传输基质化合物，其包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团，和(ii)呈基本上元素形式的正电性元素，其选自基本上非放射性的碱金属，碱土金属，稀土金属，和周期表第四周期中质子数为22、23、24、25、26、27、28、29的过渡金属。
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公开(公告)号：CN108431289B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201680065794.7
申请日：2016-11-10
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 用于制备含金属层的方法、包含所述材料的电子器件以及其制备方法，所述方法包括(i)至少一个在低于10‑2Pa的压力下从被加热到100℃至600℃的温度的第一蒸发源中提供的金属合金共蒸发a)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属和b)至少一种选自Mg、Zn、Hg、Cd和Te的第二金属的步骤，和(ii)所述第一金属在温度低于所述第一蒸发源温度的表面上的至少一个后续沉积步骤，其中在步骤(i)中，所述合金至少部分地以包含所述第一金属和所述第二金属的均相形式提供。
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公开(公告)号：CN108463897A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201680065531.6
申请日：2016-11-09
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体材料、包含这样的材料的电子器件及其制备方法，所述半导体材料包含(i)由至少一种基本上共价基质化合物组成的基本上共价基质材料，(ii)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属，和(iii)至少一种选自Zn、Hg、Cd和Te的第二金属。
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