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公开(公告)号：CN105154960B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510623134.3
申请日：2011-03-21
Applicant: 诺发系统有限公司
CPC classification number: C25D5/08 , C25D5/006 , C25D17/00 , C25D17/002 , C25D21/04 , C25D21/06 , C25D21/14 , C25D21/18
Abstract: 本申请涉及具有用于电镀系统经分离阳极腔室压力调节的电解液环路及其用途。电解液且特定来说阳极液可经由具有压力调节器的开环而循环，使得镀敷腔室中的压力维持在相对于大气压的恒定(或大体上恒定)值。在这些实施例中，压力调节器与阳极腔室流体连通。
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公开(公告)号：CN102534740B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201110404826.0
申请日：2011-12-01
Applicant: 诺发系统有限公司
CPC classification number: C25D3/60 , C25C1/20 , C25C7/00 , C25D3/56 , C25D5/022 , C25D5/48 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D21/12 , C25D21/14 , C25D21/18
Abstract: 本申请案是关于晶片级封装的电镀设备和工艺。一种用于连续地同时电镀具有实质上不同标准电沉积电位的两种金属(例如，Sn‑Ag合金的沉积)的设备包括：阳极腔室，其用于含有阳极电解液和活性阳极，所述阳极电解液包括第一、次贵金属(例如，锡)的离子但不包括第二、较贵金属(例如，银)的离子；阴极腔室，其用于含有阴极电解液和衬底，所述阴极电解液包含第一金属(例如，锡)的离子、第二、较贵金属(例如，银)的离子；分离结构，其位于所述阳极腔室与所述阴极腔室之间，其中所述分离结构实质上防止较贵金属从阴极电解液转移到所述阳极电解液；以及流体特征和相关联的控制器，其耦合到所述设备且经配置以执行连续电镀，同时使镀敷浴组份的浓度在延长的使用周期内保持实质上恒定。
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公开(公告)号：CN102242388B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110071633.8
申请日：2011-03-21
Applicant: 诺发系统有限公司
CPC classification number: C25D5/08 , C25D5/006 , C25D17/00 , C25D17/002 , C25D21/04 , C25D21/06 , C25D21/14 , C25D21/18
Abstract: 本申请涉及具有用于电镀系统经分离阳极腔室压力调节的电解液环路。电解液且特定来说阳极液可经由具有压力调节器的开环而循环，使得镀敷腔室中的压力维持在相对于大气压的恒定(或大体上恒定)值。在这些实施例中，压力调节器与阳极腔室流体连通。
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公开(公告)号：CN102473628B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201080034653.1
申请日：2010-07-27
Applicant: 诺发系统有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/28
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/02 , C23F1/34 , C23F3/04 , C25D5/48 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/02074 , H01L21/288 , H01L21/32115 , H01L21/32134 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/76849 , H01L21/76856 , H01L21/76858 , H01L21/76883 , H01L21/76898 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 可通过pH介于约5与12之间的湿蚀刻溶液蚀刻半导体衬底上的经暴露铜区域，所述湿蚀刻溶液包括：(i)选自由二齿、三齿及四齿络合剂组成的群组的一种或一种以上络合剂；及(ii)氧化剂。在许多实施例中，所述蚀刻为大致各向同性的且在铜的表面上不形成可见不溶物质的情况下发生。所述蚀刻用于半导体制作中的若干个过程中，包含用于部分地或完全地移除铜覆盖物、用于平面化铜表面及用于在填充有铜的镶嵌特征中形成凹入部。适合蚀刻溶液的实例包含包括分别作为二齿及三齿络合剂的二胺(例如，乙二胺)及/或三胺(例如，二亚乙基三胺)以及作为氧化剂的过氧化氢的溶液。在一些实施例中，所述蚀刻溶液进一步包含pH调整剂，例如硫酸、氨基酸及羧酸。
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公开(公告)号：CN104658904B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510087713.0
申请日：2010-07-27
Applicant: 诺发系统有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/28
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/02 , C23F1/34 , C23F3/04 , C25D5/48 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/02074 , H01L21/288 , H01L21/32115 , H01L21/32134 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/76849 , H01L21/76856 , H01L21/76858 , H01L21/76883 , H01L21/76898 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于半导体处理中的铜移除及平面化的湿蚀刻方法。可通过pH介于约5与12之间的湿蚀刻溶液蚀刻半导体衬底上的经暴露铜区域，所述湿蚀刻溶液包括：(i)选自由二齿、三齿及四齿络合剂组成的群组的一种或一种以上络合剂；及(ii)氧化剂。在许多实施例中，所述蚀刻为大致各向同性的且在铜的表面上不形成可见不溶物质的情况下发生。所述蚀刻用于半导体制作中的若干个过程中，包含用于部分地或完全地移除铜覆盖物、用于平面化铜表面及用于在填充有铜的镶嵌特征中形成凹入部。适合蚀刻溶液的实例包含包括分别作为二齿及三齿络合剂的二胺(例如，乙二胺)及/或三胺(例如，二亚乙基三胺)以及作为氧化剂的过氧化氢的溶液。在一些实施例中，所述蚀刻溶液进一步包含pH调整剂，例如硫酸、氨基酸及羧酸。
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公开(公告)号：CN106637363A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610916461.2
申请日：2011-07-01
Applicant: 诺发系统有限公司
CPC classification number: C25D17/002 , C25D5/04 , C25D5/08 , C25D17/001 , C25D17/008 , C25D17/02 , C25D21/10 , C25D5/02
Abstract: 本发明涉及用于电镀期间的有效质量传递的电解液流体动力学的控制。本发明描述用于将一种或一种以上金属电镀到衬底上的设备和方法。实施例包含经配置以用于在镀敷期间的有效质量传递以获得高度均匀的镀敷层的电镀设备，和包含在镀敷期间的有效质量传递以获得高度均匀的镀敷层的方法。在特定实施例中，使用晶片表面处的撞击流与剪切流的组合来实现所述质量传递。
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公开(公告)号：CN102732924A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210098129.1
申请日：2012-04-05
Applicant: 诺发系统有限公司
CPC classification number: C25D5/00 , C25D5/04 , C25D5/18 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/007 , C25D17/008 , C25D17/06 , C25D17/12 , C25D21/10 , C25D21/12 , H01L21/2885 , H01L21/76873
Abstract: 本申请案涉及用于定制的均匀性分布的电镀设备。在衬底上电镀金属同时控制方位均匀性的方法在一个方面中包含：将所述衬底提供到经配置以用于在电镀期间旋转所述衬底的电镀设备中；以及在相对于屏蔽件旋转所述衬底的同时在所述衬底上电镀所述金属，使得所述衬底的在选定方位位置处的选定部分停留在经屏蔽区域中历时与所述衬底的第二部分不同的时间量，与所述选定部分相比，所述第二部分具有相同的大小和相同的径向位置且驻留在不同的方位位置处。举例来说，在电镀期间，当所述衬底的所述选定部分经过所述经屏蔽区域时，可较慢或较快地旋转半导体晶片衬底。
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公开(公告)号：CN102330140A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110192296.8
申请日：2011-07-01
Applicant: 诺发系统有限公司
CPC classification number: C25D17/002 , C25D5/04 , C25D5/08 , C25D17/001 , C25D17/008 , C25D17/02 , C25D21/10
Abstract: 本发明涉及用于电镀期间的有效质量传递的电解液流体动力学的控制，并描述了用于将一种或一种以上金属电镀到衬底上的设备和方法。实施例包含经配置以用于在镀敷期间的有效质量传递以获得高度均匀的镀敷层的电镀设备，和包含在镀敷期间的有效质量传递以获得高度均匀的镀敷层的方法。在特定实施例中，使用晶片表面处的撞击流与剪切流的组合来实现所述质量传递。
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公开(公告)号：CN108265319B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201711259887.6
申请日：2012-04-05
Applicant: 诺发系统有限公司
Abstract: 本申请案涉及用于定制的均匀性分布的电镀设备。在衬底上电镀金属同时控制方位均匀性的方法在一个方面中包含：将所述衬底提供到经配置以用于在电镀期间旋转所述衬底的电镀设备中；以及在相对于屏蔽件旋转所述衬底的同时在所述衬底上电镀所述金属，使得所述衬底的在选定方位位置处的选定部分停留在经屏蔽区域中历时与所述衬底的第二部分不同的时间量，与所述选定部分相比，所述第二部分具有相同的大小和相同的径向位置且驻留在不同的方位位置处。举例来说，在电镀期间，当所述衬底的所述选定部分经过所述经屏蔽区域时，可较慢或较快地旋转半导体晶片衬底。
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公开(公告)号：CN108265319A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711259887.6
申请日：2012-04-05
Applicant: 诺发系统有限公司
Abstract: 本申请案涉及用于定制的均匀性分布的电镀设备。在衬底上电镀金属同时控制方位均匀性的方法在一个方面中包含：将所述衬底提供到经配置以用于在电镀期间旋转所述衬底的电镀设备中；以及在相对于屏蔽件旋转所述衬底的同时在所述衬底上电镀所述金属，使得所述衬底的在选定方位位置处的选定部分停留在经屏蔽区域中历时与所述衬底的第二部分不同的时间量，与所述选定部分相比，所述第二部分具有相同的大小和相同的径向位置且驻留在不同的方位位置处。举例来说，在电镀期间，当所述衬底的所述选定部分经过所述经屏蔽区域时，可较慢或较快地旋转半导体晶片衬底。
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