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公开(公告)号：CN102856499A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210292721.5
申请日：2012-08-17
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种SnO2与P3HT杂化异质结薄膜太阳能电池的制备方法。该方法用硫粉、过硫酸铵和金属锡靶为原料，以无水乙醇、DMF及蒸馏水作溶剂，经过水热与溶剂热热处理即在ITO导电玻璃基底上制备出SnO2薄膜。先溶剂热法合成SnS，其SnS作制备SnO2的前驱物，从Sn2+到Sn4+的氧化反应更简单，耗能低；合成的SnS形貌为片状连接网络结构，可为SnO2生长提供模板，制备出分布均匀的疏松结构，增大SnO2薄膜比表面积，使与P3HT杂化形成网络互穿时两者有更好的接触，以提高器件的光电转换性能。然后在其表面旋涂P3HT，120℃退火处理2h，即得到SnO2与P3HT杂化的异质结薄膜。该方法步骤简单，无需使用任何表面活性剂和其它化学添加剂。
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公开(公告)号：CN102856499B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210292721.5
申请日：2012-08-17
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种SnO2与P3HT杂化异质结薄膜太阳能电池的制备方法。该方法用硫粉、过硫酸铵和金属锡靶为原料，以无水乙醇、DMF及蒸馏水作溶剂，经过水热与溶剂热热处理即在ITO导电玻璃基底上制备出SnO2薄膜。先溶剂热法合成SnS，其SnS作制备SnO2的前驱物，从Sn2+到Sn4+的氧化反应更简单，耗能低；合成的SnS形貌为片状连接网络结构，可为SnO2生长提供模板，制备出分布均匀的疏松结构，增大SnO2薄膜比表面积，使与P3HT杂化形成网络互穿时两者有更好的接触，以提高器件的光电转换性能。然后在其表面旋涂P3HT，120℃退火处理2h，即得到SnO2与P3HT 杂化的异质结薄膜。该方法步骤简单，无需使用任何表面活性剂和其它化学添加剂。
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公开(公告)号：CN103346261B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310207418.5
申请日：2013-05-29
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种TiO2与MEH-PPV杂化复合异质结薄膜太阳能电池及其制备和应用。该电池制备是将FTO导电玻璃片导电面向上倾斜侧放于反应釜中，以钛酸四丁酯为原料，盐酸、蒸馏水和乙二醇作溶剂，经过溶剂热处理即在FTO导电玻璃基底上制备出分布均匀的TiO2薄膜，通过添加尿素和乙二醇减缓水解速率，调控形貌，增大TiO2薄膜的比表面积，然后在其表面旋涂MEH-PPV，110℃退火处理，即得到TiO2与MEH-PPV杂化复合的异质结薄膜太阳能电池，然后真空蒸镀MoO3作为缓冲层，蒸镀一层银电极，即组装得FTO/TiO2:MEH-PPV/MoO3/Ag无机有机杂化复合的异质结薄膜太阳能电池器件。该方法简单，无需使用表面活性剂。
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公开(公告)号：CN103346261A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310207418.5
申请日：2013-05-29
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种TiO2与MEH-PPV杂化复合异质结薄膜太阳能电池及其制备和应用。该电池制备是将FTO导电玻璃片导电面向上倾斜侧放于反应釜中，以钛酸四丁酯为原料，盐酸、蒸馏水和乙二醇作溶剂，经过溶剂热处理即在FTO导电玻璃基底上制备出分布均匀的TiO2薄膜，通过添加尿素和乙二醇减缓水解速率，调控形貌，增大TiO2薄膜的比表面积，然后在其表面旋涂MEH-PPV，110℃退火处理，即得到TiO2与MEH-PPV杂化复合的异质结薄膜太阳能电池，然后真空蒸镀MoO3作为缓冲层，蒸镀一层银电极，即组装得FTO/TiO2:MEH-PPV/MoO3/Ag无机有机杂化复合的异质结薄膜太阳能电池器件。该方法简单，无需使用表面活性剂。
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