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公开(公告)号:CN102856499A
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN201210292721.5
申请日:2012-08-17
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种SnO2与P3HT杂化异质结薄膜太阳能电池的制备方法。该方法用硫粉、过硫酸铵和金属锡靶为原料,以无水乙醇、DMF及蒸馏水作溶剂,经过水热与溶剂热热处理即在ITO导电玻璃基底上制备出SnO2薄膜。先溶剂热法合成SnS,其SnS作制备SnO2的前驱物,从Sn2+到Sn4+的氧化反应更简单,耗能低;合成的SnS形貌为片状连接网络结构,可为SnO2生长提供模板,制备出分布均匀的疏松结构,增大SnO2薄膜比表面积,使与P3HT杂化形成网络互穿时两者有更好的接触,以提高器件的光电转换性能。然后在其表面旋涂P3HT,120℃退火处理2h,即得到SnO2与P3HT杂化的异质结薄膜。该方法步骤简单,无需使用任何表面活性剂和其它化学添加剂。
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公开(公告)号:CN102856499B
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:CN201210292721.5
申请日:2012-08-17
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种SnO2与P3HT杂化异质结薄膜太阳能电池的制备方法。该方法用硫粉、过硫酸铵和金属锡靶为原料,以无水乙醇、DMF及蒸馏水作溶剂,经过水热与溶剂热热处理即在ITO导电玻璃基底上制备出SnO2薄膜。先溶剂热法合成SnS,其SnS作制备SnO2的前驱物,从Sn2+到Sn4+的氧化反应更简单,耗能低;合成的SnS形貌为片状连接网络结构,可为SnO2生长提供模板,制备出分布均匀的疏松结构,增大SnO2薄膜比表面积,使与P3HT杂化形成网络互穿时两者有更好的接触,以提高器件的光电转换性能。然后在其表面旋涂P3HT,120℃退火处理2h,即得到SnO2与P3HT 杂化的异质结薄膜。该方法步骤简单,无需使用任何表面活性剂和其它化学添加剂。
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