公开(公告)号：CN1212363A

公开(公告)日：1999-03-31

申请号：CN98118558.4

申请日：1998-09-03

Applicant: 西门子公司 ,  株式会社东芝

Inventor： 彼得·韦甘德 ,  生田倍粟

IPC: G01K17/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 测量和控制半导体晶片温度的装置和方法。该装置包括处理中固定晶片的夹盘、冷却剂气体源、测量和控制处理中晶片温度的温度传感装置。晶片夹盘上表面有许多孔,氦冷却剂气体以控制速率和压力流进该孔。冷却剂气体流过夹盘上表面与晶片下侧间狭窄空间,被加热到晶片温度后通过排放管排出。温度传感装置连续测量刚被加热的冷却剂气体温度,温度传感装置产生控制到晶片的冷却剂气体流的压力和流量信号。处理过程中精确控制晶片温度,使之维持在所需的值。

公开(公告)号：CN1129962C

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN98118558.4

申请日：1998-09-03

Applicant: 西门子公司 ,  株式会社东芝

Inventor： 彼得·韦甘德 ,  生田倍粟

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 测量和控制半导体晶片温度的装置和方法。该装置包括处理中固定晶片的夹盘、冷却剂气体源、测量和控制处理中晶片温度的温度传感装置。晶片夹盘上表面有许多孔，氦冷却剂气体以控制速率和压力流进该孔。冷却剂气体流过夹盘上表面与晶片下侧间狭窄空间，被加热到晶片温度后通过排放管排出。温度传感装置连续测量刚被加热的冷却剂气体温度，温度传感装置产生控制到晶片的冷却剂气体流的压力和流量信号。处理过程中精确控制晶片温度，使之维持在所需的值。