公开(公告)号：CN1214549A

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：CN98116278.9

申请日：1998-08-11

Applicant: 西门子公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： 彼得·韦甘德 ,  爱德华·W·基威拉 ,  钱德拉塞克哈·纳拉扬 ,  肯尼思·C·阿恩特 ,  戴维·拉赫特鲁普 ,  理查德·A·吉尔摩 ,  安东尼·M·帕拉戈尼亚

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在硅衬底上的动态随机存取存储器集成电路,包括有主存储器阵列元件的主存储器阵列,和耦合到主存储器阵列的冗余存储器阵列;耦合到冗余存储器阵列的多根激光熔丝连接,其中第一激光熔丝连接形成在制造动态随机存取存储器集成电路期间被用激光束修改,以设置冗余存储器阵列元件中第一冗余元件地址熔丝的值;激光熔丝连接下的多个掩蔽部分,构成该掩蔽部分以显著减少用激光束设置第一激光熔丝连接时,激光对掩蔽部分下的第一区的激光损伤。