公开(公告)号：CN101006139A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580028164.4

申请日：2005-07-06

Applicant: 西巴特殊化学品控股有限公司

Inventor： J·-P·巴彻 ,  G·鲍丁 ,  F·温德博尔恩 ,  J·-M·阿当 ,  U·莱曼 ,  J·-L·比尔鲍姆

IPC: C09B69/02 ,  G11B7/24 ,  C09B45/34

CPC classification number: C09B69/045 ,  C09B45/20 ,  C09B45/34

Abstract: 本发明涉及包括基层、反射层和记录层的光学记录介质，其中记录层包括式(I)化合物或其内消旋或互变异构体形式，其中M1是+3氧化态的金属阳离子、羟基或其中金属是+4氧化态的卤化金属基团或其中金属是+5氧化态的氧代金属基团；(III)和(IV)分别独立于其它(V)、(VI)或(VII)；(VII)是(IX)、(X)、(XI)、(XII)、(XIII)或(XIV)；(XV)是(XVI)或C2－C8杂芳基，所述杂芳基是未取代的或者被R10、R11、R12和/或R13单取代或多取代；Q1是N或CR18，Q2是N或CR19，Q3、Q5和Q7分别彼此独立地为CR20R21、O、S或NR22，Q4是CR16或N，并且Q6是CR17或N；以及R2和/或R6是O、S或NR33。对于其它较不相关的取代基请参见说明书的公开。式(I)化合物是新的并且也要求保护，以及式(II)化合物或其内消旋或互变异构体形式，其中R38是卤素、CF3、NO2、CN、COR22、COOR23、SO3R23、NCO或SCN，G1、G2、M1、R1、R2、R4、R5、R6、R8、R22和R23如式(I)中所定义，M2m+是具有m个正电荷的阳离子，并且m是整数1、2或3。该光学记录介质特别适于，尤其是在高记录速度下适于DVD±R(658nm)。