可写可擦的高密度光学存储介质

    公开(公告)号:CN1252802A

    公开(公告)日:2000-05-10

    申请号:CN98804413.7

    申请日:1998-04-17

    Abstract: 本发明涉及包括基质和存储层的光学存储介质,其中存储层含有式(Ⅰ)或(Ⅱ)的化合物:式中A和A’分别是未取代的或被一或二卤、羟基、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、氰基或硝基取代的苯基、吡啶基、吡咯基、咪唑基、呋喃基或噻吩基,需要时,这些基团可与苯环稠合,或是N-C1-C6烷基吡啶鎓基的卤化物、四氟硼酸盐或未取代的或被一或多卤取代的C1-C6烷基磺酸盐、苯磺酸盐、C1-C6烷基苯磺酸盐、C1-C6烷基硫酸盐或二C1-C6烷基膦酸盐,或未取代的或被一或二羟基取代的C2-C6烷基或C2-C6烯基,这些基的链可以是连续的或被一个或二个氧原子断开的,B和B’分别是2H、S、S2或SO2,和n和n’分别是1-4的数。本发明还涉及在波长400-700nm处用新的记录介质光学写入、存储、读出、修改或消除数据的方法,仅用连续激光辐射或仅用调制激光辐射光学写入、修改或消除数据的光学记录器,用机械力将式(Ⅰ)或(Ⅱ)的化合物从黑色形式转变为红色形式的方法,以及新的式(Ⅰ)或(Ⅱ)的化合物。

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