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公开(公告)号：CN114923603A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210514859.9
申请日：2022-05-11
Applicant: 西安近代化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于二自由度谐振器的谐振式压力传感器及其制备方法.所公开的传感器包括硅基底、敏感膜片、锚点及两个谐振器，两个谐振器通过耦合结构微弱的耦合在一起，二自由度谐振器系统固定于四个锚点，其中一个锚点位于敏感膜片中心与边缘的中点处；两个谐振器在谐振频率处振动，两个谐振器的振幅相等；当外界压力作用于敏感膜片时，膜片发生变形，从而带动敏感膜片上的锚点向外侧移动，进而增加了其中一个谐振器的应力，该应力会引起其中一个谐振器的刚度改变，该谐振器刚度的变化会使得二自由度谐振器系统产生能量集中效应，导致两个谐振器的振幅不等，通过检测两个谐振器的振幅比可以获得外界压力的大小。
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公开(公告)号：CN114739571A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210424027.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 西安近代化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器芯片的封装装置。所公开的装置包括玻璃基底，所述玻璃基底上设有第一通孔，所述玻璃基底与MEMS传感器压力芯片的侧面通过回流焊固定，所述玻璃基底与基座通过银粉玻璃烧结固定，所述基座上设有金属引脚，在第一通孔和第三通孔内填入浆料通过烧结实现MEMS压力传感器芯片电极与金属引脚的电气连接。本发明提出的无引线封装形式，传感器芯片无需倒装，尤其适用于结构更为复杂的MEMS压力传感器封装；封装结构内无硅油填充并且设有保护罩，提高了压力传感器芯片的可靠性并且保障了压力传感器高频动态信号的测量精度及频率响应范围。
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公开(公告)号：CN114441069A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111578905.3
申请日：2021-12-22
Applicant: 西安近代化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种适用于爆炸场下的压阻式压力传感器及其制备方法，所公开的传感器自下而上包括三个膜片结构，第三膜片上具有通气孔和焊盘；第一和二膜片上印刷有厚膜电阻与导线，形成全桥惠斯通电桥；第三膜片可以滤除环境中传感器谐振频率附近的压力信号，避免敏感膜片发生共振，实现了对敏感膜片的保护；第二膜片用于敏感待测压力，压力作用于膜片时，膜片发生变形，厚膜电阻受应力作用，最终使得惠斯通电桥的输出信号发生变化；第一膜片用于补偿由振动寄生信号导致的输出信号，该膜片仅受振动作用，敏感膜片的输出信号减去该膜片的输出信号即可消除环境振动对传感器的影响。
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公开(公告)号：CN114739571B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210424027.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 西安近代化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器芯片的封装装置。所公开的装置包括玻璃基底，所述玻璃基底上设有第一通孔，所述玻璃基底与MEMS传感器压力芯片的侧面通过回流焊固定，所述玻璃基底与基座通过银粉玻璃烧结固定，所述基座上设有金属引脚，在第一通孔和第三通孔内填入浆料通过烧结实现MEMS压力传感器芯片电极与金属引脚的电气连接。本发明提出的无引线封装形式，传感器芯片无需倒装，尤其适用于结构更为复杂的MEMS压力传感器封装；封装结构内无硅油填充并且设有保护罩，提高了压力传感器芯片的可靠性并且保障了压力传感器高频动态信号的测量精度及频率响应范围。
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公开(公告)号：CN113483926B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110798999.9
申请日：2021-07-15
Applicant: 西安近代化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种爆炸场MEMS压阻式压力传感器，包括了两个尺寸不同的敏感膜片，其中较小硅应变膜可以设计为灵敏度较小，量程较大的结构，具有较强的过载能力，满足冲击波压力峰值的测量；除此之外，其中较大硅应变膜的上方设置带有通孔的硅盖帽，盖帽与相应硅应变膜形成了空腔，通过合理设计气孔和空腔的体积可以滤除具有高频特征的冲击波压力信号，使具有低频、零频的准静态压力信号作用于相应硅应变膜；并且，两个敏感膜片的背面均设计有岛，当压力超过量程时，岛会与玻璃基底接触，具有一定的抗过载能力，进一步保护了具有高灵敏度、小量程的第一硅应变膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119321843A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411347271.4
申请日：2024-09-26
Applicant: 西安近代化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种爆炸场压电式压力传感器，所公开的传感器包括壳体和安装于壳体表面及内部的膜片、传力块、两片压电晶片、惯性补偿质量块、电极片，传感器受到冲击波压力作用时，两片压电晶片在上表面产生正电荷、在下表面产生负电荷，由于两片压电晶片串联连接，因此传感器将输出与冲击波压力成正比的电压信号。当传感器受到加速度的作用时，惯性补偿质量块对两片压电晶片会产生相反的作用力，从而使得两片压电晶片分别产生相反的电压信号，可实现对加速度寄生输出信号的补偿。
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公开(公告)号：CN114923603B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202210514859.9
申请日：2022-05-11
Applicant: 西安近代化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于二自由度谐振器的谐振式压力传感器及其制备方法.所公开的传感器包括硅基底、敏感膜片、锚点及两个谐振器，两个谐振器通过耦合结构微弱的耦合在一起，二自由度谐振器系统固定于四个锚点，其中一个锚点位于敏感膜片中心与边缘的中点处；两个谐振器在谐振频率处振动，两个谐振器的振幅相等；当外界压力作用于敏感膜片时，膜片发生变形，从而带动敏感膜片上的锚点向外侧移动，进而增加了其中一个谐振器的应力，该应力会引起其中一个谐振器的刚度改变，该谐振器刚度的变化会使得二自由度谐振器系统产生能量集中效应，导致两个谐振器的振幅不等，通过检测两个谐振器的振幅比可以获得外界压力的大小。
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公开(公告)号：CN114441069B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111578905.3
申请日：2021-12-22
Applicant: 西安近代化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种适用于爆炸场下的压阻式压力传感器及其制备方法，所公开的传感器自下而上包括三个膜片结构，第三膜片上具有通气孔和焊盘；第一和二膜片上印刷有厚膜电阻与导线，形成全桥惠斯通电桥；第三膜片可以滤除环境中传感器谐振频率附近的压力信号，避免敏感膜片发生共振，实现了对敏感膜片的保护；第二膜片用于敏感待测压力，压力作用于膜片时，膜片发生变形，厚膜电阻受应力作用，最终使得惠斯通电桥的输出信号发生变化；第一膜片用于补偿由振动寄生信号导致的输出信号，该膜片仅受振动作用，敏感膜片的输出信号减去该膜片的输出信号即可消除环境振动对传感器的影响。
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公开(公告)号：CN116866853A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310535183.6
申请日：2023-05-12
Applicant: 西安近代化学研究所 , 西安君实电子科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种冲击波压力分布式采集系统通用控制方法，在物联网协议的基础上扩展通信机制，实现通过无线通信的方式完成炸药毁伤效能分布采集系统采集控制。本方法采用无线通信协议，基于无线通信代替传统有线通信，能够大大简化炸药毁伤效能分布式采集系统的电缆数量和总长度，将传感器信号到数据采集接口的电缆大幅度缩短(
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公开(公告)号：CN116381269A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310132318.4
申请日：2023-02-17
Applicant: 西安近代化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于谐振器的流速传感器及其制备方法。所公开的传感器包括锚点、平板和两个谐振器，两个谐振器通过耦合结构耦合在一起，平板与其中一个谐振器的谐振梁连接，耦合谐振器固定于锚点。两个谐振器在谐振频率处振动，两个谐振器的振幅相等；当气流作用于平板表面时，会使平板产生变形，从而在平板与谐振梁的连接处产生轴向应力，该应力会引起谐振器的刚度变化；另一个谐振器的刚度不受影响。因此，两个谐振器的刚度产生不同的变化，刚度的变化会使得弱耦合谐振器系统产生能量集中效应，导致两个谐振器的振幅不等，通过检测两个谐振器的振幅比可以获得气流的大小。
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