公开(公告)号：CN113716952A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202111061132.1

申请日：2021-09-10

Applicant: 西安神电电器有限公司

Inventor： 叶雯 ,  裴广强 ,  王建斌 ,  张鹏 ,  尹阿利

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01C7/112 ,  H01C17/30

Abstract: 本发明属于电阻电气元件技术领域，涉及一种低梯度大通流冲击稳定性的电阻片材料及其制备方法，能够改善大电流冲击后低梯度电阻片的稳定性。电阻片材料包括如下原料：ZnO：80.0～93.0wt.％，Bi2O3：2.0～6.0wt.％，Sb2O3：1.0～6.0wt.％，NiO：0～6.0wt.％，Cr2O3：0～2.0wt.％，Mn3O4：0.5～5.0wt.％，Co3O4：0.5～5.0wt.％，TiO2：0.1～0.5wt.％，含Ag和B的玻璃粉(银玻璃)：0.5～2.9wt.％。通过相应的制备方法，实现低梯度、大通流且稳定性较好的电阻片的制备，克服了现有大电流浪涌冲击对ZnO晶界势垒产生影响而导致的氧化锌压敏电阻退化行为。