公开(公告)号：CN113716952A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202111061132.1

申请日：2021-09-10

Applicant: 西安神电电器有限公司

Inventor： 叶雯 ,  裴广强 ,  王建斌 ,  张鹏 ,  尹阿利

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01C7/112 ,  H01C17/30

Abstract: 本发明属于电阻电气元件技术领域，涉及一种低梯度大通流冲击稳定性的电阻片材料及其制备方法，能够改善大电流冲击后低梯度电阻片的稳定性。电阻片材料包括如下原料：ZnO：80.0～93.0wt.％，Bi2O3：2.0～6.0wt.％，Sb2O3：1.0～6.0wt.％，NiO：0～6.0wt.％，Cr2O3：0～2.0wt.％，Mn3O4：0.5～5.0wt.％，Co3O4：0.5～5.0wt.％，TiO2：0.1～0.5wt.％，含Ag和B的玻璃粉(银玻璃)：0.5～2.9wt.％。通过相应的制备方法，实现低梯度、大通流且稳定性较好的电阻片的制备，克服了现有大电流浪涌冲击对ZnO晶界势垒产生影响而导致的氧化锌压敏电阻退化行为。

公开(公告)号：CN113651610A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110949933.5

申请日：2021-08-18

Applicant: 西安神电(泾阳)电器有限公司 ,  西安神电电器有限公司

Inventor： 裴广强 ,  叶雯 ,  张鹏

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632 ,  C04B41/90 ,  H01C7/112

Abstract: 本发明涉及一种不含氧化铬和氧化硅高性能ZnO压敏电阻及其制备方法，其目的是解决现有ZnO压敏电阻电位梯度较低，在高浪涌冲击下通流能力弱，且二者不能同时提高的技术问题。由于氧化铬和氧化硅的价格均高于氧化锌，本发明去除了ZnO压敏电阻原料中的氧化铬和氧化硅，并寻找到了一个无氧化铬和氧化硅掺杂的原料配比以降低生产成本，通过减少组分和设置特定含量的方式，实现了电位梯度和通流能力的同时提高，所制备的无氧化铬和氧化硅掺杂的ZnO压敏电阻，稳定性较好，电位梯度提高到了220～240V/mm，10kA 8/20μs雷电波残压比范围为1.75～1.80，方波和4/10大电流通流能力强，还可通过重复转移电荷0.5C测试，能量吸收参数达到280～300J/cm3，可以满足更多场合的应用要求。