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公开(公告)号：CN106887470B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710050140.3
申请日：2017-01-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3肖特基二极管器件结构与制造方法，主要解决现有肖特基二极管器件反向击穿电压低和场板结构存在的寄生电容大的问题。其自下而上，包括阴极电极、高掺杂n型Ga2O3衬底、低掺杂n型Ga2O3外延层、阳极电极；阳极与外延层接触的部分形成肖特基接触，阴极与衬底形成欧姆接触，低掺杂n型Ga2O3外延层上间隔分布有多个凹槽，凹槽的间距在0.3μm～0.5μm范围内依次增加，且第一个凹槽位于阳极边缘的正下方，最后一个凹槽与第一个凹槽的距离为10μm～15μm，凹槽内部外延生长有Al组分大于20％的AlGaO层。本发明提高了反向击穿电压，减小寄生电容，且保持正向特性不变，可用于高速集成电路和微波技术。
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公开(公告)号：CN106898644A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710050362.5
申请日：2017-01-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/402 , H01L29/513 , H01L29/516 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种高击穿电压场效应晶体管及其制作方法，其自下而上包括衬底(1)、Ga2O3外延层(2)和低掺杂n型Ga2O3薄膜(3)，薄膜上设有高掺杂n型硅离子注入区(4)和绝缘栅介质(7)，离子注入区上设有源电极(5)和漏电极(6)，绝缘栅介质上设有300～500nm厚的有机绝缘介质(8)，有机绝缘介质由P(VDF‑TrFE)、Ag纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)、ZnS纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)和CCTO纳米颗粒掺杂P(VDF‑TrFE)构成，且设有长度为1～3μm的栅场板(9)，该栅场板上设置有栅电极。本发明击穿电压高，可用于作为功率器件和高压开关器件。
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公开(公告)号：CN106876484B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710057175.X
申请日：2017-01-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种高击穿电压氧化镓肖特基二极管结构，自下而上包括高掺杂n型Ga2O3衬底(1)和低掺杂n型Ga2O3外延层(2)和阳极电极(4)，衬底的下表面沉积有阴极电极(5)，阳极电极与外延层(2)形成肖特基接触，阴极电极与衬底(1)形成欧姆接触，外延层(2)的上表面沉积有厚度为300～500nm的有机铁电介质层(3)；有机铁电介质层上刻蚀有圆形孔，阳极电极沉积在有机铁电介质层的孔内，孔的边缘沉积有场板(6)，该场板位于有机铁电介质层之上，并与阳极电极连接。本发明提高了反向击穿电压，且保持其正向特性不变，可用于高速集成电路和微波电路。
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公开(公告)号：CN106887470A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710050140.3
申请日：2017-01-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/0615 , H01L29/66969 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3肖特基二极管器件结构与制造方法，主要解决现有肖特基二极管器件反向击穿电压低和场板结构存在的寄生电容大的问题。其自下而上，包括阴极电极、高掺杂n型Ga2O3衬底、低掺杂n型Ga2O3外延层、阳极电极；阳极与外延层接触的部分形成肖特基接触，阴极与衬底形成欧姆接触，低掺杂n型Ga2O3外延层上间隔分布有多个凹槽，凹槽的间距在0.3μm～0.5μm范围内依次增加，且第一个凹槽位于阳极边缘的正下方，最后一个凹槽与第一个凹槽的距离为10μm～15μm，凹槽内部外延生长有Al组分大于20％的AlGaO层。本发明提高了反向击穿电压，减小寄生电容，且保持正向特性不变，可用于高速集成电路和微波技术。
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公开(公告)号：CN109558568A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811389168.0
申请日：2018-11-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电磁计算技术领域，公开了一种基于CUDA的目标RCS计算方法。该方法包括如下步骤：首先将雷达模型的表面剖分成多个三角形面元，再利用CUDA将各个三角形面元投影至雷达坐标系的x'Oy'平面并确定覆盖所有面元所需的栅格，通过计算各个三角形面元对应的深度值和面元编号，将各个三角形面元放入对应栅格以获取亮区面元，最后利用CUDA并行计算各栅格对应的亮区面元的RCS值，将全部亮区面元的RCS值进行累加即得到雷达目标的RCS。本发明能够在获取亮区面元时采用无锁的栅格数据结构将面元放入对应的栅格，能够避免将每个面元与其余所有面元进行比较以及将面元放入栅格时使用有锁结构，进而能够降低计算的复杂度，减少计算时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106876484A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710057175.X
申请日：2017-01-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种高击穿电压氧化镓肖特基二极管结构，自下而上包括高掺杂n型Ga2O3衬底(1)和低掺杂n型Ga2O3外延层(2)和阳极电极(4)，衬底的下表面沉积有阴极电极(5)，阳极电极与外延层(2)形成肖特基接触，阴极电极与衬底(1)形成欧姆接触，外延层(2)的上表面沉积有厚度为300～500nm的有机铁电介质层(3)；有机铁电介质层上刻蚀有圆形孔，阳极电极沉积在有机铁电介质层的孔内，孔的边缘沉积有场板(6)，该场板位于有机铁电介质层之上，并与阳极电极连接。本发明提高了反向击穿电压，且保持其正向特性不变，可用于高速集成电路和微波电路。
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公开(公告)号：CN106876483A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710050343.2
申请日：2017-01-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种高击穿电压肖特基二极管及制作方法，其自下而上包括衬底(5)、Ga2O3外延层(3)、低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)和钝化层(8)，钝化层(8)的中设置环状金属阴极(1)和圆形金属阳极(2)，环状金属阴极的环心与圆形金属阳极的圆心在同一点，环状金属阴极(1)的下面为硅离子注入区(7)，Ga2O3外延层(3)与低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)之间设有用于调节电子浓度的多个H+注入区(6)，且第一个H+注入区域紧挨肖特基接触边缘，最后一个H+注入区域距离金属阴极内环边缘的距离大于1μm。本发明通过H+对电子的吸引作用，减小了肖特基接触边缘的电子浓度，提高了肖特基二极管的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN106876483B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201710050343.2
申请日：2017-01-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种高击穿电压肖特基二极管及制作方法，其自下而上包括衬底(5)、Ga2O3外延层(3)、低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)和钝化层(8)，钝化层(8)的中设置环状金属阴极(1)和圆形金属阳极(2)，环状金属阴极的环心与圆形金属阳极的圆心在同一点，环状金属阴极(1)的下面为硅离子注入区(7)，Ga2O3外延层(3)与低掺杂n型Ga2O3薄膜(4)之间设有用于调节电子浓度的多个H+注入区(6)，且第一个H+注入区域紧挨肖特基接触边缘，最后一个H+注入区域距离金属阴极内环边缘的距离大于1μm。本发明通过H+对电子的吸引作用，减小了肖特基接触边缘的电子浓度，提高了肖特基二极管的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN109597042A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811351075.9
申请日：2018-11-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/41
CPC classification number: G01S7/41
Abstract: 本发明属于雷达信号处理技术领域，公开了基于奇异谱分析的目标进动频率估计方法。该方法利用奇异谱分析对目标的原始RCS序列进行分析：首先获取目标的原始RCS序列，构造轨迹矩阵；再利用PCA对轨迹矩阵进行分解，得到主分量和主分量对应的空间转换矩阵；然后利用主分量和空间转换矩阵，选取重构参数，对轨迹矩阵进行重构，提取重构的RCS序列；最后利用重构RCS序列，对目标的进动频率进行估计。本发明能在估计目标进动频率前，去除RCS序列中的噪声和非平稳分量，进而对目标进动频率进行估计，能够去除目标进动频率估计过程中的主要误差源，提升目标进动频率估计时的抗噪性能，提升算法稳定性。
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公开(公告)号：CN109597042B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201811351075.9
申请日：2018-11-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S7/41
Abstract: 本发明属于雷达信号处理技术领域，公开了基于奇异谱分析的目标进动频率估计方法。该方法利用奇异谱分析对目标的原始RCS序列进行分析：首先获取目标的原始RCS序列，构造轨迹矩阵；再利用PCA对轨迹矩阵进行分解，得到主分量和主分量对应的空间转换矩阵；然后利用主分量和空间转换矩阵，选取重构参数，对轨迹矩阵进行重构，提取重构的RCS序列；最后利用重构RCS序列，对目标的进动频率进行估计。本发明能在估计目标进动频率前，去除RCS序列中的噪声和非平稳分量，进而对目标进动频率进行估计，能够去除目标进动频率估计过程中的主要误差源，提升目标进动频率估计时的抗噪性能，提升算法稳定性。
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