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公开(公告)号：CN109326681A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810900367.7
申请日：2018-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及一种双波段紫外光电探测器件及其制备方法，制备方法包括：选取衬底；在衬底表面生长光吸收层；在光吸收层表面形成叉指电极。本发明提供的双波段紫外光电探测器件具有衬底、(InxGa1-x)2O3材料形成的紫外光吸收层以及叉指电极，在不同In组份的情况下，(InxGa1-x)2O3材料的光学带隙发生变化(4.9～8.9eV)，在高In组份的情况下，(InxGa1-x)2O3材料发生相的分离，产生两个光学带隙，对两个紫外光谱范围产生感应，从而实现双波段光信号的探测。
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公开(公告)号：CN109326681B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201810900367.7
申请日：2018-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及一种双波段紫外光电探测器件及其制备方法，制备方法包括：选取衬底；在衬底表面生长光吸收层；在光吸收层表面形成叉指电极。本发明提供的双波段紫外光电探测器件具有衬底、(InxGa1‑x)2O3材料形成的紫外光吸收层以及叉指电极，在不同In组份的情况下，(InxGa1‑x)2O3材料的光学带隙发生变化(4.9～8.9eV)，在高In组份的情况下，(InxGa1‑x)2O3材料发生相的分离，产生两个光学带隙，对两个紫外光谱范围产生感应，从而实现双波段光信号的探测。
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公开(公告)号：CN109301002B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201810900370.9
申请日：2018-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种基于(AlxGa1‑x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法，所述制备方法包括：选取蓝宝石作为衬底材料；在所述衬底材料表面生长(AlxGa1‑x)2O3形成光吸收层；采用掩模版在所述光吸收层表面形成不对称叉指电极，以完成所述MSM结构的紫外光电探测器的制备。通过这种制备方法，可以得到一种高Al组分的紫外光电探测器，从而会产生两个光学带隙，即对两个紫外光谱范围产生感应，有利于同一个探测器在两个光波波段的检测，提高紫外光电探测器的利用。
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公开(公告)号：CN109244173A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810900339.5
申请日：2018-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种自供电双波段紫外光电探测器件及其制备方法，制备方法包括：选取衬底；在衬底表面生长光吸收层；在光吸收层表面形成非对称的叉指电极。本发明提供的自供电双波段紫外光电探测器件具有(InxGa1-x)2O3材料形成的光吸收层，在不同In组份的情况下，(InxGa1-x)2O3材料的光学带隙发生变化(4.9～8.9eV)，在高In组份的情况下，(InxGa1-x)2O3材料发生相的分离，产生两个光学带隙，对两个紫外光谱范围产生感应，从而实现双波段光信号的探测；非对称的叉指电极的势垒高度不一样，从而实现器件的自供电特性。
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公开(公告)号：CN109326680B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201810900315.X
申请日：2018-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及一种基于(AlxGa1‑x)2O3材料的双波段紫外光电探测器及其制备方法，所述制备方法包括：选取蓝宝石作为衬底材料；在所述衬底材料表面生长(AlxGa1‑x)2O3形成光吸收层；采用掩模版，利用Au在所述光吸收层表面溅射形成对称叉指电极，以完成所述双波段紫外光电探测器的制备。通过这种制备方法，可以得到一种高Al组分的紫外光电探测器，从而会产生两个光学带隙，即对两个紫外光谱范围产生感应，有利于同一个探测器在两个光波波段的检测，提高紫外光电探测器的利用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109244173B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201810900339.5
申请日：2018-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种自供电双波段紫外光电探测器件及其制备方法，制备方法包括：选取衬底；在衬底表面生长光吸收层；在光吸收层表面形成非对称的叉指电极。本发明提供的自供电双波段紫外光电探测器件具有(InxGa1‑x)2O3材料形成的光吸收层，在不同In组份的情况下，(InxGa1‑x)2O3材料的光学带隙发生变化(4.9～8.9eV)，在高In组份的情况下，(InxGa1‑x)2O3材料发生相的分离，产生两个光学带隙，对两个紫外光谱范围产生感应，从而实现双波段光信号的探测；非对称的叉指电极的势垒高度不一样，从而实现器件的自供电特性。
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公开(公告)号：CN107369763B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710412534.9
申请日：2017-06-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器的制备方法，包括：选取半绝缘半透明衬底；在所述衬底表面淀积形成底电极；在所述底电极表面淀积Ga2O3层；在所述Ga2O3层表面旋涂钙钛矿层；在所述钙钛矿层表面淀积形成顶电极，以完成所述光电探测器的制备。本发明提供的基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器，可以探测从深紫外到近红外的宽范围光谱；具有较高的响应度和探测率，同时具有低的暗电流密度和高的外量子效率；该探测器结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点。
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公开(公告)号：CN109326680A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810900315.X
申请日：2018-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及一种基于(AlxGa1-x)2O3材料的双波段紫外光电探测器及其制备方法，所述制备方法包括：选取蓝宝石作为衬底材料；在所述衬底材料表面生长(AlxGa1-x)2O3形成光吸收层；采用掩模版，利用Au在所述光吸收层表面溅射形成对称叉指电极，以完成所述双波段紫外光电探测器的制备。通过这种制备方法，可以得到一种高Al组分的紫外光电探测器，从而会产生两个光学带隙，即对两个紫外光谱范围产生感应，有利于同一个探测器在两个光波波段的检测，提高紫外光电探测器的利用。
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公开(公告)号：CN109285910A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810900333.8
申请日：2018-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种基于(AlxGa1-x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法，所述制备方法包括：选取c面蓝宝石作为衬底材料；利用Ga2O3和Al2O3在在所述衬底材料表面生长(AlxGa1-x)2O3形成光吸收层；采用掩模版在所述光吸收层表面形成不对称叉指电极，以完成所述MSM结构的紫外光电探测器的制备。通过这种制备方法，可以得到一种高Al组分的紫外光电探测器，从而会产生两个光学带隙，即对两个紫外光谱范围产生感应，有利于同一个探测器在两个光波波段的检测，提高紫外光电探测器的利用。
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公开(公告)号：CN109301002A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810900370.9
申请日：2018-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种基于(AlxGa1-x)2O3材料MSM结构的紫外光电探测器及其制备方法，所述制备方法包括：选取蓝宝石作为衬底材料；在所述衬底材料表面生长(AlxGa1-x)2O3形成光吸收层；采用掩模版在所述光吸收层表面形成不对称叉指电极，以完成所述MSM结构的紫外光电探测器的制备。通过这种制备方法，可以得到一种高Al组分的紫外光电探测器，从而会产生两个光学带隙，即对两个紫外光谱范围产生感应，有利于同一个探测器在两个光波波段的检测，提高紫外光电探测器的利用。
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